2011年半導體產(chǎn)業(yè)資本支出創(chuàng)411億美元最高紀錄

　　根據(jù)國際半導體設備材料產(chǎn)業(yè)協(xié)會(SEMI)的報告顯示，全球半導體產(chǎn)業(yè)的資本支出將在2011年增加到411億美元的最高紀錄；SEMI并預期整體半導體產(chǎn)能也將放緩。

　　SEMI預計2011年將有223座廠房新增設備投資，其中有77項是專門針對LED設備投資的計劃。明年，預計還將有190座廠房將展開或繼續(xù)裝機，其中有72項是LED設備相關投資計劃。

　　2011年設備支出最高的地區(qū)是美國，約占100億美元;其次是臺灣，約有90億美元的投資。美洲地區(qū)在2002年時也曾位居設備投資支出之冠。

　　盡管英特爾(Intel)公司的設備投資支出最高，但美國成為設備支出之冠的另一項關鍵因素在于三星公司(Samsung)于美國德州打造一座造價25～30億美元的“S2產(chǎn)線”。根據(jù)SEMI的全球晶圓廠預測(World Fab Forecast)報告，韓國將在2012年時超越美國，以超過100億美元晶圓廠設備支出的投資位居榜首，其次是臺灣約92億美元的設備支出。

　　“近幾個月來的經(jīng)濟發(fā)展，使得消費者信心指數(shù)與支出下降，連帶半導體產(chǎn)業(yè)也受這一低迷景氣拖累。”SEMI產(chǎn)業(yè)研究與統(tǒng)計部門的晶圓廠信息資深分析師Christian Gregor Dieseldorff在一份報告中表示。

　　展望未來，業(yè)界可能無法抵擋快速增加的需求，例如在NAND閃存市場。SEMI表示，讓一座晶圓廠從破土動工到實現(xiàn)量產(chǎn)約需要一年半的時間，那么，為了要在2012年或2013年看到產(chǎn)能的增加，建造新廠的計劃必須從現(xiàn)在開始!