新芯/中芯/同方國芯等NAND Flash晶圓制造商現狀分析

　　(四)、外資晶圓制造企業在中國：Samsung與Intel

　　1. Samsung西安Flash工廠產能拉高至每月產出10萬片

　　目前以Samsung在中國的投資最為領先，Samsung至2015年底投入西安廠的投資總金額已超過50億美元，產能建置來到每月8萬片，Samsung于西安佈建最先進的3D NAND Flash制程，預計2016年底將產能進一步拉升至每月10萬片。

　　2. Intel大連廠轉為3D NAND Flash廠

　　Intel則宣布投資55億美元將原先65nm生產線的大連廠，改建為月產能3萬片的3D NAND Flash廠，預計2016年先投入15億美元，到2016第四季開始投片生產，月產能估計達1萬片。

　　Samsung和Intel在中國NAND Flash的產能建置，預估至2016年第四季將達到每月11萬片，約佔全球NAND Flash晶圓出貨量7.6%，若將3D NAND有單片較高的bit產出納入考慮，加上中國廠商的進展，則Made in China的NAND位元數在2017年全球佔比有機會達到10%。

　　(五)、TRI觀點

　　武漢新芯在2014年與Spansion合作，成功將NAND技術推向32nm，至2015年5月武漢新芯宣布其Spansion合作的3D NAND項目研發取得突破性進展，是中國在NAND Flash產業進展最快的廠商。

　　中芯在2014年9月宣布38nm NAND Flash記憶體工藝已就緒，雖不像武漢新芯在NAND Flash的成果和專注，此技術仍為后續開發更先進的2x/1x nm和3D NAND Flash記憶體的研發和量產奠定基礎。

　　紫光集團在Flash相關競爭中，資金是主要優勢，但在沒有既有營運的支持下，如何突破生產技術的取得和授權，會是整個投資最關鍵環節。

　　國際投資方面，Samsung和Intel在中國NAND Flash的產能建置，預估至2016年第四季將達每月11萬片，約占全球NAND Flash晶圓出貨量7.6%。

　　NAND Flash產品特性、3D NAND需求、新興市場的成長空間，以及國際半導體大廠在中國的投資，則為中國發展NAND Flash制造產業提供切入機會。