近日，意法半導體（ST）在華舉辦了“ST工業巡演2019”。在北京站，ST亞太區功率分立和模擬產品器件部區域營銷和應用副總裁Francesco Muggeri分析了工業市場的特點，并介紹了ST的產品線寬泛且通用性強，能夠提供完整系統的支持。1 芯片廠商如何應對工業市場少量多樣的挑戰工業領域呈現多樣、少量的特點，需要改變消費類電子大規模生產的模式，實現少量、高質量的生產。具體地，工業的一大挑戰是應用的多樣化，即一個大應用下面通常有很多小的子應用，所以產品會非標準化，即一個產品只能針對某一類小應用/小客戶的需
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電機 MCU 電源 SiC
全球知名半導體制造商ROHM（總部位于日本京都），開發出6款溝槽柵結構※1）SiC MOSFET “SCT3xxx xR系列”產品（650V／1200V耐壓），非常適用于要求高效率的服務器用電源、太陽能逆變器及電動汽車的充電站等。此次新開發的系列產品采用4引腳封裝（TO-247-4L），可充分地發揮出SiC MOSFET本身的高速開關性能。與以往3引腳封裝（TO-247N）相比，開關損耗可降低約35％，非常有助于進一步降低各種設備的功耗。另外，羅姆也已開始供應SiC MOSFET評估板“P02SCT304
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SiC MOSFET
近日，科銳宣布與德爾福科技（Delphi Technologies PLC）開展汽車碳化硅（SiC）器件合作。
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科銳 德爾福科技 SiC
王?瑩?（《電子產品世界》編輯，北京?100036） SiC(碳化硅)作為第三代半導體，以耐高壓、高溫和高頻，在高性能功率半導體上顯出優勢。據SiC廠商羅姆基于IHS的調查顯示，2025年整個市場規模將達到約23億美元。在應用中，在光伏和服務器市場最大，正處于發展中的市場是xEV（電動與混動汽車）。隨著SiC產品特性越做越好，在需要更高電壓的鐵路和風電上將會得到更多的應用。 不過，制約SiC發展的關鍵是價格，主要原因有兩個：襯底和晶圓尺寸。例如晶圓尺寸越大，成本也會相應地下降，羅姆等公司已經有6英
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201909 新一代功率半導體 SiC
? ? ? SiC(碳化硅)作為第三代半導體，以耐高壓、高溫和高頻，在高性能功率半導體上顯出優勢。在應用中，在光伏和服務器市場最大，正處于發展中的市場是xEV（電動與混動汽車）。隨著SiC產品特性越做越好，在需要更高電壓的鐵路和風電上將會得到更多的應用。? ? ? 不過，制約SiC發展的，最主要的是價格，主要原因有兩個，一個是襯底，一個是晶圓尺寸所限。例如晶圓尺寸越大，成本也會相應地下降，ROHM等公司已經有6英寸的晶圓片。在技術方面，眾廠商競爭
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SiC MOSFET
全球知名半導體制造商ROHM(總部位于日本京都)面向車載充電器和DC/DC轉換器※1)又推出SiC
MOSFET※3)“SCT3xxxxxHR系列”共10個機型，該系列產品支持汽車電子產品可靠性標準AEC-Q101※2)，而且產品陣容豐富，擁有13個機型。 ROHM于2010年在全球率先成功實現SiC
MOSFET的量產，在SiC功率元器件領域，ROHM始終在推動領先的產品開發和量產體制構建。在需求不斷擴大的車載市場，ROHM也及時確立車載品質，并于2012年開始供應車載充電器用的SiC肖特
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ROHM SiC MOSFET
2019年3月14日 — 推動高能效創新的安森美半導體(ON
Semiconductor，美國納斯達克上市代號：ON)，將在美國加利福尼亞州阿納海姆舉行的APEC 2019展示由Strata Developer
Studio?
