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        (更新:三星否認(rèn))消息稱三星 HBM 內(nèi)存芯片通過(guò)英偉達(dá)測(cè)試

        發(fā)布人:旺材芯片 時(shí)間:2024-07-04 來(lái)源:工程師 發(fā)布文章
        10:57 更新:韓媒 Hankyung 報(bào)道稱,三星否認(rèn)了這一傳聞,澄清說(shuō)這“并不屬實(shí)”,并且公司正在持續(xù)進(jìn)行質(zhì)量評(píng)估。7 月 4 日消息,韓媒 NewDaily 報(bào)道稱,三星電子通過(guò)了英偉達(dá)的 HBM3e(高帶寬內(nèi)存)質(zhì)量測(cè)試。三星即將開(kāi)始大規(guī)模生產(chǎn) HBM 內(nèi)存芯片,并就供應(yīng)問(wèn)題與英偉達(dá)展開(kāi)談判。

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        ▲ 三星電子 HBM3e 12 層產(chǎn)品三星電子最近收到了來(lái)自英偉達(dá)的 HBM3e 質(zhì)量測(cè)試 PRA(產(chǎn)品準(zhǔn)備批準(zhǔn))通知。這是三星應(yīng)英偉達(dá)要求,派遣負(fù)責(zé) HBM 內(nèi)存開(kāi)發(fā)的高管前往美國(guó)一個(gè)多月后取得的成果。據(jù)此前報(bào)道,今年 3 月,英偉達(dá) CEO 黃仁勛表示已經(jīng)開(kāi)始驗(yàn)證三星的 HBM 內(nèi)存芯片。5 月有消息稱三星 HBM 內(nèi)存芯片因發(fā)熱和功耗問(wèn)題未通過(guò)英偉達(dá)測(cè)試。黃仁勛在 2024 臺(tái)北國(guó)際電腦展上,表示仍在認(rèn)證三星公司的 HBM 內(nèi)存,否認(rèn)三星 HBM 未通過(guò)任何英偉達(dá)測(cè)試。外媒稱,三星迫切需要向英偉達(dá)供應(yīng) HBM,通過(guò)英偉達(dá)測(cè)試意味著從下半年開(kāi)始,HBM 的業(yè)績(jī)可能實(shí)現(xiàn)“飛躍”。受此消息影響,三星電子股價(jià) 7 月 4 日上漲 3.6%,達(dá)到 4 月 12 日以來(lái)的最高點(diǎn);SK 海力士(英偉達(dá) HBM 內(nèi)存的主要供應(yīng)商之一)股價(jià)下跌 4.7%,創(chuàng) 6 月 24 日以來(lái)最大跌幅。

        來(lái)源:IT之家

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