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        碳化硅8英寸雙線圈感應爐,恒普科技重磅發布兩個新爐型

        發布人:先進半導體 時間:2022-07-06 來源:工程師 發布文章

        半導體產業網獲悉:2022年7月,恒普科技同時推出2款8英寸雙線圈感應晶體生長爐,新推出的2款全新爐型,對應SiC感應晶體生長爐在8英寸或更大尺寸上的劣勢,也積極對應行業客戶的使用習慣和經驗延續。

         
        在碳化硅8英寸時代到來之際,隨著坩堝的直徑增長,感應線圈只能加熱坩堝的表面,不同位置的徑向溫度梯度都會隨之增大,而這樣的參數變化不適合大直徑的晶體生長。恒普科技在6月推出了新一代2.0版SIC電阻晶體生長爐,以【軸徑分離】+【新工藝】為核心技術,更優化解決晶體的長大、長快、長厚的行業需求。這就突顯SiC感應晶體生長爐的技術落后,為了對應行業客戶的使用慣性及Know-How的延續,恒普科技推出了雙線圈感應晶體生長爐,并且同時推出石英管(雙線圈外置)和金屬殼(雙線圈內置)兩款全新爐型。
         
        雙線圈的技術并不是新的技術路線,但是雙線圈的相互干擾,特別是在坩堝中的發熱互相干擾,對工藝調整存在很大難度,物質流傳輸及通道沉積都存在難點,為了克服8英寸感應晶體生長爐的問題點,恒普科技解決了雙線圈對石墨坩堝的溫度上下無法分離,做到了【準軸徑分離】,并將技術同時使用在了兩種爐型上,滿足更多客戶的使用習慣。
         
        》》核心技術
         
        ·坩堝區域溫度分離  (相對分離)
        ·采用特殊定制石墨硬氈
        ·雙水平式線圈
        ·獨特的二次發熱體
        ·坩堝與熱場分離
        ·物質流的傳輸導流控制
        注:以上功能不是2款爐型都有。
         
        》》產品&技術特點
         
        一、SiC石英管雙線圈(外置)感應晶體生長爐
        技術特點:
        ·坩堝區域溫度分離
        ·方便原工藝過渡
        ·水平螺旋線圈,提高磁場平衡與雙線圈匹配
         
        二、SiC金屬殼雙線圈(內置)感應晶體生長爐
        技術特點:
        ·爐下方向出料,解決8英寸坩堝上取料的不便
        ·出料時,坩堝與熱場自動分離,提高爐次的重復性
        ·獨特的二次發熱體
        ·優化內置線圈絕緣
        ·橫向多點測溫
        ·采用特殊定制石墨硬氈
        ▲寧波恒普真空科技股份有限公司
        寧波恒普真空科技股份有限公司是一家以材料研究為基礎,以高溫熱場環境控制為技術核心的金屬注射成形(MIM)領域和寬禁帶半導體領域的關鍵設備供應商,主要從事金屬注射成形(MIM)脫脂燒結爐、碳化硅晶體生長爐、碳化硅同質外延設備等熱工裝備的研發、生產和銷售。


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