廣東培育“芯”賽道，半導體產業或迎變革式發展

光芯片是實現光電信號轉換的基礎元器件，相較于集成電路展現出更低的傳輸損耗、更寬的傳輸帶寬、更小的時間延遲以及更強的抗電磁干擾能力，有望帶動半導體產業變革式發展，有力支撐新一代網絡通信、人工智能、智能網聯汽車等產業高質量發展。

近日，廣東省政府公安廳印發《廣東省加快推動光芯片產業創新發展行動方案（2024—2030年）的通知》（以下簡稱“《行動方案》”）。

《行動方案》提出，為加快培育發展光芯片產業，力爭到2030年取得10項以上光芯片領域關鍵核心技術突破，打造10個以上“拳頭”產品，培育10家以上具有國際競爭力的一流領軍企業，建設10個左右國家和省級創新平臺，培育形成新的千億級產業集群。

《行動方案》從突破產業關鍵技術、加快中試轉化進程、建設創新平臺體系、推動產業集聚發展、大力培育領軍企業、加強合作協同創新等六個方面提出了18項重點任務，同時，從關鍵材料裝備攻關工程、產業強鏈補鏈建設工程、核心產品示范應用工程、前沿技術產業培育工程等方面提出了8項重點工程。

《行動方案》提出，強化光芯片基礎研究和原始創新能力，將鼓勵有條件的企業、高校、科研院所等圍繞單片集成、光子計算、超高速光子網絡、柔性光子芯片、片上光學神經網絡等未來前沿科學問題開展基礎研究。

加大對高速光通信芯片、高性能光傳感芯片、通感融合芯片、薄膜鈮酸鋰材料、磷化銦襯底材料、有機半導體材料、硅光集成技術、柔性集成技術、磊晶生長和外延工藝、核心半導體設備等方向的研發投入力度。同時加大“強芯”工程對光芯片的支持力度，將面向集成電路產業底層算法和架構技術的研發補貼、量產前首輪流片獎補等產業政策，擴展至光芯片設計自動化軟件（PDA工具）、硅光MPW流片等領域。

此外，加快建設一批概念驗證中心、研發先導線和中試線。支持企業、高校、科研院所等圍繞高速光通信芯片、高性能光傳感芯片、紅外光傳感芯片、高性能通感融合芯片、薄膜鈮酸鋰、化合物半導體、硅基（異質異構）集成、光電混合集成等領域，建設概念驗證中心、研發先導線和中試線。支持中試平臺圍繞光芯片相關領域，向中小企業提供原型制造、質量性能檢測、小批量試生產、工藝放大熟化等系列服務，推動新技術、新產品加快熟化。鼓勵綜合性專業化中試平臺為光芯片領域首臺套裝備、首批次新材料等提供驗證服務，符合條件的依法依規給予一定政策和資金支持。鼓勵中試平臺搭建眾創空間、孵化器、加速器等各類孵化載體，并孵化培養更多光芯片領域新物種企業。

廣東將依托各類創新主體，布局建設一批光芯片領域共性技術研發平臺，主要聚焦基礎理論研究和新興技術、顛覆性技術攻關，加快形成前沿性、交叉性、顛覆性技術原創成果，實現更多“從0到1”的突破。引進國內外戰略科技力量，培育一批創新平臺，主要聚焦光芯片關鍵細分環節，加快技術創新和產業孵化，不斷提升細分領域產業優勢。圍繞研發設計、概念驗證人才培養等專業化服務領域，打造一批促進光芯片產業創新發展的公共服務平臺，強化創新成果轉化水平和專業化服務能力。

強化光芯片產業總體發展布局，支持有條件的地市研究出臺關于發展光芯片產業的專項規劃，加快引進國內外光芯片領域高端創新資源，形成差異化布局。支持廣州、深圳、珠海、東莞等地發揮半導體及集成電路產業鏈基礎優勢，結合本地區當前發展產業科技的需要，加快培育光通信芯片、光傳感芯片等產業集群，打造涵蓋設計、制造、封測等環節的光芯片全產業鏈，積極培育光計算芯片等未來產業。支持廣州、深圳、珠海、東莞等地依托半導體及集成電路產業集聚區，規劃建設各具特色的光芯片專業園區。

廣東將圍繞光芯片關鍵細分領域和產業鏈重點環節，引進一批領軍企業和新物種企業。支持有條件的光芯片企業圍繞產業鏈重點環節進行并購整合，加快提升業務規模。支持龍頭企業與國內外企業、高等院校、研究機構聯合搭建未來產業創新聯合體，探索產學研協同攻關和產業鏈上下游聯合攻關，孵化和培育一批科技型初創企業。鼓勵半導體及集成電路頭部企業發揮產業基礎優勢，延伸布局光芯片相關領域。

支持光芯片龍頭企業加大在粵的研發和產線布局，加快形成光芯片產業集群。支持外資光芯片企業布局建設企業技術中心、工程研究中心、工程技術研究中心等各類平臺，進一步強化光芯片領域科技創新能力。

積極對接國家集成電路戰略布局，爭取一批國家級光芯片項目落地廣東。加強與香港、澳門高等院校、科研院所的協同創新，對接優質科技成果、創新人才和金融資本，加快導入并形成一批技術創新和產業創新成果。加強與京津冀、長三角等國內先進地區企業、機構交流合作，探索開展跨區域協同合作，加強導入優質研發資源和產業資源。建立與國際知名高校、研發機構、技術轉移機構等各類創新主體的交流合作機制，加強技術和人員交流。

《行動方案》在8項重點攻關工程中提出，要推進光芯片關鍵裝備研發制造。力推動刻蝕機、鍵合機、外延生長設備及光矢量參數網絡測試儀等光芯片關鍵裝備研發和國產化替代。落實工業設備更新改造政策，加快光芯片關鍵設備更新升級。

加快開展光芯片關鍵材料研發攻關。大力支持硅光材料、化合物半導體、薄膜鈮酸鋰、氧化鎵薄膜、電光聚合物、柔性基底材料、超表面材料、光學傳感材料、電光拓撲相變材料、光刻膠、石英晶體等光芯片關鍵材料研發制造。

大力支持收發模塊、調制器、可重構光神經網絡推理器、PLC分路器、AWG光柵等光器件及光模塊核心部件的研發和產業化。支持硅光集成、異質集成、磊晶生長和外延工藝、制造工藝等光芯片相關制造工藝研發和持續優化。

同時，《行動方案》還提出，要加強光芯片設計和光芯片制造布局、并提升光芯片封裝水平。

具體而言，支持光芯片設計企業圍繞光通信互連收發芯片、FP/DFB/EML/VCSEL激光芯片、PIN/APD探測芯片、短波紅外有機成像芯片、TOF/FMCW激光雷達芯片、3D視覺感知芯片等領域加強研發和產業化布局。

大力支持技術先進的光芯片IDM、Foundry企業，加大基于硅基、鍺基、化合物半導體、薄膜鈮酸鋰等平臺材料，以及各類材料異質異構集成、多種功能光電融合的光芯片、光模塊及光器件的產線和產能布局。

大力發展片上集成、3D堆疊、光波器件與光芯片的共封裝（CPO）以及光I/O接口等先進封裝技術，緊貼市場需求推動光芯片封裝測試工藝技術升級和能力提升。