超200億半導體項目新進展披露

近日，據長飛先進武漢基地相關負責人介紹，長飛先進武漢碳化硅基地11月起設備進駐廠房，明年年初開始調試，預計2025年5月量產通線，隨后將開啟良率提升和產能爬坡。

資料顯示，長飛先進與2023年8月與武漢東湖高新區管委會簽署第三代半導體功率器件研發生產基地項目，該項目聚焦第三代半導體功率器件研發與生產，項目總投資預計超過200億元，其中項目一期總投資80億元，規劃年產36萬片6英寸碳化硅晶圓。

當前，第三代化合物半導體在新能源汽車、風光儲、電網、智能駕駛、5G等領域得到廣泛應用，寬禁帶半導體亦隨著在終端領域的持續滲透而從導入期過渡到快速發展期。

碳化硅是第三代化合物半導體的典型代表，憑借耐高溫、耐高壓、高頻化、低損耗等材料優勢，能夠大幅提高器件的能源轉化效率、減少能耗并降低系統成本，將逐步取代傳統硅基器件進而成為未來功率器件的主流。

作為未來電力電子技術的重要發展方向，SiC在汽車、可再生能源等功率密度和效率極其重要的應用市場中仍然呈現加速滲透之勢，未來幾年整體市場需求將維持增長態勢。全球市場研究機構TrendForce集邦咨詢預測，到2028年全球SiC功率器件市場規模有望達到91.7億美元。