遲來的英特爾10nm工藝 憑啥說比臺積電/三星強？

　　英特爾在北京舉辦“精尖制造日”活動，本次活動可謂云集了英特爾制程、制造方面最權威的專家團，閉關修煉的英特爾終于秀出了它的10nm工藝。并笑稱：“老虎不發威，你當我是病貓?”

　　這個讓英特爾憋了許久的一招“絕技”到底有多牛叉?我們先回顧一下此次活動，英特爾給外界透露了哪些消息。

　　首先英特爾的執行副總裁兼制造、運營與銷售集團總裁Stacy Smith表示，摩爾定律不會失效，且英特爾正在沿著該定律勤勤懇懇的向前推進著。不過，節點在進化的途中面臨著時間越來越長的困境。這個難題怎么破解呢?

　　此時英特爾秀了一下“超微縮技術”，表示該技術讓英特爾能夠加速推進密度的提升，借助節點內優化，產品功能每年都可實現增強。具體優勢可以見下圖：

　　超微縮技術的使用，英特爾的14nm制程工藝更加優秀。雖然同為14nm，英特爾的芯片密度更高，性能更強。其它的10nm制程工藝，僅相當于英特爾14nm工藝制程的芯片密度。

　　Stacy Smith認為英特爾在14nm制程工藝上保持著大約三年的領先性。

　　(這句話咋這么耳熟呢?畢竟我們不止一次聽到英特爾自夸自己的制程工藝比友商領先。這些友商又是誰呢?英特爾在活動上說：擁有領先邏輯晶圓廠的公司數量已經越來越少，眾多公司已經被淘汰出局。目前在14-16nm節點只剩4家(英特爾、三星、臺積電、格芯)，且僅有2家(英特爾、三星)有一體化的器件生產能力。)

　　隨后，英特爾秀了一下業務實力，2016年全球晶圓代工收入為530億美元，其中高端技術(28/20/16/14nm)代工收入2016年達到230億美元。英特爾將致力22/14/10nm工藝節點的晶圓代工，發力高端市場。

　　最后，大戲登場——10nm 晶圓。

　　英特爾高級院士、技術與制造事業部制程架構與集成總監Mark Bohr負責介紹了相關細節。

　　一開始就表示，英特爾是首家做到22nm FinFET的公司，比競爭友商至少領先三年。

　　Mark Bohr說，14nm到10nm所花費的時間超過兩年，但密度提升非常可觀。晶體管密度每兩年提高約一倍，10nm每平方毫米晶體管數量超過1億個，而14nm每平方毫米晶體管數量只有不到4000萬個。

　　Mark Bohr介紹了14nm超微縮相對于22nm超微縮的領先性，同時也介紹了10nm相對于14nm超微縮的技術差異。他說，22nm到14nm再到10nm，第三代FinFET晶體管有了極大的突破。10nm鰭片的高度較14nm提高25%，間距縮小25%，超強的微縮能力和全新特性將晶體管密度提升了2.7倍。

　　最后的最后，我們顯然會看到與手機發布會一樣的友商對比圖。如下：

　　遲到英特爾為啥還這么自信?

　　雖說英特爾在會上表示自己是首家做到22nm FinFET的公司，且比友商技術至少領先三年。但好漢不提當年勇，22nm之后的江湖卻又是另一場血雨腥風。

　　2014年英特爾推出了14nm工藝，之后僅一年不到的時間，三星也推出了自家的14nm工藝，隨后臺積電也推出了其16nm工藝。2015年下半年發布的蘋果iPhone 6s所搭載的A9處理器就分別采用了三星的14nm工藝和臺積電的16nm工藝。去年年底，三星和臺積電又相繼推出了自己的10nm工藝，這也比英特爾的10nm工藝早了將近一年的時間。

　　這就相當尷尬了……

　　曾經的江湖工藝排行第一把交椅的英特爾就這么涼了?顯然，它不會坐以待斃。