中國 北京，2024 年 1 月 30 日——全球領先的連接和電源解決方案供應商 Qorvo?（納斯達克代碼：QRVO）今日宣布一款符合車規標準的碳化硅（SiC）場效應晶體管（FET）產品；在緊湊型 D2PAK-7L 封裝中實現業界卓越的 9mΩ 導通電阻 RDS(on)。此款 750V SiC FET 作為 Qorvo 全新引腳兼容 SiC FET 系列的首款產品，導通電阻值最高可達 60mΩ，非常適合車載充電器、DC/DC
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Qorvo SiC FET 電動汽車
眾所周知，提高 SiC 晶圓質量對制造商來說非常重要，因為它直接決定了 SiC 器件的性能，從而決定了生產成本。然而，具有低缺陷密度的 SiC 晶圓的生長仍然非常具有挑戰性。SiC 晶圓制造的發展已經完成了從100毫米（4英寸）到150毫米（6英寸）晶圓的艱難過渡，正在向8英寸邁進。SiC 需要在高溫環境下生長，同時具有高剛性和化學穩定性，這導致生長的 SiC 晶片中晶體和表面缺陷的密度很高，導致襯底質量和隨后制造的外延層質量差?。本篇文章主要總結了?SiC 生長過程及各步驟造成的缺陷
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SiC 晶圓
加利福尼亞州戈萊塔 – 2024 年 1 月 17 日 — 全球領先的氮化鎵（GaN）功率半導體供應商 Transphorm, Inc.（納斯達克：TGAN）今日宣布推出兩款采用 4 引腳 TO-247 封裝（TO-247-4L）的新型 SuperGaN? 器件。新發布的 TP65H035G4YS 和 TP65H050G4YS FET 器件分別具有 35 毫歐和 50 毫歐的導通電阻，并配有一個開爾文源極端子，以更低的能量損耗為客戶實現更全面的開關功能。新
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Transphorm 高功率服務器 工業電力轉換 氮化鎵場效應晶體管 碳化硅 SiC
1 轉型成功的2023得益于成功的戰略轉型，在汽車和工業市場增長的
推動下，安森美在 2023 年前 3 季度的業績都超預期。
其中，第一季度由先進駕駛輔助系統 (ADAS) 和能源基
礎設施終端市場帶來的收入均同比增長約 50%，在第
二季度汽車業務收入超 10 億美元，同比增長 35%，創
歷史新高，第三季度汽車和工業終端市場都實現創紀錄
收入。安森美大中華區銷售副總裁Roy Chia2 深入布局碳化硅領域在第三代半導體領域，安森美專注于 SiC，重點聚
焦于汽車、能源、電網基礎設施等應
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安森美 第三代半導體 碳化硅 SiC
意法半導體與理想汽車簽署碳化硅長期供貨協議。
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SiC
過去，仿真的基礎是行為和具有基本結構的模型。這些模型使用的公式我們在學校都學過，它們主要適用于簡單集成電路技術中使用的器件。但是，當涉及到功率器件時，這些簡單的模型通常無法預測與為優化器件所做的改變相關的現象。當今大多數功率器件不是橫向結構，而是垂直結構，它們使用多個摻雜層來處理大電場。柵極從平面型變為溝槽型，引入了更復雜的結構，如超級結，并極大地改變了MOSFET的行為。基本Spice模型中提供的簡單器件結構沒有考慮所有這些非線性因素。現在，通過引入物理和可擴展建模技術，安森美(onsemi)使仿真精度
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功率器件 Spice模型 SiC 仿真
低電感電機有許多不同應用，包括大氣隙電機、無槽電機和低泄露感應電機。它們也可被用在使用PCB定子而非繞組定子的新電機類型中。這些電機需要高開關頻率（50-100kHz）來維持所需的紋波電流。然而，對于50kHz以上的調制頻率使用絕緣柵雙極晶體管（IGBT）無法滿足這些需求，如果是380V系統，硅MOSFET耐壓又不夠，這就為寬禁帶器件開創了新的機會。在我們的傳統印象中，電機驅動系統往往采用IGBT作為開關器件，而SiC MOSFET作為高速器件往往與光伏和電動汽車充電等需要高頻變換的應用相關聯。但在特定的
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英飛凌 SiC MOSFET
碳化硅作為下一代功率半導體的本命，進入了全面的市場拓展階段。加上面向再生能源的市場，汽車使用市場的增長比最初的預想早了一年多，功率半導體的投資增長也顯示出SiC的一方面。不久前，行業也有研究在300mm的SIC增產的動向。然而，解決SiC容量增強問題現在成為主流。這一趨勢不僅限于日本和歐洲的功率半導體制造商。美國和中國之間的摩擦導致了SiC的國產化和量產化，這也是影響SIC的一方面。據電子器件行業報道，2023年9月7日，該公司表示，“中國SiC市場全方位戰略已擴大工業化加速進入公司約100家。”中國Si
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SIC，液晶，半導體
美國加利福尼亞州圣何塞，2023年12月12日訊 – 深耕于中高壓逆變器應用門極驅動器技術領域的知名公司Power Integrations（納斯達克股票代號：POWI）今日推出全新系列的即插即用型門極驅動器，新驅動器適配額定耐壓在1700V以內的62mm碳化硅(SiC) MOSFET模塊和硅IGBT模塊，具有增強的保護功能，可確保安全可靠的工作。SCALE?-2 2SP0230T2x0雙通道門極驅動器可在不到2微秒的時間內部署短路保護功能，保護緊湊型SiC MOSFET免受過電流的損壞。新驅動器還具有高
