硬剛臺(tái)積電！消息稱英特爾2nm將在2024年面世

Intel最新2nm以下制程節(jié)點(diǎn)新突破

據(jù)臺(tái)灣省經(jīng)濟(jì)日?qǐng)?bào)消息，Intel高級(jí)副總裁兼中國(guó)區(qū)董事長(zhǎng)王瑞近日對(duì)媒體表示，Intel 20A(業(yè)界的2nm制程)和Intel 18A(相當(dāng)于1.8nm制程)已經(jīng)流片(流片：是指像流水線一樣通過(guò)一系列工藝步驟制造芯片，該詞在集成電路設(shè)計(jì)領(lǐng)域，“流片”指的是“試生產(chǎn)”。)。這也是Intel在四年內(nèi)快速發(fā)展五個(gè)制程節(jié)點(diǎn)的目標(biāo)之一，此次流出的信息也備受外界矚目。
Intel近幾年對(duì)于芯片制程工藝的發(fā)展令人嘆為觀止，規(guī)劃從Intel 10制程開始，逐步有序進(jìn)入到Intel 7和Intel 4技術(shù)節(jié)點(diǎn)，然后就是 Intel 3、Intel 20A 和最新的Intel 18A制程。目前Intel已經(jīng)量產(chǎn)的最新技術(shù)是Intel 7制程，Intel 18A制程則預(yù)計(jì)2024年下半年就位。也就是說(shuō)，現(xiàn)在舉例2024年的下半年九月剛好18個(gè)月的時(shí)間，Intel預(yù)計(jì)在這18個(gè)月里攻克數(shù)個(gè)技術(shù)節(jié)點(diǎn)，進(jìn)程之快頗令市場(chǎng)震驚。
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Intel 4 物理參數(shù)：密度是 Intel 7 的 2 倍
不妨來(lái)深入研究一下今年下半年就要上場(chǎng)的Intel 4制程，究竟是何方神圣。不難看出，Intel已經(jīng)開始著手解決之前遺留下來(lái)的問(wèn)題。首先要解決的密度問(wèn)題，到了如此精細(xì)的工藝節(jié)點(diǎn)，不少業(yè)界人士均對(duì)于制程工藝鐵律 “摩爾定律”和“登納德縮放定律”開始起了動(dòng)搖之心。
摩爾定律：集成電路可以容納的晶體管數(shù)目在大約每經(jīng)過(guò)18個(gè)月到24個(gè)月便會(huì)增加一倍
登納德縮放定律：隨著晶體管尺寸的縮小，其功率密度保持不變，從而使芯片功率與芯片面積成正比。
追溯到Intel之前發(fā)布的數(shù)據(jù)中，Intel 4的 Fin Pitch間距下降到30nm，是Intel 7的34nm的88%，而且Contac Gate Poly Pitch 也從原來(lái)的60nm縮減到50nm，Min Metal Pitch(M0)則降低了75%之多，從40nm降到30nm;HP Library Height的高度則減少了近乎一半，從原來(lái)的408h減少到140h，僅為Intel 7 的0.59倍。因此，Intel對(duì)外宣稱，Intel 4的密度是Intel 7的2倍之多，當(dāng)然業(yè)界更喜歡的說(shuō)法是，在獲得相同的芯片性能下，Intel4可以比Intel 7做出來(lái)的芯片尺寸縮小一半。

由于芯片的晶體管是二維結(jié)構(gòu)，所以Intel的單個(gè)單元的計(jì)算方式是：HP Libnrary Height *Contact Gate Poly Pitch;按照如此計(jì)算方式，Intel 7制程是24408nm2，Intel 4制程則是12000nm2，紙面計(jì)算是Intel 7的49%。當(dāng)然芯片內(nèi)部各種電路結(jié)構(gòu)有很多，不是每種結(jié)構(gòu)都能用上述公式計(jì)算，所以Intel 4 的制程節(jié)點(diǎn)據(jù)官方稱，相同單元的大小為Intel 7的77%。
決戰(zhàn)2025，Intel放狠話，將重回領(lǐng)導(dǎo)地位
我們?cè)侔岩曇胺诺礁h(yuǎn)的 Intel 3、20A和18A制程節(jié)點(diǎn)，雖然官方還未透露出具體的性能參數(shù)，但是最新的消息是，Intel 3制程的進(jìn)度也如預(yù)期良好，一掃之前市場(chǎng)傳出的Intel 3制程節(jié)點(diǎn)技術(shù)開發(fā)出現(xiàn)延遲的謠言。
關(guān)于Intel Granite Rapids及Sierra Forest系列處理器，計(jì)劃都將采用自家的Intel 3制程生產(chǎn)，并且先前的消息也支出，Intel 3制程可以進(jìn)一步發(fā)揮 FinFET的優(yōu)勢(shì)和EUV的使用率。對(duì)于芯片密度、面積和功耗等等性能參數(shù)都會(huì)有大幅度的提升。
根據(jù)Intel高級(jí)副總裁暨中國(guó)區(qū)董事長(zhǎng)王銳表示，全球需求晶圓代工的大客戶中，十家有七家都在與Intel積極磋商合作業(yè)務(wù)，晶圓代工(IFS)也與43家潛在客戶進(jìn)行合作和晶圓流片生產(chǎn)。目前從Intel的動(dòng)作來(lái)看，積極擴(kuò)充產(chǎn)能和提升制程工藝節(jié)點(diǎn)技術(shù)，借助著美國(guó)芯片法案的輔助，Intel有信心在2025年，重回芯片制造領(lǐng)導(dǎo)地位。
責(zé)編：我的果果超可愛來(lái)源：電子工程專輯

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