羅姆的第 4 代SiC MOSFET成功應用于日立安斯泰莫的純電動汽車逆變器

全球知名半導體制造商羅姆（總部位于日本京都市）的第4代SiC MOSFET和柵極驅動器IC已被日本先進的汽車零部件制造商日立安斯泰莫株式會社（以下簡稱“日立安斯泰莫”）用于其純電動汽車（以下簡稱“EV”）的逆變器。

在全球實現無碳社會的努力中，汽車的電動化進程加速，在這種背景下，開發更高效、更小型、更輕量的電動動力總成系統已經成為必經之路。尤其是在EV領域，為了延長續航里程并減小車載電池的尺寸，提高發揮驅動核心作用的逆變器的效率已成為一個重要課題，業內對碳化硅功率元器件寄予厚望。

羅姆自2010年在全球率先開始量產SiC MOSFET以來，在SiC功率元器件技術開發方面，始終保持著業界先進地位。其中，新推出的第4代SiC MOSFET改善了短路耐受時間，并實現了業界超低的導通電阻。在車載逆變器中采用該產品時，與使用IGBT時相比，電耗可以減少6%（按國際標準“WLTC燃料消耗量測試”計算），非常有助于延長電動汽車的續航里程。

日立安斯泰莫多年來一直致力于汽車用電機和逆變器相關的先進技術開發，并且已經為日益普及的EV提供了大量的產品，在該領域擁有驕人的市場業績。此次，為了進一步提高逆變器的性能，日立安斯泰莫首次在主驅逆變器的電路中采用了SiC功率器件，并計劃從2025年起，依次向包括日本汽車制造商在內的全球汽車制造商供應相應的逆變器產品。

未來，羅姆將作為SiC功率元器件的領軍企業，不斷壯大產品陣容，并結合能夠更大限度地激發元器件性能的控制IC等外圍元器件技術優勢，持續提供有助于汽車技術創新的電源解決方案。