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Power Integrations 短路保護 SiC IGBT模塊 門極驅動器
在半導體行業，新的材料技術有“四兩撥千斤”的魔力，輕輕松松帶來顛覆性變革。具有先天性能優勢的寬禁帶半導體材料脫穎而出。在整個能源轉換鏈中，寬禁帶半導體的節能潛力可為實現長期的全球節能目標作出貢獻。寬禁帶技術將推動電力電子器件提高效率、提高密度、縮小尺寸、減輕重量、降低總成本，因此將在數據中心、智能樓宇、個人電子設備等應用場景中為能效提升作出貢獻。寬禁帶材料讓應用性能炸裂，怎么做到的？寬禁帶材料的優勢主要體現在：? 與傳統的硅基半導體材料相比，寬禁帶產品具有更寬更高的禁帶寬度、電場強度，更高的擊穿
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GaN 寬禁帶 SiC
奈梅亨，2023年11月30日：基礎半導體器件領域的高產能生產專家Nexperia今日宣布推出其首款碳化硅(SiC) MOSFET，并發布兩款采用3引腳TO-247封裝的1200 V分立器件，RDS(on)分別為40 mΩ 和80 mΩ。NSF040120L3A0和NSF080120L3A0是Nexperia SiC MOSFET產品組合中首批發布的產品，隨后Nexperia將持續擴大產品陣容，推出多款具有不同RDS(on)的器件，并提供通孔封裝和表面貼裝封裝供選擇。這次推出的兩款器件可用性高，可滿足電動
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Nexperia SiC MOSFET 工業電源開關
11月，日本三菱電機、安世半導體（Nexperia）宣布，將聯合開發高效的碳化硅（SiC）MOSFET分立產品功率半導體。雙方將聯手開發，將促進SiC寬禁帶半導體的能效和性能提升至新高度，同時滿足對高效分立式功率半導體快速增長的需求。目前芯片供應量尚未確認，預計最早將于2023年內開始供應。公開消息顯示，安世半導體總部位于荷蘭，目前是中國聞泰科技的子公司。11月初，安世半導體被迫轉手出售其于2021年收購的英國NWF晶圓廠。盡管同屬功率半導體公司，三菱電機與安世半導體的側重點不同，前者以“多個離散元件組合
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三菱電機 安世 SiC 功率半導體
11 月 21 日消息，據晚點 LatePost 報道，在芯片自研方面，理想同時在研發用于智能駕駛場景的 AI 推理芯片，和用于驅動電機控制器的 SiC 功率芯片。報道稱，理想目前正在新加坡組建團隊，從事 SiC 功率芯片的研發。在職場應用 LinkedIn 上，已經可以看到理想近期發布的五個新加坡招聘崗位，包括：總經理、SiC 功率模塊故障分析 / 物理分析專家、SiC 功率模塊設計專家、SiC 功率模塊工藝專家和 SiC 功率模塊電氣設計專家。報道還稱，用于智能駕駛的 AI 推理芯片是理想目前的研發重
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Nexperia近日宣布與三菱電機公司建立戰略合作伙伴關系，共同開發碳化硅(SiC) MOSFET分立產品。Nexperia和三菱電機都是各自行業領域的領軍企業，雙方聯手開發，將促進SiC寬禁帶半導體的能效和性能提升至新高度，同時滿足對高效分立式功率半導體快速增長的需求。三菱電機的功率半導體產品有助于客戶在汽車、家用電器、工業設備和牽引電機等眾多領域實現大幅節能。該公司提供的高性能SiC模塊產品性能可靠，在業界享有盛譽。日本備受贊譽的高速新干線列車采用了這些模塊，并以出色的效率、安全性和可靠性聞名遐邇。N
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Nexperia 三菱電機 SiC MOSFET
三菱電機將與Nexperia（安世）合力開發SiC芯片，通過SiC功率模塊來積累相關技術經驗。東京--(美國商業資訊)--三菱電機株式會社(Mitsubishi Electric Corporation，TOKYO: 6503)今天宣布，將與Nexperia B.V.建立戰略合作伙伴關系，共同開發面向電力電子市場的碳化硅(SiC)功率半導體。三菱電機將利用其寬帶隙半導體技術開發并提供SiC MOSFET芯片，Nexperia將使用這些芯片開發SiC分離器件。電動汽車市場正在全球范圍內擴大，并有助于推動Si
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三菱電機 安世 SiC
sic介紹
SiC是一種Ⅳ－Ⅳ族化合物半導體材料，具有多種同素異構類型。其典型結構可分為兩類：一類是閃鋅礦結構的立方SiC晶型，稱為3C或β－SiC，這里3指的是周期性次序中面的數目；另一類是六角型或菱形結構的大周期結構，其中典型的有6H、4H、15R等，統稱為α－SiC。與Si相比，SiC材料具有更大的Eg、Ec、Vsat、λ。大的Eg使其可以工作于650℃以上的高溫環境，并具有極好的抗輻射性能.
Si [
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