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Nexperia與三菱電機就SiC MOSFET分立產品達成戰略合作伙伴關系

Nexperia近日宣布與三菱電機公司建立戰略合作伙伴關系，共同開發碳化硅(SiC) MOSFET分立產品。Nexperia和三菱電機都是各自行業領域的領軍企業，雙方聯手開發，將促進SiC寬禁帶半導體的能效和性能提升至新高度，同時滿足對高效分立式功率半導體快速增長的需求。三菱電機的功率半導體產品有助于客戶在汽車、家用電器、工業設備和牽引電機等眾多領域實現大幅節能。該公司提供的高性能SiC模塊產品性能可靠，在業界享有盛譽。日本備受贊譽的高速新干線列車采用了這些模塊，并以出色的效率、安全性和可靠性聞名遐邇。N
關鍵字： Nexperia 三菱電機 SiC MOSFET

三菱電機和Nexperia合作開發SiC功率半導體

三菱電機將與Nexperia（安世）合力開發SiC芯片，通過SiC功率模塊來積累相關技術經驗。東京--(美國商業資訊)--三菱電機株式會社(Mitsubishi Electric Corporation，TOKYO: 6503)今天宣布，將與Nexperia B.V.建立戰略合作伙伴關系，共同開發面向電力電子市場的碳化硅(SiC)功率半導體。三菱電機將利用其寬帶隙半導體技術開發并提供SiC MOSFET芯片，Nexperia將使用這些芯片開發SiC分離器件。電動汽車市場正在全球范圍內擴大，并有助于推動Si
關鍵字：三菱電機安世 SiC

電裝5億美元入股這家SiC公司

11月6日，株式會社電裝（Denso）宣布對Coherent的子公司SiC襯底制造商Silicon Carbide LLC注資5億美元，入股后，電裝將獲得該公司12.5%的股權。電裝本次投資將確保6英寸和8英寸SiC襯底的長期穩定采購。關于本次投資，市場方面早有相關消息傳出。今年9月底有報道稱，電裝、三菱電機等多家企業對投資Coherent的SiC業務感興趣，并且已經就收購Coherent的SiC業務少數股權進行過討論。分拆SiC業務能夠給投資者提供更多投資機會，同時也是對SiC發展前景的看好，Coher
關鍵字：電裝 SiC

應對汽車檢測認證機構測試需求,泰克提供SiC性能評估整體測試解決方案

_____近年來，在國家“雙碳”戰略指引下，汽車行業油電切換提速，截至2022年新能源汽車滲透率已經超過25%。汽車電動化浪潮中，半導體增量主要來自于功率半導體，根據 Strategy Analytics，功率半導體在汽車半導體中的占比從傳統燃油車的21%提升至純電動車的55%，躍升為占比最大的半導體器件。同其他車用電子零部件一樣，車規級功率半導體也須通過AEC-Q100認證規范所涵蓋的7大類別41項測試要求。對于傳統的硅基半導體器件，業界已經建立了一套成熟有效的測試評估流程。而對于近兩年被普遍應用于開發
關鍵字：汽車檢測認證泰克 SiC

通過碳化硅(SiC)增強電池儲能系統

電池可以用來儲存太陽能和風能等可再生能源在高峰時段產生的能量，這樣當環境條件不太有利于發電時，就可以利用這些儲存的能量。本文回顧了住宅和商用電池儲能系統 (BESS) 的拓撲結構，然后介紹了安森美(onsemi) 的EliteSiC 方案，可作為硅MOSFET 或IGBT開關的替代方案，改善 BESS 的性能。BESS的優勢最常用的儲能方法有四種，分別是電化學儲能、化學儲能、熱儲能和機械儲能。鋰離子電池是家喻戶曉的電化學儲能系統，具有高功率密度、高效率、外形緊湊、模塊化等特點。此外，鋰離子電池技術成熟，因
關鍵字： 202310 碳化硅 SiC 電池儲能系統

