2010年54個在建晶圓廠LED類占五成 大多位于中國

　　國際半導體設備材料產業協會(SEMI)預測，2010年全球晶圓廠前段制程設備支出規模，將較2009年成長133%，并在2011年再度取得18%的成長率。而全球已建置晶圓廠產能，包括分立元器件廠在內，估計在2010年成長7%，并在2011年將再成長8%。

　　這份World Fab Forecast報告并預期，2010年全球晶圓廠建設支出規模將成長125%，2011年還將再成長22%。SEMI的數據指出，在2010與2011年，將有超過150座晶圓廠興建計劃，總支出估計830億美元;該估計數字是根據各晶圓廠興建計劃與設備支出計劃所做成，追蹤對象涵蓋大/小產能晶圓廠，以及生產微機電系統(MEMS)、LED、分立元器件的晶圓廠。

　　該報告指出，在2010年總計有54個晶圓廠興建計劃正在進行，建設支出總計在45億美元左右;在這些計劃中，有五成是LED晶圓廠，而且大部分位于中國。將在2011年執行的晶圓廠興建計劃雖然較少，但規模卻比較大，建設支出總計約55億美元。

　　SEMI估計，2010年全球半導體設備支出將成長133%，達到340億美元規模;而在2008年，全球半導體設備支出則是成長27%。該協會并預測2011年全球半導體設備支出將再成長18%，達到390億美元的規模，超越2007年的水平。

　　至于在2010年開始營運的晶圓廠數量大約為22座，其中也有超過五成都是LED廠;另外明年則預計有28座晶圓廠即將開張，包括4座內存廠。到2010年底，全球已建置晶圓產能(不包括分立元器件)，估計達到每月1,440萬片8寸約當晶圓，2010年該數字則可望成長8%，來到每月1,580萬8寸約當晶圓。

　　SEMI指出，內存廠是占據全球已建置晶圓產能的最大宗，所占比例在2010與2011年約為41%;晶圓代工廠則居次，所占據比例將由2009年的24%，在2011年成長到26%左右。