開發平臺支持的新電源方案板。Strata便于快速、簡易評估應用廣泛的電源方案，使用戶能在一個具充分代表性的環境中查看器件并分析其性能。工程師用此縮小可行器件和系統方案的選擇范圍，且在采購硬件和完成設計之前對系統性能有信心。 Strata Developer
S
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安森美 SiC
Mar. 7, 2019 ----
全球市場研究機構集邦咨詢在最新《中國半導體產業深度分析報告》中指出，受益于新能源汽車、工業控制等終端市場需求大量增加，MOSFET、IGBT等多種產品持續缺貨和漲價，帶動了2018年中國功率半導體市場規模大幅成長12.76%至2,591億元人民幣。其中功率分立器件市場規模為1,874億元人民幣，較2017年同比成長14.7%;電源管理IC市場規模為717億元人民幣，較2017年同比增長8%。 集邦咨詢分析師謝瑞峰指出，功率半導體作為需求驅動型的產業，2019年
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IGBT SiC
本文的目的是分析碳化硅MOSFET的短路實驗(SCT)表現。具體而言，該實驗的重點是在不同條件下進行專門的實驗室測量，并借助一個穩健的有限元法物理模型來證實和比較測量值，對短路行為的動態變化進行深度評估。
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碳化硅(SiC)MOSFET 短路 熱模型
深耕于中高壓逆變器應用門極驅動器技術領域的知名公司Power Integrations(納斯達克股票代號：POWI)今日推出SIC1182K
SCALE-iDriver? —— 這是一款市售可提供高效率、單通道碳化硅(SiC)
MOSFET門極驅動器，可提供最大峰值輸出門極電流且無需外部推動級。新品件經過設定后可支持不同的門極驅動電壓，來滿足市售SiC-MOSFET的需求;其主要應用包括不間斷電源(UPS)、光伏系統、伺服驅動器、電焊機和電源。 SIC1182K可在125°C結溫下提供8
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Power Integrations SiC-MOSFET
介紹了SiC的市場動向，SiC市場不斷擴大的原因，SiC技術及解決方案的突破，以及羅姆公司在SiC方面的特點。
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SiC 市場 應用 汽車 201903
意法半導體(ST)近日與瑞典碳化硅(SiC)晶圓制造商Norstel AB公司簽署協議，收購后者55%股權。Norstel公司于2005年從Link?ping大學分拆出來，開發和生產150mm SiC裸晶圓和外延晶圓。ST表示，在交易完成之后，它將在全球產能受限的情況下控制部分SiC器件的整個供應鏈，并為自己帶來一個重要的增長機會。
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ST Norstel SiC
目前，以碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)為代表的第三代化合物半導體受到的關注度越來越高，它們在未來的大功率、高溫、高壓應用場合將發揮傳統的硅器件無法實現的作用。特別是在未來三大新興應用領域(汽車、5G和物聯網)之一的汽車方面，會有非常廣闊的發展前景。 然而，SiC和GaN并不是終點，最近，氧化鎵(Ga2O3)再一次走入了人們的視野，憑借其比SiC和GaN更寬的禁帶，該種化合物半導體在更高功率的應用方面具有獨特優勢。因此，近幾年關于氧化鎵的研究又熱了起來。 實際上，氧化鎵并不是很新的技術，多年前就
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半導體 SiC GaN
11月30日，北汽新能源(北汽藍谷
600733)與羅姆半導體集團合作成立SiC產品技術聯合實驗室。北汽新能源執行副總經理陳上華與羅姆半導體集團董事末永良明現場簽署了合作協議書，并共同為SiC產品技術聯合試驗室揭牌。 該聯合實驗室的成立，是北汽新能源在新能源汽車領域不斷加強自主技術實力的重要舉措，聯合實驗室成立后，北汽新能源將可以與羅姆半導體集團共同深入到碳化硅等新技術的預研中，并圍繞碳化硅的新產品進行全面合作開發。 近年來，以SiC為代表的第三代功率半導體材料，已經被廣泛應用在新能源
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北汽新能源 羅姆半導體 SiC
羅姆（ROHM）作為一個日本企業，很早便打入歐洲市場，豐富的行業經驗、值得信賴的產品品質和口碑讓歐洲本土企業成為羅姆（ROHM）的合作伙伴。在本次的elecronica 2018展上，我們也見到了很多羅姆（ROHM）的得意之作。
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ROHM SiC 羅姆
sic介紹
SiC是一種Ⅳ－Ⅳ族化合物半導體材料，具有多種同素異構類型。其典型結構可分為兩類：一類是閃鋅礦結構的立方SiC晶型，稱為3C或β－SiC，這里3指的是周期性次序中面的數目；另一類是六角型或菱形結構的大周期結構，其中典型的有6H、4H、15R等，統稱為α－SiC。與Si相比，SiC材料具有更大的Eg、Ec、Vsat、λ。大的Eg使其可以工作于650℃以上的高溫環境，并具有極好的抗輻射性能.
Si [
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