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Hynix宣布已成功開發(fā)出26nm制程N(yùn)AND閃存芯片產(chǎn)品
- 南韓Hynix公司本周二宣布，繼半年前成功開發(fā)出基于32nm制程的NAND閃存芯片產(chǎn)品，并于去年8月份開始量產(chǎn)這種閃存芯片之后，他們已經(jīng)于日前成 功開發(fā)出了基于26nm制程的NAND閃存芯片。他們并稱將于今年7月份開始量產(chǎn)基于26nm制程的64GB容量NAND閃存芯片產(chǎn)品. 按閃存芯片市占率計(jì)算，Hynix公司去年在閃存芯片市場上的市占率排在第三位，僅次于排在前兩位的三星與東芝公司。據(jù)此前的報(bào)道顯示，三星公司和由Intel和鎂光公司合資成立的IM Flash公司均計(jì)劃于今年第二季度推出基于25n
- 關(guān)鍵字： Hynix 26nm NAND 閃存芯片
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