Spansion擴展與臺積電合作 將量產90nm閃存

　　 7月25日消息，閃存解決方案供應商Spansion公司昨日宣布擴充與代工廠臺積電簽署的代工，增加采用300mm晶圓的90nm MirrorBit技術。兩家公司同意，在現有服務協議基礎上，即為Spansion的110nm技術提供代工生產，增加了90nm的生產能力。臺積電從2006年第二季度開始生產采用110nm技術的閃存晶圓。90nm技術的目標量產時間為2007年下半年。 

  　Spansion MirrorBit閃存能夠利用一個基于氮化物的存儲器件，在一個單元中存儲兩個獨立的電荷。與浮動門NOR技術相比，該技術可以提供一個更加簡便的內存單元，其所需要的關鍵制造步驟也少得多。與傳統的浮動門技術相比，MirrorBit技術可以提供更高的產量，并可以更加方便地擴展到更高的容量。

　　根據擴充后的協議，臺積電將逐步把Spansion的90nm制程技術引入其專門為Spansion產品開設的生產線。

　　同時Spansion位于得克薩斯州奧斯丁的旗艦工廠Fab 25的90nm MirrorBit產能將于2007年過渡到65nm技術；位于日本會津若松的Spansion JV3生產基地的110nm產能；預計將于2008年中期，在日本會津若松新落成的SP1生產基地投產采用了300mm晶圓的45nm產能。該基地還可以根據市場的需求在2007年開始量產65nm技術產品。

　　Spansion(NASDAQ:SPSN)為閃存解決方案供應商，致力于為無線、汽車、網絡和消費電子市場提供數字內容的支持、存儲和保護。其前身是一家由AMD和富士通合資的公司。它是全球最大的專門致力于開發、設計和生產閃存產品及系統的公司。