良率超 50%，全球第三大硅晶圓廠環球晶明年試產 8 英寸 SiC

IT之家 10 月 27 日消息，全球第三大硅晶圓生產商環球晶圓控股（GlobalWafers）董事長徐秀蘭表示，公司克服了量產碳化硅（SiC）晶圓的重重技術難關，已經將 SiC 晶圓推進至 8 英寸，和國際大廠保持同步。徐秀蘭預估將會在 2024 年第 4 季度開始小批量出貨 8 英寸 SiC 產品，2025 年大幅增長，到 2026 年占比超過 6 英寸晶圓。環球晶圓表示目前較好地控制了 8 英寸晶圓良率，已經超過 50%，而且有進一步改善的空間，明年上半年開始交付相關樣品。IT之家從報道中
關鍵字：晶圓廠 SiC

2024年全球超過一半的SiC晶圓可能來自中國

2023年，中國化合物半導體產業實現歷史性突破。在碳化硅（SiC）晶體生長領域，尤其得到國際IDM廠商的認可，中國廠商產能大幅提升。此前，來自中國的SiC材料僅占全球市場的5%。然而，到2024年，預計將搶占可觀的市場份額。該領域的主要中國公司，包括SICC、TankeBlue和三安，幾乎都將產能擴大了千倍。我國大約有四到五家從事SiC晶體生長的龍頭企業，為測算我國SiC晶體生長產能提供了依據。目前，他們的月產能合計約為60,000單位。隨著各公司積極增產，預計到2024年月產能將達到12萬單位
關鍵字： SiC 碳化硅

SiC主驅逆變器讓電動汽車延長5%里程的秘訣

不斷增長的消費需求、持續提高的環保意識/環境法規約束，以及越來越豐富的可選方案，都在推動著人們選用電動汽車 (EV)，令電動汽車日益普及。高盛近期的一項研究顯示，到 2023 年，電動汽車銷量將占全球汽車銷量的 10%；到 2030 年，預計將增長至 30%；到 2035 年，電動汽車銷量將有可能占全球汽車銷量的一半。然而，“里程焦慮”，也就是擔心充一次電后行駛里程不夠長，則是影響電動汽車普及的主要障礙之一。克服這一問題的關鍵是在不顯著增加成本的情況下延長車輛行駛里程。本文闡述了如何在主驅逆變器中使用碳化
關鍵字：電動汽車逆變器 SiC MOSFET

25 年資深專家帶隊，三星已布局推進碳化硅功率半導體業務

IT之家 10 月 19 日消息，根據韓媒 ETNews 報道，三星電子內部組建了新的碳化硅（SiC）功率半導體團隊，已經任命安森美半導體前董事洪錫俊（Stephen Hong）擔任副總裁，負責監管相關業務。洪錫俊是功率半導體領域的專家，在英飛凌、仙童和安森美等全球大型公司擁有約 25 年的經驗，加入三星后，他負責領導這項工作。洪錫俊負責組建和帶領這支 SiC 商業化團隊，同時積極與韓國功率半導體產業生態系統和學術機構合作進行市場和商業可行性研究。值得注意的是，三星在正式進軍 GaN（氮化鎵）業
關鍵字：三星 SiC

SiC MOSFET 器件特性知多少？

對于高壓開關電源應用，碳化硅或 SiC MOSFET 與傳統硅 MOSFET 和 IGBT 相比具有顯著優勢。開關超過 1,000 V的高壓電源軌以數百 kHz 運行并非易事，即使是最好的超結硅 MOSFET 也難以勝任。IGBT 很常用，但由于其存在“拖尾電流”且關斷緩慢，因此僅限用于較低的工作頻率。因此，硅 MOSFET 更適合低壓、高頻操作，而 IGBT 更適合高壓、大電流、低頻應用。SiC MOSFET 很好地兼顧了高壓、高頻和開關性能優勢。它是電壓控制的場效應器件，能夠像 IGBT 一樣進行高壓
關鍵字： SiC MOSFET IGBT WBG

