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        多次變革誓要拿下!三星HBM3E內存終獲NVIDIA通過

        發布人:旺材芯片 時間:2024-07-21 來源:工程師 發布文章
        據媒體報道,三星電子的HBM3E內存終于成功通過NVIDIA的認證測試,預計從下個季度開始向NVIDIA供貨。


        此前,三星電子為了集中力量發展HBM技術,已對其半導體業務線進行了多次調整,包括成立專門的HBM小組和改組DS(設備解決方案)部門等,誓要拿下NVIDIA這個大客戶。業界預期,三星電子將在7月31日的財務報告會議上宣布這一消息,三星電子的HBM3E內存技術采用自家的4nm制程工藝制造邏輯芯片,目前該工藝的良品率已超過70%。此外,三星電子的HBM3E內存技術通過NVIDIA認證,不僅有助于公司重新奪回HBM技術和市場份額,還可能對DRAM市場供應產生影響。據估計,三星電子可能會從其DRAM產能中調撥約30%專項生產HBM,這將削減約13%的全球DRAM供應量,進一步推高DRAM價格。業界普遍認為,隨著NVIDIA下一代Blackwell架構的預期需求,HBM內存的需求量將大幅增加,三星電子有望成為NVIDIA的重要供應商。


        圖片

        來源:快科技


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        關鍵詞: 三星

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