spi nor flash 文章最新資訊

盤點(diǎn)+分析：Flash原廠2016年財(cái)報(bào)

2016年Flash原廠加速向3D NAND切換，除了研發(fā)成本增加，切換過程中也很容易出現(xiàn)產(chǎn)能損失，同時(shí)還需要更新舊設(shè)備，增加新設(shè)備，以及擴(kuò)大生產(chǎn)空間，從而導(dǎo)致Flash原廠NAND Flash產(chǎn)出減少，以及投資成本增加。
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I2C串行總線組成及其工作原理

　　采用串行總線技術(shù)可以使系統(tǒng)的硬件設(shè)計(jì)大大簡(jiǎn)化，系統(tǒng)的體積減小，可靠性提高，同時(shí)系統(tǒng)更容易更改和擴(kuò)充　　常用的串行擴(kuò)展總線有：I2c總線，單總線，SPI總線，以及microwire、Plus等等　　I2c總線只有兩根雙向信號(hào)線，一根是數(shù)據(jù)線SDA，另一根是時(shí)鐘線SCL　　　　I2c總線通過上拉電阻接正電源。因此I2C總線的設(shè)備都要接上拉電阻　　當(dāng)總線閑置的時(shí)候，兩根線均為高電平，連接到總線上的任何一個(gè)器件輸出的低電平，都將使得總線得到信號(hào)變低，及各個(gè)器件的SDA和
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大陸韓國(guó)擴(kuò)產(chǎn)競(jìng)賽 Flash后年產(chǎn)能恐過剩

　　儲(chǔ)存型快閃存儲(chǔ)(NANDFlash)軍備競(jìng)賽再起，南韓存儲(chǔ)大廠SK海力士決定再投資3.16兆韓元(約27億美元)，在南韓及大陸兩地增加存儲(chǔ)產(chǎn)能;紫光集團(tuán)旗下的長(zhǎng)江存儲(chǔ)武漢廠，也預(yù)定本月底正式動(dòng)土，都為2018年供給過于求再現(xiàn)，埋下隱憂。　　目前各市調(diào)機(jī)構(gòu)均看好明年NANDFlash仍處于供不應(yīng)求局面，但南韓存儲(chǔ)大廠SK海力士上周宣布將在南韓蓋一座全新快閃存儲(chǔ)廠，在中國(guó)大陸也將加碼投資9,500億韓元，擴(kuò)充產(chǎn)能，希望市占率能趕上三星，但也為NANDFlash市場(chǎng)投下新變數(shù)。　　稍早三星和美光也都
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Linux SPI總線和設(shè)備驅(qū)動(dòng)架構(gòu)之一：系統(tǒng)概述

　　SPI是"Serial Peripheral Interface" 的縮寫，是一種四線制的同步串行通信接口，用來連接微控制器、傳感器、存儲(chǔ)設(shè)備，SPI設(shè)備分為主設(shè)備和從設(shè)備兩種，用于通信和控制的四根線分別是：　　CS 片選信號(hào)　　SCK 時(shí)鐘信號(hào)　　MISO 主設(shè)備的數(shù)據(jù)輸入、從設(shè)備的數(shù)據(jù)輸出腳　　MOSI 主設(shè)備的數(shù)據(jù)輸出、從設(shè)備的數(shù)據(jù)輸入腳　　因?yàn)樵诖蠖鄶?shù)情況下，CPU或SOC一側(cè)通常都是工作在主設(shè)備模式，所
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為滿足NAND Flash市場(chǎng)需求 SK海力士建新廠

　　SK海力士宣布將在忠清北道清州市新建一個(gè)存儲(chǔ)器晶圓廠，滿足NAND Flash市場(chǎng)增加的需求。新工廠將坐落在清州科技園。SK海力士下個(gè)月開始設(shè)計(jì)外部的建設(shè)，2017年8月到2019年6月期間完成潔凈室的裝備，總投資達(dá)2.2兆韓元(18.4億美金)。　　SK海力士表示，公司決定額外的新建一座Fab工廠，主要是為了確保能夠滿足NAND Flash市場(chǎng)需求的增長(zhǎng)，以及引導(dǎo)向3D NAND發(fā)展。加之，考慮到通常建立一個(gè)半導(dǎo)體工廠需要超過2年，所以提前做好準(zhǔn)備。　　SK海力士曾在20
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Flash數(shù)據(jù)為何不翼而飛

