SK海力士宣布業(yè)內(nèi)首款4D閃存

　　正在美舉辦的Flash Memory Summit首日已經(jīng)結(jié)束，亮點頗多。

　　Keynote環(huán)節(jié)，倒數(shù)第二個出場(排在我國的長江存儲前)的是SK海力士，它在NAND市場的全球份額排名第五，DRAM份額全球第二。

　　首先是3D NAND的技術(shù)路線選擇，SK海力士稱，CTF(Charge Trap Flash，電荷捕獲型)比Floating Gate(浮柵型)存儲單元面積更小、速度更快、更耐用(P/E次數(shù)多)。

　　其實三星從2013年的第一代V-NAND 3D閃存就開始使用CTF了，東芝/西數(shù)(閃迪)的BiCS亦是如此。當(dāng)然，美光/Intel還是堅持浮柵，不過這倒無所謂，畢竟他們有更厲害的3D Xpoint(基于相變內(nèi)存，還一說是ReRAM磁阻式內(nèi)存)。

　　接下來，SK海力士宣布推出了全球首款4D閃存。

　　從現(xiàn)場給出的技術(shù)演示來看，4D閃存和此前長江存儲的Xtacking十分相似，只不過外圍電路(PUC，Peri.Circuits)在存儲單元下方，好處有三點，一是芯片面積更小、二是處理工時縮短、三是成本降低。

　　參數(shù)方面，號稱業(yè)內(nèi)第一款4D閃存是V5 512Gb TLC，采用96層堆疊、I/O接口速度1.2Gbps(ONFi 4.1標(biāo)準(zhǔn))、面積13平方毫米，今年第四季度出樣。

　　BGA封裝的可以做到1Tb(128GB)，模組最大2TB，塞到2.5寸的U.2中更是可以做到64TB，2019年上半年出樣。

　　性能方面，V5 4D芯片面積相較于V4 3D減小20%、讀速提升30%、寫速提升25%。

　　另外，V5 4D也規(guī)劃了QLC閃存，通過96層堆疊，單Die最小1Tb，明年下半年出樣。

　　展望

　　SK海力士內(nèi)部的4D閃存已經(jīng)推進(jìn)到了128層堆疊，很快可以做到單芯片512GB，2025年做到單芯片8TB。目前，SK海力士的3D NAND是72層堆疊，單芯片最大512Gb(64GB)，首款企業(yè)級產(chǎn)品PE4010已于今年6月份出貨給微軟Azure服務(wù)器。