2023 年 1 月 30 日—領先于智能電源和智能感知技術的安森美（onsemi，美國納斯達克上市代號：ON）宣布與德國大眾汽車集團 (VW)簽署戰略協議，為大眾汽車集團的下一代平臺系列提供模塊和半導體器件，以實現完整的電動汽車 (EV) 主驅逆變器解決方案。安森美所提供的半導體將作為整體系統優化的一部分，形成能夠支持大眾車型前軸和后軸主驅逆變器的解決方案。?安森美將首先交付其 EliteSiC 1200 V 主驅逆變器電源模塊，作為協議的一部分。EliteSiC 電源模塊具備引腳兼容特性，可
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安森美 大眾汽車集團 電動汽車 碳化硅 SiC
電力電子轉換器在快速發展的工業格局中發揮著至關重要的作用。它們的應用正在增加，并且在眾多新技術中發揮著核心作用，包括電動汽車、牽引系統、太空探索任務、深層石油開采系統、飛機系統等領域的進步。電力電子轉換器在快速發展的工業格局中發揮著至關重要的作用。它們的應用正在增加，并且在眾多新技術中發揮著核心作用，包括電動汽車、牽引系統、太空探索任務、深層石油開采系統、飛機系統等領域的進步。電力電子電路不斷發展以實現更高的效率，絕緣柵雙極晶體管（IGBT）和金屬氧化物場效應晶體管（MOSFET）等電力電子設備為令人興奮
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國晶微半導體 SIC
全球知名半導體制造商羅姆（總部位于日本京都市）的第4代SiC MOSFET和柵極驅動器IC已被日本先進的汽車零部件制造商日立安斯泰莫株式會社（以下簡稱“日立安斯泰莫”）用于其純電動汽車（以下簡稱“EV”）的逆變器。在全球實現無碳社會的努力中，汽車的電動化進程加速，在這種背景下，開發更高效、更小型、更輕量的電動動力總成系統已經成為必經之路。尤其是在EV領域，為了延長續航里程并減小車載電池的尺寸，提高發揮驅動核心作用的逆變器的效率已成為一個重要課題，業內對碳化硅功率元器件寄予厚望。 羅姆自2010年
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羅姆 SiC MOSFET 日立安斯泰莫 純電動汽車逆變器
現代-起亞集團的 E-GMP 純電平臺以 800V 高電壓架構、高功率充電備受肯定，原先 E-GMP 平臺在后馬達 Inverter 逆變器的功率模塊(Power Module)就有采用 SiC 碳化硅半導體，成本與轉換效率比傳統的硅半導體更高，更能提升續航。如今瑞士半導體供應商意法半導體 (STMicroelectronics) 日前推出第 3 代的 SiC 碳化硅功率模塊，并確認 E-GMP 平臺的起亞 EV6 等車款將采用，預計在動力、續航都能再升級。E-GMP 平臺，原先已在后馬達逆變器采用 Si
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SiC 碳化硅功率模塊 起亞 EV6 意法半導體 ACEPACK DRIVE
汽車行業發展創新突飛猛進，車載充電器（OBC）與DCDC轉換器（HV-LV DCDC）的應用因此也迅猛發展，同應對大多數工程挑戰一樣，設計人員把目光投向先進技術，以期利用現代超結硅（Super Junction Si）技術以及碳化硅（SiC）技術來提供解決方案。在追求性能的同時，對于車載產品來說，可靠性也是一個重要的話題。在車載OBC/DCDC應用中，高壓功率半導體器件用的越來越多。對于汽車級高壓半導體功率器件來說，門極氧化層的魯棒性和宇宙輻射魯棒性是可靠性非常重要的兩點。宇宙輻射很少被提及，但事實是無論
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Infineon OBC SiC
