三星HBM因散熱與功耗問題未通過英偉達認證

5月24日消息，據路透社引述市場人士的說法稱，三星最新的高帶寬內存（HBM）芯片由于散熱和功耗問題，導致其尚未通過GPU大廠英偉達（NVIDIA）的測試認證。

對此，三星在給路透社的聲明中表示，HBM是一款定制化內存產品，需要根據客戶需求進行優化流程。現階段，公司正在通過與客戶的密切合作來優化其產品。不過，三星拒絕對特定客戶發表評論，輝達方面也同樣拒絕評論。

報導指出，HBM于2013年首次推出，其中的DRAM芯片透過垂直堆疊來節省空間，并降低功耗，有助于處理復雜的人工智能應用所產生的大量數據。隨著生成式AI熱潮對GPU的需求激增，對HBM的需求也激增。目前英偉達拿下了全球AI GPU市場超過80%的市占率，所以能打入英偉達的HBM供應鏈就成為供應商未來成長的關鍵。

因此，市場人士表示，自2023年以來，三星一直在努力通過英偉達對HBM3和HBM3E等產品的認證。不過，最近英偉達對三星8層和12層堆疊的HBM3E芯片的認證失敗結果已經于四月之際公布。

對此，市場人士指出，尚不清楚這些問題是否可以輕易解決。然而，未能通過英偉達的要求增加了業界和投資者的擔憂，使得三星可能會進一步落后于競爭對手SK海力士和美光科技。目前SK海力士和美光的HBM產能已經被預定一空，即便是2025年的產能也已經被預定。

編輯：芯智訊-林子