英特爾：下一代酷睿仍采用14nm性能已等于三星10nm

　　2月10日，英特爾在投資者會議上正式發布了第8代酷睿處理器，將于今年下半年亮相。遺憾的是，第8代酷睿處理器并沒有采用傳聞中的10nm工藝，而是依舊沿用14nm工藝，英特爾稱之為“Advancing Moore‘s Law on 14 nm”。雖然采用的仍然是老工藝，但是英特爾表示，第8代酷睿的性能將比Kaby Lake提升15%。

　　據悉，數據中心所用的Xeon高端多核處理器將首批用上下一代制程，也就是10nm。另外在1月初的CES 2017上，CEO柯再奇曾表示，搭載10nm芯片筆記本產品會在今年底出貨。

　　雖然三星、臺積電都已經研發出14nm工藝，并且成功量產。但是英特爾表示自己的14nm工藝和競爭對手的10nm工藝同樣優秀，領先對手整整三年。

　　根據英特爾在投資者會議上公開的PPT，其2014年研發出來的第一代14nm FinFET(即Broadwell所用)和三星以及臺積電的10nm工藝看齊。

　　此外，根據英特爾高級院士Mark Bohr的說法，英特爾10nm工藝的柵極間距是54nm，是同時代10nm最強。

　　據悉，Intel 10nm Cannon Lake的性能提升在50%以上。如果傳言屬實，那么英特爾的10nm是否能夠對標三星和臺積電的7nm工藝呢?