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        東芝計(jì)劃耗資150億日元生產(chǎn)25納米閃存

        作者: 時(shí)間:2010-04-06 來(lái)源:網(wǎng)易科技 收藏

          公司今年計(jì)劃耗資150億日元(約合1.6億美元)興建一條試驗(yàn)生產(chǎn)線,生產(chǎn)小于25納米制程的芯片。

        本文引用地址:http://www.104case.com/article/107637.htm

          目前生產(chǎn)的是采用32與43納米技術(shù),主要應(yīng)用于手機(jī)及數(shù)字相機(jī)等電子消費(fèi)產(chǎn)品。為生產(chǎn)新的25納米制程以下的芯片,需使用較短光波的極紫外光微影(EUV lithography)技術(shù),因此,也將進(jìn)行相應(yīng)的技術(shù)升級(jí)。目前,東芝已向荷蘭半導(dǎo)體微影系統(tǒng)大廠ASML訂購(gòu)設(shè)備,預(yù)計(jì)在今年夏天試驗(yàn)投產(chǎn)。消息一經(jīng)公布,東芝在股市中漲幅達(dá)3.5%,遠(yuǎn)遠(yuǎn)超過(guò)同類(lèi)電氣機(jī)器指數(shù)0.8%的漲幅。

          而東芝與其它半導(dǎo)體廠商20納米制程的開(kāi)發(fā),也可望于未來(lái)兩年內(nèi)開(kāi)始量產(chǎn)。



        關(guān)鍵詞: 東芝 NAND 閃存

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