內(nèi)存堆疊高度受限，三星稱16層及以上HBM需采用混合鍵合技術(shù)

6月11日消息，據(jù)韓國媒體Thelec報(bào)道，三星上個月在2024年IEEE上發(fā)表的一篇題為《用于HBM堆疊的D2W（芯粒到芯片）銅鍵合技術(shù)研究》的論文，提到16層及以上的高帶寬內(nèi)存（HBM）必須采用混合鍵合技術(shù)（Hybrid bonding）。

據(jù)了解，混合鍵合是下一代封裝技術(shù)，目的是芯片透過硅穿孔（TSV）或微型銅線進(jìn)行垂直堆疊時，中間沒有凸點(diǎn)。韓媒The Elec指出，由于是直接堆疊，所以混合鍵合也稱為“直接鍵合”。

與目前三星所使用的熱壓焊接（TC）相比，Hybrid bonding可焊接更多芯片堆疊，維持更低的堆疊高度并提高熱排放效率。三星指出，降低高度是采用混合鍵合的主因，內(nèi)存高度限制在775微米內(nèi)，在這高度中須封裝17個芯片（即一個基底芯片和16個核心芯片），因此縮小芯片間的間隙，是內(nèi)存大廠必須克服的問題。

最開始DRAM大廠計(jì)劃盡可能減少核心芯片的厚度，或者減少凸點(diǎn)間距，但除混合鍵合外，這兩種方法都已達(dá)極限。知情人士透露，很難將核心芯片做得比30微米更薄。由于凸點(diǎn)具有體積，通過凸塊連接芯片會有一定局限性。

三星4月使用子公司Semes的混合鍵合設(shè)備制作了16層的HBM樣品，并表示芯片運(yùn)作正常。目前貝思半導(dǎo)體（BESI）和韓華精密機(jī)械（Hanwha Precision Machinery）也在開發(fā)混合鍵合設(shè)備。傳聞三星計(jì)劃在2025年制造出16層堆疊的HBM4樣品，并于2026年量產(chǎn)。

編輯：芯智訊-浪客劍