　　芯片貼板后跑不起來?Flash里面的數(shù)據(jù)在使用過程中莫名改變或不翼而飛?程序丟失可能無法正常運(yùn)行，從而造成整個(gè)系統(tǒng)崩潰，下面我們來看看是什么原因讓數(shù)據(jù)異常變化。　　　　1、用戶代碼對(duì)Flash的誤操作不當(dāng)引起程序丟失或被錯(cuò)誤改寫　　例如，在有對(duì)Flash寫入或擦除操作的代碼中，如果用戶誤調(diào)用了寫入或擦除函數(shù)或者由于程序跑飛而恰好執(zhí)行了Flash擦除或?qū)懭牒瘮?shù)，這自然會(huì)導(dǎo)致數(shù)據(jù)丟失或改變。針對(duì)以上情況，可以在程序中設(shè)置多個(gè)允許操作的變量，當(dāng)執(zhí)行寫入或擦除操作時(shí)，對(duì)
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NAND Flash供不應(yīng)求，第三季品牌商營(yíng)收大幅季成長(zhǎng)19.6%

　　TrendForce集邦科技旗下存儲(chǔ)研究品牌DRAMeXchange(全球半導(dǎo)體觀察)最新調(diào)查顯示，受惠于智能手機(jī)需求強(qiáng)勁，及供給端2D-NAND 轉(zhuǎn)進(jìn)3D-NAND 所導(dǎo)致的整體產(chǎn)出減少，第三季NAND Flash開始漲價(jià)，使得NAND Flash原廠營(yíng)收季成長(zhǎng)19.6%，營(yíng)業(yè)利益率也較上季大幅進(jìn)步。　　DRAMeXchange研究協(xié)理?xiàng)钗牡帽硎荆谒募靖黜?xiàng)終端設(shè)備出貨進(jìn)入今年最高峰，預(yù)估整體NAND Flash供不應(yīng)求的市況將更為顯著，各項(xiàng)NAND Flash產(chǎn)品的合約價(jià)漲幅將更高，廠商的營(yíng)收
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Flash缺貨，存儲(chǔ)器成為三星的搖錢樹

　　NAND Flash缺貨，加上SSD可能是新款電子產(chǎn)品的重要選擇，缺貨現(xiàn)象可能延續(xù)到2017Q1。(法新社) 　　根據(jù)DIGITIMES的報(bào)導(dǎo)，NAND Flash缺貨，加上SSD可能是新款電子產(chǎn)品的重要選擇，缺貨現(xiàn)象可能延續(xù)到2017Q1以后。估計(jì)2017年DRAM供應(yīng)量成長(zhǎng)率是15%，比2016年的32%低很多，而Flash更是從67%暴跌至35%。更值得注意的是，2016年投資金額為10兆韓元的記憶體產(chǎn)業(yè)，2017年將增加至13兆韓元，其中4兆韓元用于DRAM，F(xiàn)lash則約9兆韓元，遠(yuǎn)不如原
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中國(guó)存儲(chǔ)三大勢(shì)力成形各自進(jìn)擊

　　早前報(bào)導(dǎo)，中國(guó)存儲(chǔ)三大勢(shì)力成形，目前長(zhǎng)江存儲(chǔ)、晉華集成已積極展開建廠、布建產(chǎn)能，就差合肥團(tuán)隊(duì)還未有相關(guān)消息，現(xiàn)在相關(guān)招募信息與環(huán)評(píng)結(jié)果曝光，也透露更多發(fā)展信息。　　中國(guó)發(fā)展存儲(chǔ)成三路進(jìn)擊，除了由武漢新芯與紫光合體組成的長(zhǎng)江存儲(chǔ)、聯(lián)電相助的福建晉華集成，第三勢(shì)力在兆易創(chuàng)新與前中芯CEO王寧國(guó)主導(dǎo)的合肥長(zhǎng)鑫合作下也蠢蠢欲動(dòng)，現(xiàn)在從兆易創(chuàng)新的招募消息與合肥長(zhǎng)鑫的環(huán)評(píng)公告，也可一窺其在合肥的布局。　　合肥將發(fā)展存儲(chǔ)的消息已不是新聞，但原先傳出與合肥市政府合作的爾必達(dá)前社長(zhǎng)坂本幸雄，目前得到消息已淡出合
關(guān)鍵字：長(zhǎng)江存儲(chǔ) Flash

