又一臺天價光刻機，即將出貨！

據韓媒最新報道，三星電子正準備在2025年初引入其首款High NA EUV（極紫外）光刻機設備，這或許標志著這家三星電子在先進半導體制造領域取得重大進步。

ASML獨家提供的極紫外光刻機對于2nm以下更先進制程的工藝至關重要，三星此前曾設定了到2027年實現1.4nm工藝商業化的目標，行業人士表示，三星將加快其1nm芯片商業化的開發工作。

據悉，每臺High NA EUV光刻機售價約3.5億美元（約合人民幣25億元），遠高于ASML標準EUV系列的1.8億~2億美元。High NA系統具有8mm分辨率，晶體管密度是Low NA系統的三倍。具體而言，High NA EUV技術超越了現有的EUV系統，能夠創建更精細的電路設計，使其適用于運行在5nm以下的芯片，如CPU和GPU等系統半導體。

雖然標準EUV對5nm及以下工藝有效，但High NA EUV可以進一步實現2nm以下的電路尺寸，從而提高性能并減少曝光次數，從而降低生產成本。比利時微電子研究中心IMEC與ASML合作的最新研究表明，一次High NA EUV曝光可以產生完整的邏輯和存儲電路。

據報道，三星首款High NA EUV設備——ASML的EXE:5000型號預計將于2025年初上市。鑒于半導體設備安裝的復雜性（通常涉及漫長的測試階段），EXE:5000預計將于2025年第二季度投入運營。

據悉，在全球范圍內，3納米以下制程的競爭者目前僅有臺積電、英特爾和三星三家晶圓代工廠。他們之間的競爭正在升溫，加速競相獲得2nm以下工藝的High NA EUV設備。英特爾于2023年12月率先獲得該設備，臺積電于2024年第三季度緊隨其后。