Diodes 公司推出一對互補性雙 MOSFET 組合DMC4040SSD，可用于低壓單相/三相無刷直流(BLDC)電機控制應用。該組合具有互相匹配的 N 通道及 P 通道導通電阻(Rdson)性能，以確保平衡分配電機負載的直流損耗并將其減少到最小。
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Diodes DMC4040SSD MOSFET
現代創新理論的提出者約瑟夫·熊彼特認為，企業家的職能就是實現“創新”，引進生產要素或生產條件的“新組合”，目的是最大限度地獲取超額利潤。創新催生利潤，因此“創新”一詞得到狂熱追捧，幾乎所有企業都在打出各式各樣的創新口號。
不僅業內企業在摸索和實踐著創新，作為“深圳(國際)集成電路技術創新與應用展覽會”的組織機構——深圳市半導體行業協會也在積極行動。他們在深入調研了
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IC設計 MOSFET 音頻解碼器
電源工程師一直面對減小應用空間和提高功率密度的兩個主要挑戰，而在筆記本電腦、負載點、服務器、游戲和電信應用中，上述兩點尤為重要。為了幫助設計人員應對這些挑戰，全球領先的高性能功率和便攜產品供應商飛兆半導體公司(Fairchild Semiconductor)開發出FDMS36xxS系列功率級非對稱雙MOSFET模塊。
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飛兆 MOSFET FDMS36xxS
全球功率半導體和管理方案領導廠商國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 擴展其封裝系列，推出新款的 PQFN 2mm x 2mm封裝。新的封裝采用IR最新的HEXFET MOSFET硅技術，為一系列的低功耗應用，包括智能手機、平板電腦、攝像機、數碼相機、筆記本電腦、服務器和網絡通訊設備，提供超小型、高密度和高效率的解決方案。
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IR PQFN MOSFET
全球功率半導體和管理方案領導廠商國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 擴展其封裝系列，推出新款的 PQFN 2mm x 2mm封裝。新的封裝采用IR最新的HEXFET MOSFET硅技術，為一系列的低功耗應用，包括智能手機、平板電腦、攝像機、數碼相機、筆記本電腦、服務器和網絡通訊設備，提供超小型、高密度和高效率的解決方案。
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IR HEXFET MOSFET
據IHS iSuppli公司的研究，2010年中國功率MOSFET市場快速增長，銷售額達到23億美元，比2009年的16億美元增長43%。
直到去年第三季度，功率MOSFET在2010年多數時間都處于供應不足局面，難以滿足中國各行業的需求，包括本地數據處理、消費與通信領域。功率MOSFET是為處理較高的功率級而設計的功率半導體器件，主要用于電源與DC-DC轉換器中的低電壓開關?！?/li>
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MOSFET DC-DC轉換器
在這篇《電源設計小貼士》中，我們將研究在同步降壓功率級中如何對傳導功耗進行折中處理，而其與占空比和 FET 電阻比有關。進行這種折中處理可得到一個用于 FET 選擇的非常有用的起始點。通常，作為設計過程的一個組
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MOSFET 同步降壓 電阻比
據IHS iSuppli公司的研究，2010年中國功率MOSFET市場快速增長，銷售額達到23億美元，比2009年的16億美元增長43%。
直到去年第三季度，功率MOSFET在2010年多數時間都處于供應不足局面，難以滿足中國各行業的需求，包括本地數據處理、消費與通信領域。功率MOSFET是為處理較高的功率級而設計的功率半導體器件，主要用于電源與DC-DC轉換器中的低電壓開關。
去年功率MOSFET在中國市場強勁增長，可能主要歸功于中國政府的推動。為了鼓勵投資和刺激經濟，中國政府推出了一系
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MOSFET 無線通信
DC-DC電源、馬達控制、熱插拔和負載開關應用，以及服務器的次級同步整流應用的設計人員，需要使用具有更低傳導損耗和開關損耗的MOSFET器件以期提高設計的效率。
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Fairchild MOSFET
日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號：VSH)宣布，Vishay發布2011年的“Super 12”特色產品。這些元器件具有業界領先的規格標準，如導通電阻、導通電阻與柵極電荷乘積(FOM)、溫度范圍和電流等級。這些創新產品在http://www.vishay.com/landingpage/super12/ver3/ 進行展示，是許多關鍵應用的上佳之選，也充分反映出Vishay產品線之豐富?！?/li>
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Vishay MOSFET
恩智浦半導體NXP Semiconductors N.V. (NASDAQ：NXPI) 今日宣布，其采用LFPAK封裝的NextPower系列25V和30V MOSFET將有15款新產品開始供貨。這些恩智浦功率MOSFET家族的最新成員在六個關鍵參數方面找到了最佳平衡點，并且具有行業最低的RDS (on) (25V和30V均為亞1 mΩ級)，是高性能、高可靠性開關應用的理想之選。
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恩智浦 MOSFET
英飛凌的最新一代高壓CoolMOS? MOSFET取得了又一項創新，設立了能效的新標準。在德國紐倫堡舉辦的PCIM Europe 2011展會(5月17日至19日)上，英飛凌展出了全新推出的650V CoolMOS? CFD2，它是世界上第一款漏源擊穿電壓為650V并且集成了快速體二極管的高壓晶體管。這個新的CFD2器件延續了600V CFD產品的優點，不僅可以提高能效，而且具備更軟的交換功能，從而降低了電磁干擾(EMI)，提升產品的競爭優勢。
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英飛凌 MOSFET
Diodes公司推出一系列采用超小型DFN1006-3封裝的高性能MOSFET產品線。該封裝僅占用0.6平方毫米的PCB面積，較同類SOT723封裝器件節省一半以上的占板空間，其結點至環境熱阻 (ROJA) 為256oC/W，在連續條件下功耗高達1.3W，而同類產品的功耗則多出一倍。
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Diodes MOSFET
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