SiC和GaN的應用優勢與技術挑戰

1? ?SiC和GaN應用及優勢我們對汽車、工業、數據中心和可再生能源等廣泛市場中的碳化硅(SiC) 和氮化鎵（GaN）應用感興趣。一些具體的例子包括：●? ?電動汽車（EV）：SiC和GaN 可用于電動汽車，以提高效率、續航里程和整車性能。例如，SiC MOSFET 分立器件可用于牽引逆變器和車載充電，以減少功率損耗并提高效率。●? ?數據中心：SiC 和GaN 可用于數據中心電源，以提高效率并降低運營成本。●? ?可再生能
關鍵字： 202310 SiC GaN 安世半導體

SiC和GaN的技術應用挑戰

1 SiC和GaN的優勢相比傳統MOSFET和IGBT方案，SiC和GaN器件提供更高的功率密度，具備更低的柵極驅動損耗和更高的開關速度。雖然SiC和GaN在某些低于10 kW功率的應用上有一些重疊，但各自解決的功率需求是不同的。SiC 器件提供更高的耐壓水平和電流承載能力。這使得它們很適合于汽車牽引逆變器、車載充電器和直流/ 直流轉換器、大功率太陽能發電站和大型三相電網變流器等應用。SiC 進入市場的時間略長，因此它有更多的選擇，例如，相比目前可用的GaN 解決方案，SiC 支持更廣泛的電壓和導通電阻。
關鍵字： 202310 納芯微 SiC GaN

東芝在SiC和GaN的技術產品創新

1 SiC、GaN相比傳統方案的優勢雖然硅功率器件目前占據主導地位，但SiC（碳化硅）和GaN（氮化鎵）功率器件正日益普及。SiC 功率器件具有出色的熱特性，適用于需要高效率和高輸出的應用，而GaN 功率器件具有出色的射頻頻率特性，能滿足要求高效率和小尺寸的千瓦級應用。最為重要的一點，SiC 的擊穿場是硅的10 倍。由于這種性質，SiC 器件的塊層厚度可以是硅器件的1/10。因此，使用SiC 可以制造出具有超低電阻和高擊穿電壓的開關器件。此外，SiC 的導熱系數大約是硅的3 倍，因此它能提供更高的散熱能力
關鍵字： 202310 東芝 SiC GaN

ST在SiC和GaN的發展簡況

ST（意法半導體）關注電動汽車、充電基礎設施、可再生能源和工業應用，將最新一代STPOWER SiC MOSFET和二極管部署在這些應用領域。例如，ST 的第三代SiCMOSFET 取得業界最低的通態電阻，可以實現能效和功率密度更高的產品設計。ST 還提供GaN 功率器件，例如650 V GaN 增強型HEMT 開關管用于開發超快速充電和高頻功率轉換應用，功率損耗很小。與硅基芯片相比，SiC 和GaN 等寬帶隙材料特性可讓系統變得尺寸更小，重量更輕，開關和導通損耗更低，從而提高能效。Gianfranc
關鍵字： 202310 意法半導體 SiC GaN

攻克SiC的發展瓶頸,推進在汽車和工業中的應用

1 SiC的應用優勢Bryan Lu：碳化硅（SiC）是新一代寬禁帶（WBG）半導體材料，具有出色的RDS(ON)*Qg品質因數（FoM）和低反向恢復電荷（Qrr），特別適用于具有挑戰性的應用，尤其是高壓大電流等應用場景，主驅逆變器采用SiC，可提升系統的效率，進而使得在相同的電池容量下里程數得以提升。OBC（車載充電機）采用SiC，可實現更高的能效和功率密度。隨著汽車市場向800 V 高壓系統發展，SiC 在高壓下的低阻抗、高速等優勢將更能體現。Mrinal K.Das博士(安森美電源方案事業群先進電源
關鍵字： 202310 SiC 安森美

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sic介紹

SiC是一種Ⅳ－Ⅳ族化合物半導體材料，具有多種同素異構類型。其典型結構可分為兩類：一類是閃鋅礦結構的立方SiC晶型，稱為3C或β－SiC，這里3指的是周期性次序中面的數目；另一類是六角型或菱形結構的大周期結構，其中典型的有6H、4H、15R等，統稱為α－SiC。與Si相比，SiC材料具有更大的Eg、Ec、Vsat、λ。大的Eg使其可以工作于650℃以上的高溫環境，并具有極好的抗輻射性能. Si [ 查看詳細 ]