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        用數據說話:Intel AMD 臺積電三大芯片廠商制程技術發展對比

        作者: 時間:2009-12-16 來源:cnbeta 收藏

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        本文引用地址:http://www.104case.com/article/101374.htm

          根據,集成電路技術每經歷一次制程更新,電路尺寸便會縮小70%。除了晶體管的門極寬度尺寸之外,其中最令人感興趣的一個關鍵尺寸便是互連線彼此之間的間距尺寸。這個尺寸決定了電路中邏輯門電路的密度以及芯片中所能容納的晶體管數量。根據我們繪制的互連線間距尺寸發展圖,三家廠商的制程技術在這方面的進展可謂不相上下,可見依然適用。

          有趣的是,臺積電公司的互連線間距尺寸似乎要比其它兩家公司要更小一些,這大概是由于這家廠商主要面向SOC芯片,GPU/FPGA等產品的代工使然。盡管臺積電的制程技術制作出來的晶體管其運行速度可能不及或AMD,但其芯片產品內部卻能集成數量超過10億支的大量晶體管。

          新制程除了帶來電路關鍵尺寸的進一步縮小之外,還衍生了很多新的制程技術。其中兩項具有重大意義的新技術便是漏源極嵌入硅鍺技術 (eSiGe) 和high-k金屬門(HKMG)技術。eSiGe技術能增強PMOS晶體管的性能,而HKMG技術則有助于晶體管開關速度的提升,并可減小門極的漏電流。



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