三星宣布開始量產30nm制程2Gb密度DDR3內存芯片

　　今年早些時候，三星公司曾宣布完成了30nm制程2Gb密度 DDR3內存芯片的開發工作，而最近他們則宣布這款芯片產品已經進入批量生產階段。這款 30nm制程DDR3芯片可以在1.35V電壓條件下工作在1866MHz數據傳輸率下，加壓到1.5V之后數據傳輸率則可提升至2133MHz，適用于 臺式機，筆記本，服務器，上網本，移動設備的各種應用。

　　三星表示目前他們正在開發4Gb密度的30nm制程DDR3內存芯片產品，預計這款產品今年才會投入使用。