電子設計自動化(EDA)行業的增長勢頭強勁,為半導體和電子系統設計行業實現更大的成功做出了重要貢獻。越來越多的系統公司開始自己設計芯片和電子產品,他們的創新步伐會受到哪些主要 EDA 趨勢的影響?Trend:電子產品的設計正在朝著特定領域發展。特定領域的設計對 EDA 工具開發人員和用戶意味著什么?答:對于產品開發人員來說,只考慮芯片或電路板的傳統技術指標已經不夠。他們現在還必須要考慮產品集成和使用的環境。促使產品開發團隊考慮環境設計的因素包括系統越來越高的復雜性、更高的性能需求與成本的取舍,以及不斷壓縮
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是德科技 EDA
IT之家 8 月 31 日消息,DigiTimes 稱,目前英偉達正加緊與臺積電在高端芯片上的合作。消息人士稱,英偉達正考慮 HPC 芯片采用臺積電的 SoIC 技術。隨著摩爾定律即將面臨物理極限,囊括小芯片(Chiplet)、異質整合的先進封裝技術,在高效運算(HPC)芯片領域的話題火熱程度,從 2022 年 8 月下旬的 Hot Chips 大會一路延續至今...據公開資料,SOIC(Small Outline Integrated Circuit Package)即小外形集成電路封裝,指外
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英特爾 臺積電 EDA
IT之家 8 月 30 日消息,據中國臺灣經濟日報,臺積電總裁魏哲家今日現身 2022 臺積電技術論壇并提到,臺積電 3 納米思考良久維持 FF 架構并即將量產,至于 2 納米也可和在座各位保證 2025 年量產會是最領先技術。據悉,臺積電 2 納米技術和 3 納米技術相比,功效大幅往前推進。在相同功耗下,速度增快 10~15%,或在相同速度下,功耗降低 25~30%。值得一提的是,聯發科全球副總裁兼無線通信事業部總經理徐敬全 JC Hsu 在演講期間展示合作簡報,魏哲家眼尖發現“效能僅提升 2
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EDA 3nm 臺積電
1984年,美國公司推出全球第一款FPGA產品。FPGA芯片的技術門檻非常高,一直處于美國公司的壟斷之下。處于領跑地位的Xilinx在該領域深耕了30多年,積累了豐富的技術和經驗,建立了完整的FPGA生態環境,與Intel、Lattice、Microchip等公司一起形成了堅實的壁壘,具有絕對的技術優勢。 面對技術上的困難和挑戰,電子產品世界采訪到了作為中科院唯一一支從事FPGA技術產品化與產業化的團隊——中科億海微電子科技(蘇州)有限公司(簡稱:中科億海微)。中科億海微的營銷副總裁趙軍輝先生對于目
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EDA FPGA 中科億海微
近年來,隨著大規模集成電路制造工藝發展速度減緩,相對于線性提升的芯片規模,芯片的制造成本呈現指數級上升,下圖可以很清晰地看到兩種趨勢變化。圖1 芯片晶體管規模與制造成本提升趨勢 (數據來源:美國DARPA)?這些數字表明,我們正在為越來越復雜的芯片付出得越來越多。但是從1990年代到2000年代的經驗好像并不是這樣:每一代電腦手機價格漲得并不多,但是性能總是有大幅增長,甚至性價比都是在提高的,更好的電子產品甚至越來越便宜。為什么現在我們的感覺變化了?這里有兩方面的原因:第一,過去很長時間里消費電
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202209 芯華章 EDA
美國計劃禁止用于Gate-all-around GAA新技術制造芯片所必需的EDA軟件出口到中國大陸,GAA(環繞柵極)是GAA FET,那么,什么是GAA FET(環繞柵極場效應晶體管)?數字芯片最基本單元是MOSFET,其工藝發展到7nm、3nm、2nm,這個半導體工藝尺寸是MOSFET柵極(溝槽)寬度。早期MOSFET使用平面結構,溝槽寬度越小,漏極到源極距離越小,載流子流動跨越溝道導通時間減小,工作頻率越高;同時,溝道完全開通所加柵極電壓越低,開關損耗越低;而且,溝道導通電阻降低,導通損
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GAAFET EDA
止向中國出口「用于制造14nm以下芯片的設備」。大家可能覺得這條政策主要影響的是芯片生產環節。也就是國內那幾個比較大的晶圓廠買不到更新更先進的設備了。然而實際上這條政策影響的是國產半導體設備公司。這里有一個非常重要的冷知識。晶圓廠里的設備國產化水平不會達到100%,而是會達到一個國產與外國貨55開的水平。這是為什么呢?因為國產設備公司需要去了解外國設備公司最先進的設備是什么樣子的。只有了解了對方的先進技術,作為追趕者的我們才能更好地去模仿去追趕。這是這個行業當下最真實的寫照。所以,美國斷掉「用于制造14n
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EDA
