2016年臺積電三星英特爾資本支出預計增5.4%

　　由于終端市場需求趨緩，在供給提升速度大于需求成長速度下，TrendForce旗下拓墣產業研究所預估2016年全球晶圓代工產值年成長僅2.1%，半導體大廠的競爭將更加激烈。

　　估計2016年三大半導體制造大廠資本支出金額預期較2015年成長5.4%，其中，英特爾(Intel)調升30%達95億美元、臺積電(TSMC)調升17%達95億美元，三星(Samsung)則逆勢調降15%，來到115億美元。拓墣表示，今年半導體大廠的資本支出預計至2017年才有機會對營收產生貢獻。

　　臺積電2016年有三大投資重點

　　拓墣表示，在上述半導體三巨頭，中臺積電是唯一的純晶圓代工廠，與客戶無直接競爭關系，可專注于制程技術的開發。2016年臺積電資本支出約70%用于先進制程的開發，其中大部分用在10奈米制程技術，可見臺積電對10奈米制程研發的重視。

　　臺積電資本支出的10%則將持續投入InFO技術的開發;InFO技術有散熱佳、厚度和面積縮小、成品穩定度高的優勢，已有少數大客戶開始投單，預期未來將有更多客戶陸續投入。為了就近服務廣大的中國市場，臺積電規劃30億美元用于中國南京12寸廠的建置，預期在2018年投產。今年南京廠計畫先投入5億美元，2017與2018年將增加投資力道。

　　三大半導體廠資本支出

　　三星2016年以半導體事業為重心

　　智慧型手機是三星最重要的業務，在終端市場需求趨緩、手機差異化縮小的情況下，三星受到蘋果(Apple)與中國品牌的激烈競爭。根據三星財報顯示，2015年營收年衰退2.6%，凈利下滑20.6%。相較智慧型手機，去年三星半導體營收年成長20%、記憶體年成長17%，LSI業務年成長則約27.7%，表現十分亮眼。

　　拓墣指出，2016年三星的智慧型手機業務拓展仍不樂觀，除加速開發創新業務，將更加重視晶圓代工業務，采取積極搶單的策略。2016年三星115億美元的資本支出中，LSI業務會維持與2015年35億美元的相同水準。

　　英特爾擴展記憶體相關業務

　　英特爾雖然在14/16奈米制程技術開發上領先，但臺積電與三星若在10奈米的技術上趕超，將使英特爾在CPU產品上面臨強大的競爭壓力，嚴重挑戰英特爾自1995年來的領先地位。2016年英特爾將持續擴大資本支出以維持制程領先，相關資本支出約達80億美元。

　　在資料中心的競爭中，2015年英特爾與美光(Micron)聯合發表包含3D-NAND與Xpoint等用于記憶體的技術，此外更宣布投資25億美元把大連廠打造成記憶體制造廠。估計2016年英特爾的資本支出中約有15億美元將投資在記憶體相關業務。