基于TMS320C6678的多核DSP加載模式研究

摘要：德州儀器TI推出的八核DSP芯片TMS320C6678是目前基于Keystone架構(gòu)的最高性能的DSP器件，是市場(chǎng)上應(yīng)用廣泛的C6455高端處理平臺(tái)升級(jí)的理想選擇。本文主要研究了C6678 DSP程序的各種單核加栽和多核加載的幾種模式
關(guān)鍵字： C6678 DSP flash boot 多核boot I2C引導(dǎo) SRIO 網(wǎng)絡(luò)

基于ARM和以太網(wǎng)的遠(yuǎn)程電參數(shù)測(cè)量技術(shù)研究

摘要針對(duì)目前各地用電及收費(fèi)管理不便的問題，文中研究了基于ARM和以太網(wǎng)的遠(yuǎn)程電參數(shù)測(cè)量技術(shù)。該技術(shù)主要用于對(duì)電參數(shù)的采集和存貯。主控制器采用32位的ARM微處理器STM32F103V，接口硬件設(shè)計(jì)配合上位機(jī)顯示電參數(shù)
關(guān)鍵字： ARM 以太網(wǎng) 電參數(shù) SPI LabVIEW DataSocket

FAT文件系統(tǒng)在NAND Flash存儲(chǔ)器上的改進(jìn)設(shè)計(jì)

嵌入式系統(tǒng)的大量數(shù)據(jù)都存儲(chǔ)在其F1ash芯片上。根據(jù)Flash器件的固有特性，構(gòu)建一個(gè)適合管理NAND Flash存儲(chǔ)器的FAT文件系統(tǒng)，并闡述具體的設(shè)計(jì)思想。
關(guān)鍵字： Flash NAND FAT 文件系統(tǒng)

便攜式數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)中ADC的選用指南

真實(shí)世界的應(yīng)用需要真實(shí)世界的物理連接，一般來說，這意味著模擬信號(hào)要在系統(tǒng)內(nèi)的某處被數(shù)字化處理，以便于微處理器、ASIC或FPGA采集數(shù)據(jù)并做出決策。基本選用標(biāo)準(zhǔn)當(dāng)選擇一款模擬數(shù)字轉(zhuǎn)換器(ADC)時(shí)，大多數(shù)設(shè)計(jì)師似
關(guān)鍵字：模數(shù)轉(zhuǎn)換器 SPI ASIC ADC

TMS320C6727 DSP兩種引導(dǎo)方式設(shè)計(jì)

摘要：文中詳細(xì)描述了TMS320C6727DSP兩種引導(dǎo)方式，并給出了在工程應(yīng)用的實(shí)現(xiàn)方法。這兩種方法都避免了在設(shè)計(jì)過程中使用外部程序存儲(chǔ)芯片，節(jié)約了布線空間和設(shè)計(jì)成本。在引導(dǎo)過程中，主機(jī)能夠驗(yàn)證寫入DSP芯片的數(shù)據(jù)，
關(guān)鍵字： DSP HPI SPI 引導(dǎo)

大容量NAND Flash TC58DVG02A1FT00在嵌入式系統(tǒng)中的應(yīng)用

隨著嵌入式系統(tǒng)產(chǎn)品的發(fā)展，對(duì)存儲(chǔ)設(shè)備的要求也日益增強(qiáng)。文章以東芝的NAND E2PROM器件TC58DVG02A1F00為例，闡述了NAND Flash的基本結(jié)構(gòu)和使用方法
關(guān)鍵字： Flash NAND 02A 1FT