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        ultra c sic 文章 最新資訊

        功率半導體的革命:SiC與GaN的共舞(二)

        • GaN和SiC將區分使用  2015年,市場上或許就可以穩定采購到功率元件用6英寸SiC基板。并且,屆時GaN類功率元件 ...
        • 關鍵字: 功率  半導體  SiC  GaN  

        山東天岳及韓國SK集團等亞洲企業全面涉足SiC晶圓業務

        •   在SiC及GaN等新一代功率半導體領域,以韓國和中國為代表的亞洲企業的實力不斷增強。不僅是元件及模塊,零部件領域也顯著呈現出這種趨勢。在2013年9月29日~10月4日舉行的SiC功率半導體國際學會“ICSCRM2013”(日本宮崎縣PhoenixSeagaiaResort)上,最近開始擴大SiC晶圓業務的亞洲企業紛紛出展。   山東天岳先進材料科技有限公司(SICC)展出了將從2014年4月開始對外銷售的直徑2~4英寸(50mm~100mm)的SiC裸晶圓。該公司當前的目標
        • 關鍵字: SiC  晶圓  

        PV逆變器應用升溫,推動SiC功率元件發展

        • 碳化硅(SiC)功率元件正快速在太陽能(PV)逆變器應用市場攻城掠地。SiC功率元件具高頻和耐高溫特性,不僅可較傳...
        • 關鍵字: PV  逆變器  SiC  功率元件  

        SiC和GaN是“下一代”還是“當代”?

        •   SiC企業不斷增多,成本不斷下降”一文中,作者根津在開篇寫道:“下一代功率半導體已經不再特別。”這是因為,隨著使用SiC和GaN等“下一代功率半導體”的大量發布,在學會和展會的舞臺上,這種功率半導體逐漸帶上了“當代”的色彩。   那么,在使用功率半導體的制造現場,情況又是如何呢?雖然使用SiC和GaN的產品目前尚處開始增加的階段,仍屬于“下一代”,但在功率半導體使用者的心目中,此類產品已逐漸由
        • 關鍵字: SiC  GaN  

        GT推出碳化硅爐新產品線

        • GT Advanced Technologies(納斯達克:GTAT)日前推出其新型SiClone(TM) 100碳化硅(SiC)生產爐。 SiClone100采用升華生長技術,能生產出高品質的半導體SiC晶體塊,可最終制成最大直徑為100毫米的芯片。 在其初步階段,SiClone100主要針對本身已經擁有熱場、合格的晶體塊生產配方及正準備開始量產的客戶。
        • 關鍵字: GT  SiC  晶體  

        未來十年GaN和SiC功率半導體市場將以18%的速度穩增

        •   在未來十年,受電源、光伏(PV)逆變器以及工業電動機的需求驅動,新興的碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)功率半導體市場將以18%的驚人速度穩步增長。   據有關報告稱,至2022年SiC和GaN功率半導體的全球銷售額將從2012年的1.43億美元增加到28億美元。據預測,未來十年這一市場的銷售額將實現兩位數的年增長率。   SiC肖特基二極管已存在十多年,SiC金氧半場效晶體管(MOSFET)、結晶性場效應晶體管(JFET)和雙極型晶體管(BJT)在最近幾年出現。GaN功率半導體則剛剛進入市場。G
        • 關鍵字: GaN  半導體  SiC  

        未來十年GaN和SiC功率半導體市場將以18%的速度穩增

        •   在未來十年,受電源、光伏(PV)逆變器以及工業電動機的需求驅動,新興的碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)功率半導體市場將以18%的驚人速度穩步增長。   據有關報告稱,至2022年SiC和GaN功率半導體的全球銷售額將從2012年的1.43億美元增加到28億美元。據預測,未來十年這一市場的銷售額將實現兩位數的年增長率。   SiC肖特基二極管已存在十多年,SiC金氧半場效晶體管(MOSFET)、結晶性場效應晶體管(JFET)和雙極型晶體管(BJT)在最近幾年出現。GaN功率半導體則剛剛進入市場。G
        • 關鍵字: GaN  半導體  SiC  

