解讀全球最大的砷化鎵晶圓代工龍頭

　　2010 年起因為從2G 進入3G 時代(2010～2013) ，帶動智慧行動裝置高速起飛，帶動了射頻前端代工廠商業績騰飛。但是2013 后因為有Si 制程的PA 高性價比的替代品出現(CMOS PA/MMPA) ，使得出現產業替代危機。

　　但到了2013年后，壓抑產業的不利因子逐漸消失淡化(因為高通與Skyworks推出Si制程MMPA ， CMOS PA ， 主打高性價比策略) 。緊接著，時代潮流轉進高頻多頻帶無線通訊后(eg 4G) ， 不管是高中低階， 4G手機滲透率開始起飛，更有利的是所需PA元件用料從以往3G的3～5顆，4G要變多到4～6顆，其他像是WIFI 11.ac ，基地臺的射頻模組等等也是需要多加用料。這就增長了對射頻器件的需求。

　　由于3-5族的元件物理特性遠優于Si制程元件(低耗、體積小、放大效率佳、高頻線性度佳等等) ， 故風水轉回3-5族元件，這就讓相關的產業鏈廠商大放異彩。其中砷化鎵晶圓代工龍頭穩懋就是最大的受益者。

　　穩懋：全球最大的砷化鎵晶圓代工龍頭

　　穩懋成立于1999年10月，是亞洲首座以六吋晶圓生產砷化鎵微波通訊晶片的晶圓制造商，自2010年為全球最大砷化鎵晶圓代工廠。

　　公司主要從事砷化鎵微波集成電路 (GaAs MMIC)晶圓之代工業務，提供HBT、pHEMT微波集成電路/離散元件與后端制程的晶圓代工服務，應用于高功率基地臺、低雜訊放大器(LNA)、射頻切換器(RF Switch)、手機及無線區域網路用功率放大器 ( PA )與雷達系統上。

　　砷化鎵電晶體制程技術分為三類：

　　A.異質接面雙極性電晶體(HBT)

　　B.應變式異質接面高遷移率電晶體(pHEMT)

　　C.金屬半導體場效電晶體(MESFET)。

　　公司所提供是HBT和pHEMT，頻譜范圍由1GHz到100GHz，滿足低頻到高頻應用。

　　射頻模組中的各電路產品中，功率放大器(PA)系以HBT來設計，而微波開關器(RF switch)則利用D-mode pHEMT來設計。

　　公司領先全球研發于六吋砷化鎵基板，同時制作二種以上高效能之元件，以整合晶片制程上之技術，并縮小射頻模組電路面積、降低成本。公司在0.25微米的pHEMT制程擁有領先技術，在制程縮微方面，也已經切入0.1微米領域，高階制程持續領先同業。

　　穩懋為全球第一大砷化鎵晶圓代工廠，制程與技術都自行開發而非客戶技轉( 宏捷科由Skyworks 技轉) ，全球產生量市占率約20% ，代工市場市占率50% 以上，目前月產能約24000 片。產品應用為手機相關營收50-55 %， WiFi 比重30-35 %，利基型產品(Infrastructure) 15-20 %。另外， HBT 用于手機PA ，營收占比60-70 %， PHEMT 主要用于switch ，營收占比20-30 %， BiHEMT 用于利基型產品例如IOT ，營收占比小于5 %。客戶包含Avago( 營收占比約30%～40% 為最大客戶) 、Skyworks 、RFMD 、Anadigics 、Murata 等國際大廠與中國白牌手機供應商RDA 。

　　2013 年度砷化鎵元件市場( 含IDM) 總產值為64.7E 美元，較2012 年成長11% ，其中穩懋產值市占率為5.4% 排行第五。

　　2013 年代工市場規模為5.65E 美元，其中穩懋市占率為62.4% ，為全球大一大砷化鎵晶圓代工廠商。

　　拜產線多樣化與產品組合優化外，該公司毛利率穩定維持在30～35% 左右，營業利益率與凈利率也尚屬平穩。

　　2016年，公司宣布跨入光通訊市場，并自建EPI，主要提供美國、日本、加拿大客戶客制化一條龍生產服務，包括磊晶、二次磊晶及光電元件制造，材料及元件特性描述、測試服務;其中，磊晶與光電制造能力可供2、4吋的磷化銦基板使用。