美光發布全新DDR3Lm內存 主打低功耗

　　美光本周三發布了全新低功耗DDR3內存解決方案--DDR3Lm，主要面向平板電腦以及超輕薄筆記本等移動市場。首批產品包括2Gb、4Gb兩種規格，宣稱可為移動產品帶來更長續航時間的同時，依然擁有不俗的性能和較高的性價比。

　　首先是2Gb DDR3Lm，相比標準2Gb DDR3L(低電壓版DDR3)芯片，其功耗可以降低50%左右，最高頻率為1600MHz。而4Gb DDR3Lm同樣主打低功耗，待機狀態下功耗只有3.7mA IDD6，最高頻率可達1866MHz。二者都采用了美光30nm新工藝，以進一步優化功耗以及性能，非常適合于超輕薄筆記本電腦及平板電腦等移動產品。

　　美光DRAM市場部副總裁Robert Feurle表示，對于目前快速發展超輕薄移動市場來說，低功耗的作用尤為凸顯。而美光在傳統PC內存上已經積累了很多經驗，這些都為消費者提供了高性能 以及高性價比的產品。而正是我們向消費者提供的承諾以及在內存技術擁有的領先地位帶來了這款成功的30nm工藝產品。

　　目前，美光已經拿出了DDR3Lm內存的樣品，預計會在2012年第2季度大規模量產，而Intel也已經準備對此產品提供支持，并將會鼓勵其合作伙伴在基于Atom的平板點電腦和超輕薄本上使用DDR3Lm內存。

　　負責Intel內存管理經理Geof Findley也表示，目前的計算越來越移動化，低功耗和更長的續航時間對于用戶來說也越來越有價值，而這也是未來內存的正確方向。