如何看待格羅方德來中國設工廠？

　　日前，格羅方德在成都宣布，將在成都設立子公司格芯半導體公司，格羅方德占股51%，計劃投資90億美元建設一條12寸晶圓代工線。聯系臺積電在南京設廠，聯電在廈門設廠，全球前三的晶圓代工廠都在中國設立了工廠。那么，這次格羅方德在中國設工廠到底有什么意義呢?是否會對中國本土企業造成沖擊?

　　格羅方德是怎樣一家企業

　　相對于AMD的名聲，格羅方德對于一些網友可能就陌生一些，其實格羅方德最初是由AMD拆分而來，是AMD在前些年經營困難、賣大樓的窘迫情況下不得不將企業拆分的結果。

　　眾所周知，在半導體行業中，有三種運作模式：一是從事能獨立完成設計、制造、封裝測試、銷售的公司，被稱為IDM(Integrated Design and Manufacture)，比如Intel;二是只從事IC設計，但沒有代工廠，這類公司被稱為Fabless，像AMD、ARM等都屬于Fabless;三是只做代工，不做設計，這類公司被稱為Foundry，最典型的就是臺積電。

　　格羅方德的主要業務和臺積電一樣，是做晶圓代工，由于其英文縮寫是GF，加上格羅方德和AMD之間一直保持著良好的合作，格羅方德曾經被一些發燒友戲稱為AMD的女朋友...

　　AMD和其老競爭對手Intel曾經都屬于IDM，不過由于AMD前些年在CPU上被Intel壓著打，在GPU上面對英偉達處于劣勢，公司經營比較困難，不得不甩包袱，將晶圓廠拆分出來，由中東土豪接手成為其大股東。格羅方德又收購了新加坡特許半導體和IBM的晶圓廠。其中，IBM為了甩包袱在將晶圓廠賣給格羅方德的時候還倒貼了15億美元。換言之，就是IBM把晶圓廠送給格羅方德外加附送15億美元現金...

　　目前，格羅方德工廠主要在美國、德國和新加坡。2015年，格羅方德市場占有率為9.6%，市場占有率和營業收入僅次于臺積電。2016年，格羅方德營收達55.45 億美元，同比增長10%，市場占有率達11%。

　　格羅方德中國設廠是迫不得已

　　對于格羅方德來說，到中國開設工廠實屬迫不得已。雖然集合了IBM、AMD的晶圓廠和新加坡特許半導體，但格羅方德近年來的經營狀況確實令人堪憂，2013年虧損9億美元，2014年虧損15億美元，2015年虧損13億美元，2016年上半年虧損13.5億美元……甚至有格羅方德的大股東想要找中國投資人接盤的消息。

　　其實，成都并非是格羅方德的首選，格羅方德之前試圖在中國數個城市合資設廠但均遭到拒絕。在去年還在和重慶渝德簽屬合作協議4個月之后項目依然沒能落地，據業內人士消息，計劃擱淺的原因在于格羅方德轉移的技術相對落后，以及格羅方德的要價過高導致的——小道消息是格羅方德只愿意轉移從新加坡工廠淘汰的二手設備，這些設備只能用來加工40nm芯片，但即便如此格羅方德依舊要求占51%的股份。

　　要知道，在去年中芯國際就已經實現28nm HKMG工藝的商業化量產，國內華力微也實現了用28nm制造工藝為MTK加工芯片。因此，在當下轉移40nm芯片生產線，而且還是格羅方德新加坡工廠淘汰的二手設備，其意義就相對比較有限了。

　　本次格羅方德在成都設立合資公司格芯半導體共分為兩期來執行，第一期是建設12英寸晶圓生產線，并轉移源自格羅方德新加坡工廠的技術，預計2018年底投產，產能約每月2萬片。第二期是自2018年開始將從德國轉移技術，導入22nm SOI工藝，計劃2019年投產，投產后預計產能達到每月約6.5萬片。

　　從中可以看出，格羅方德是在近年來經營情況不佳的形勢下，才來中國合資設廠，而且從被重慶等數個城市拒絕的情況看，格羅方德開出的價碼含金量相對有限，而且在格羅方德14nm 工藝已經實現商業化量產，為AMD加工最新的Zen架構芯片的情況下，依舊選擇在2018年才將22nm SOI工藝導入中國，投產要到2019年。

　　而在2018—2019年，臺積電在南京的工廠已經可以生產16nm芯片了，中芯國際也很有可能掌握14nm制造工藝?？梢姼窳_方德對于在中國大陸設廠的誠意并不算太高，來中國開設合資公司實屬迫不得已。

　　并非花大價錢買落后技術

　　SOI是指絕緣層上的硅，是一種用于集成電路的供應商制造的新型原材料。SOI技術作為一種全介質隔離技術，可以用來替代硅襯底。FD-SOI就是在襯底上做文章，在晶體管相同的情況下，采用FD-SOI技術可以實現在相同功耗下性能提高30%左右，或者在相同性能下，功耗降低30%左右。

　　雖然現在的主流是FinFET，即便是格羅方德自己都購買了三星14nm FinFET工藝授權。但這并不意味著SOI工藝是落后的。主要原因在于現階段Intel和臺積電在硅襯底上能夠做出滿足要求的芯片，所以依舊使用硅襯底，臺積電市場份額巨大，而Intel有最好的技術，兩家選擇了FinFET，自然而然整個產業鏈就跟著走。

　　對此，FinFET和FD-SOI工藝的發明人之一胡正明教授就認為：FinFET和UTB-SOI(FD-SOI)技術是可以并存的，不過在未來幾年內，兩者都會想盡辦法彼此超越對方成為主流技術。