高壓功率系統設計人員努力滿足硅MOSFET和IGBT用戶對持續創新的需求?；诠璧慕鉀Q方案在效率和可靠性方面通常無法兼得，也不能滿足如今在尺寸、重量和成本方面極具挑戰性的要求。不過，隨著高壓碳化硅（SiC）MOSFET的推出，設計人員現在有機會在提高性能的同時，應對所有其他挑戰。 在過去20年間，額定電壓介于650V至1200V的SiC功率器件的采用率越來越高，如今的1700V SiC產品便是在其成功的基礎上打造而成。技術的進步推動終端設備取得了極大的發展；如今，隨著額定電壓為1700V的功率器件的推出，
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SiC MOSFET 功率轉換
近日，安森美公布了2022年第三季度業績，其三季度業績直線上揚，總營收21.93億美元，同比增長25.86%；毛利10.58億美元，同比增長46.82%。財報數據顯示，其三大業務中，智能電源組營收為11.16億美元，同比增長25.1%；高級解決方案組營收7.34億美元，同比增長19.7%；智能感知組營收為3.42億美元，同比增長44.7%，三大業務全線保持增長。自安森美總裁兼首席執行官Hassane El-Khoury加入安森美后，安森美執行了一系列的戰略轉型，聚焦于智能電源和智能感知兩大領域，從傳統的I
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安森美 SiC MOSFET
在最近召開的EEVIA第十屆年度中國硬科技媒體論壇暨2022產業鏈研創趨勢展望研討會上，來自英飛凌安全互聯系統事業部的汽車級WiFi/BT及安全產品應用市場管理經理楊大穩以“英飛凌賦能未來汽車低碳化和數字化發展“為題，詳細介紹了英飛凌在汽車電子領域的相關產品和未來趨勢。?新能源車是全球汽車市場增長最快也是需求最旺盛的領域，特別是在中國這個全球產銷第一的市場，2022年國有品牌汽車占據近一半的中國汽車市場份額，最大的驅動力是來自于新能源車和電動車?？梢灶A想，隨著政府和車廠的支持，電動車未來幾年會迎
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英飛凌 SiC 電動汽車 無人駕駛
當前，全球主要國家和地區都已經宣布了“碳達峰”的時間表。在具體實現的過程中，軌道交通將是一個重要領域。由于用能方式近乎100%為電能，且帶動大量基礎設施建設，因此軌道交通的“碳達峰”雖然和工業的“碳達峰”路徑有差異，但總體實現時間將較為接近。在中國，這個時間節點是2030年之前。當然，“碳達峰”在每一個領域都有狹義和廣義的區分，比如在工業領域，一方面是重點企業自身通過節能+綠電的方式實現“碳達峰”，另一方面也需要圍繞重點企業的產業鏈上下游全面實現能耗降低。對于軌道交通也是如此，狹義層面的軌交工具，以及廣義
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Mouser SiC
綠色倡議持續推動工業、航空航天和國防應用，尤其是運輸行業的電力電子系統設計轉型。碳化硅（SiC）是引領這一趨勢的核心技術，可提供多種新功能不斷推動各種車輛和飛機實現電氣化，從而減少溫室氣體（GHG）排放。 碳化硅解決方案支持以更小、更輕和更高效的電氣方案取代飛機的氣動和液壓系統，為機載交流發電機、執行機構和輔助動力裝置（APU）供電。這類解決方案還可以減少這些系統的維護需求。但是，SiC技術最顯著的貢獻體現在其所肩負實現商用運輸車輛電氣化的使命上，這些車輛是世界上最大的GHG排放源之一。隨著1700V金屬
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碳化硅 SiC 電源管理 可配置數字柵極驅動 萬物電氣化
10月24日，士蘭微發布公告稱，近期，士蘭明鎵SiC功率器件生產線已實現初步通線，首個SiC器件芯片已投片成功，首批投片產品各項參數指標達到設計要求，項目取得了階段性進展。士蘭明鎵正在加快后續設備的安裝、調試，目標是在今年年底形成月產2000片6英寸SiC芯片的生產能力。士蘭微表示，公司目前已完成第一代平面柵SiC-MOSFET技術的開發，性能指標達到業內同類器件結構的先進水平。公司已將SiC-MOSFET芯片封裝到汽車主驅功率模塊上，參數指標較好，繼續完成評測，即將向客戶送樣。據了解，2017年12月1