美國試圖鎖死中國下一代芯片技術注意,這里說的是下一代,是下一代!與現在的EDA軟件無關,這項EDA軟件的禁令只是針對GAA架構制程,這項工藝目前只有三星利用在了3nm的芯片生產上,而不出意外的話,臺積電也會在今年量產同代的芯。中國目前的最先進的工藝來自中芯國際,中芯在前不久被發現“偷偷”用DUV光刻機實現了7nm工藝的量產。但即使進步如此神速,中芯國際和三星、臺積電之間,至少還隔著一個7nm+(EUV版的7nm工藝)、5nm兩代,對中芯來說,GAA至少是下下代才用到的東西,而目前中芯連7nm+的可能性都看
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EDA GAAFET
據財聯社報道,美國商務部周五發布一項臨時最終規定,對設計GAAFET(全柵場效應晶體管)結構集成電路所必須的ECAD軟件;金剛石和氧化鎵為代表的超寬禁帶半導體材料;燃氣渦輪發動機使用的壓力增益燃燒(PGC)等四項技術實施新的出口管制。據悉,GAAFET晶體管技術是相對于FinFET晶體管更先進的技術,FinFET技術最多能做到3nm,而GAAFET可以實現2nm。氧化鎵(Ga2O3)、金剛石則是被普遍關注的第四代半導體材料。圖片來源:攝圖網 501123322EDA軟件限制的影響力有多大?強如三星,其6月
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EDA 第四代半導體材料
來源:金融界 新材料|產業鏈限制再加碼,關注半導體材料國產化 近期美國對半導體產業鏈限制持續加碼,凸顯半導體國產化急迫性,短期看,在自主可控邏輯下,供應體系中的材料龍頭企業有望充分受益,加速其在國內晶圓廠的產品導入速度,提升市占率。中長期看,半導體材料需求持續增長,我們看好產業內技術實力領先,存在放量邏輯,有望充分受益國產化的龍頭公司。 ▍美國對芯片產業鏈限制再加碼,涉及設計軟件及超寬禁帶半導體材料。 根據聯邦公報,8月12日,美國商務部工業和安全局(BIS)發布一項臨時最終規定,對4項“新興和基
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GAAFET EDA 市場分析
芯片法案之后,美國再次在先進制程芯片領域揮出重拳。這一次,與“斷供涉及先進半導體的EDA”有關。更確切地說,此番美國商務部針對先進半導體和燃氣渦輪發動機生產技術發布了新禁令。其中涉及半導體的出口管制包括:GAAFET結構集成電路所必需的EDA軟件金剛石和氧化鎵為代表的超寬禁帶半導體材料禁令將于8月15日正式生效。雖然EDA之前有個限定詞“GAAFET”,但“芯片之母”這個關鍵詞一出,還是立即在社交媒體上引發熱議。不少網友表示,雖然這次沒有點名中國,但此舉很明顯是為了限制與美國存在競爭關系的國家,先進制程半
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EDA
本周五,美國商務部BIS (Bureau of Industry and Security) 發布一項暫行最終規定,主要是對4項技術的出口做出控制:包括寬禁帶半導體相關材料氧化鎵 (Ga2O3) 和金剛石;特別針對GAAFET晶體管結構的ECAD (Electronic Computer-Aided Design) 軟件;燃氣渦輪發動機使用的增壓燃燒 (Pressure Gain Combustion) 技術。規定生效時間為8
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EDA
美國商務部上周五發布最終規定,對設計GAAFET(全柵場效應晶體管)結構集成電路所必須的EDA軟件等技術實施新的出口管制。相關禁令2022年8月15日正式生效。這是自美國“芯片法案”落地,美國對中國芯片產業的又一次打壓。有關分析認為,盡管美國在芯片領域的一系列組合拳對中國芯片的短期發展構成了一定影響,但也倒逼國內芯片產業加速迭代和自立,從而全盤謀劃,全面破局。步步緊逼的產業鏈阻擊“美國EDA斷供就是想讓中國內地沒工具設計3nm及以下的高端芯片,設計卡死在5nm,制造卡死在7nm。然后拉開中美在高速運算、A
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EDA
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EDA
8月12日,美國商務部工業和安全局(BIS)發布一項臨時最終規則。該規則中,對四項新興和基礎技術確立了新的出口管制,管制原因是國家安全。臨終最終規則(interim final rulus,IFR),指的是由聯邦機構發布的規則,在發布后生效,無需首先就規則的實質內容征求公眾意見。IFR在緊急情況和其他需要時使用,可以幫助加快監管流程,以快速實施具有約束力的監管要求。后續會根據效果決定是否進行調整,有一定期限性。一位資深律師的分析是,這個臨時最終規則可以被視為是對中國的暫行條例。“這四項技術中,最讓外界關注
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