        SiC集成技術在生物電信號采集設計

        • SiC集成技術在生物電信號采集設計, 人體信息監控是一個新興的領域,人們設想開發無線腦電圖(EEG)監控設備來診斷癲癇病人,可穿戴的無線EEG能夠極大地改善病人的活動空間,并最終通過因特網實現家庭監護。這樣的無線EEG系統已經有了,但如何將他們的體
        • 關鍵字: SiC  集成技術  生物電信號采集    

        Microsemi公司推出工業級碳化硅功率模塊系列產品

        •   致力于提供幫助功率管理、安全、可靠與高性能半導體技術產品的領先供應商美高森美公司(Microsemi Corporation,紐約納斯達克交易所代號:MSCC)日前宣布,推出新一代工業溫度碳化硅(SiC)標準功率模塊。新產品非常適用于要求高性能和高可靠性的大功率開關電源、馬達驅動器、不間斷電源、太陽能逆變器、石油勘探和其他高功率高電壓工業應用。該功率模塊系列還擴展了溫度范圍,以滿足下一代功率轉換系統對于功率密度、工作頻率和效率的更高要求。   SiC技術比硅材料提供更高的擊穿電場強度和更好的熱傳導性
        • 關鍵字: Microsemi  SiC  

        第三代半導體材料雙雄并立 難分高下

        •   進入21世紀以來,隨著摩爾定律的失效大限日益臨近,尋找半導體硅材料替代品的任務變得非常緊迫。在多位選手輪番登場后,有兩位脫穎而出,它們就是氮化鎵(GaN)和碳化硅(SiC)——并稱為第三代半導體材料的雙雄。   SiC早在1842年就被發現了,但直到1955年,才有生長高品質碳化硅的方法出現;到了1987年,商業化生產的SiC進入市場;進入21世紀后,SiC的商業應用才算全面鋪開。相對于Si,SiC的優點很多:有10倍的電場強度,高3倍的熱導率,寬3倍禁帶寬度,高一倍的飽和漂
        • 關鍵字: ROHM  SiC  半導體  

        飛兆發布碳化硅(SiC)技術解決方案

        • 為努力實現更高的功率密度并滿足嚴格的效率法規要求以及系統正常運行時間要求,工業和功率電子設計人員在進行設計時面臨著不斷降低功率損耗和提高可靠性的難題。 然而,在可再生能源、工業電機驅動器、高密度電源、汽車以及井下作業等領域,要想增強這些關鍵設計性能,設計的復雜程度就會提高,同時還會導致總體系統成本提高。
        • 關鍵字: 飛兆  SiC  晶體管  

        羅姆在“功率元器件”的發展與“電源IC技術”的變革

        • 為了防止地球溫室化,減少CO2排放量已成為人類的課題。為了減少CO2排放量,節電與提高電壓的轉換效率是當務之急。在這種背景下,羅姆通過用于LED照明的技術貢獻于節電,通過功率元器件提升轉換效率。
        • 關鍵字: 羅姆  變壓器  SiC  

        開關電源轉換器高性能碳化硅(SiC)功率半導體器件

        • 進入21世紀,開關電源技術將會有更大的發展,這需要我國電力電子、電源、通信、器件、材料等工業和學術各界努...
        • 關鍵字: 開關電源  轉換器  碳化硅(SiC)  

        Molex發布Brad? Ultra-Lock?(M12) EX連接系統

        • 全球領先的全套互連產品供應商Molex公司推出Brad? Ultra-Lock? (M12) EX連接系統,為工藝自動化安裝廠商提供適用于有爆炸風險的危險區域的儀表和控制設備的安全快速連接接口。Ultra-Lock (M12) EX采用Molex Brad Ultra-Lock連接器系列的專利按下鎖定(push-to-lock)技術,提供簡單且無需倚賴于操作人員的穩固連接。
        • 關鍵字: Molex  連接器  Ultra-Lock  

        英飛凌推出新的CoolSiCTM 1200V SiC JFET系列

        • 在“2012年歐洲電力電子、智能運動、電能品質國際研討會與展覽會”上,英飛凌科技股份公司(FSE: IFX / OTCQX: IFNNY)推出新的CoolSiCTM 1200V SiC JFET 系列,該產品系列增強了英飛凌在SiC(碳化硅)產品市場的領先地位。這個革命性的新產品系列,立足于英飛凌在SiC技術開發以及高質量、大批量生產方面十多年的豐富經驗。
        • 關鍵字: 英飛凌  SiC  JFET  
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        ultra c sic介紹

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