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士蘭微 士蘭明鎵 SiC 功率器件
現階段硅元件的切換頻率極限約為65~95kHz，工作頻率再往上升，將會導致硅MOSFET耗損、切換損失變大；再者Qg的大小也會影響關斷速度，而硅元件也無法再提升。因此開發了由兩種或三種材料制成的化合物半導體GaN氮化鎵和SiC碳化硅功率電晶體，雖然它們比硅更難制造及更昂貴，但也具有獨特的優勢和優越的特性，使得這些器件可與壽命長的硅功率LDMOS MOSFET和超結MOSFET競爭。GaN和SiC器件在某些方面相似，可以幫助下一個產品設計做出更適合的決定。?GaN氮化鎵是最接近理想的半導體開關的器
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GaN 氮化鎵 SiC 碳化硅 NCP51561 onsemi
隨著電動汽車 (EV) 制造商競相開發成本更低、行駛里程更長的車型，電子工程師面臨降低牽引逆變器功率損耗和提高系統效率的壓力，這樣可以延長行駛里程并在市場中獲得競爭優勢。功率損耗越低則效率越高，因為它會影響系統熱性能，進而影響系統重量、尺寸和成本。隨著開發的逆變器功率級別更高，每輛汽車的電機數量增加，以及卡車朝著純電動的方向發展，人們將持續要求降低系統功率損耗。過去，牽引逆變器使用絕緣柵雙極晶體管 (IGBT)。然而，隨著半導體技術的進步，碳化硅 (SiC) 金屬氧化物半導體場效應晶體管具有比IGBT更高
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TI 功能安全 柵極驅動器 SiC 逆變器
2022年9月23日 – 提供超豐富半導體和電子元器件?的業界知名新品引入 (NPI) 分銷商貿澤電子 (Mouser Electronics) 即日起備貨采用行業標準D2PAK-7L表面貼裝封裝的UnitedSiC（現已被 Qorvo?收購）UJ4C/SC FET。UJ4C/SC系列器件是750 V碳化硅場效應晶體管 (SiC FET)，借助D2PAK-7L封裝選項提供低開關損耗、在更高速度下提升效率，同時提高系統功率密度。這些FET經優化適合車載充電器、軟開關DC/DC
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貿澤 D2PAK-7L UnitedSiC SiC FET
東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）今日宣布，推出新款功率器件---第三代碳化硅（SiC）MOSFET[1][2]“TWxxNxxxC系列”。該系列具有低導通電阻，可顯著降低開關損耗。該系列10款產品包括5款1200V產品和5款650V產品，已于今日開始出貨。 新產品的單位面積導通電阻（RDS(ON)A）下降了大約43%[3]，從而使“漏源導通電阻×柵漏電荷（RDS(ON)×Qgd）”降低了大約80%[4]，這是體現導通損耗與開關損耗間關系的重要指標。這樣可以將開關損耗減少大約
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東芝 SiC MOSFET
sic介紹
SiC是一種Ⅳ－Ⅳ族化合物半導體材料，具有多種同素異構類型。其典型結構可分為兩類：一類是閃鋅礦結構的立方SiC晶型，稱為3C或β－SiC，這里3指的是周期性次序中面的數目；另一類是六角型或菱形結構的大周期結構，其中典型的有6H、4H、15R等，統稱為α－SiC。與Si相比，SiC材料具有更大的Eg、Ec、Vsat、λ。大的Eg使其可以工作于650℃以上的高溫環境，并具有極好的抗輻射性能.
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