Hynix宣布已成功開發出26nm制程NAND閃存芯片產品

　　南韓Hynix公司本周二宣布，繼半年前成功開發出基于32nm制程的NAND閃存芯片產品，并于去年8月份開始量產這種閃存芯片之后，他們已經于日前成 功開發出了基于26nm制程的NAND閃存芯片。他們并稱將于今年7月份開始量產基于26nm制程的64GB容量NAND閃存芯片產品.

　　按閃存芯片市占率計算，Hynix公司去年在閃存芯片市場上的市占率排在第三位，僅次于排在前兩位的三星與東芝公司。據此前的報道顯示，三星公司和由Intel和鎂光公司合資成立的IM Flash公司均計劃于今年第二季度推出基于25nm制程的NAND閃存芯片產品