英飛凌新一代高壓MOSFET設立能效新標準

　　英飛凌的最新一代高壓CoolMOS™ MOSFET取得了又一項創新，設立了能效的新標準。在德國紐倫堡舉辦的PCIM Europe 2011展會(5月17日至19日)上，英飛凌展出了全新推出的650V CoolMOS™ CFD2，它是世界上第一款漏源擊穿電壓為650V并且集成了快速體二極管的高壓晶體管。這個新的CFD2器件延續了600V CFD產品的優點，不僅可以提高能效，而且具備更軟的交換功能，從而降低了電磁干擾(EMI)，提升產品的競爭優勢。

　　650V CoolMOS™ CFD2集快速開關超級結技術MOSFET的優越性于一身，包括更出色的輕載效率、更低柵極電荷、易于應用和出眾的可靠性等。此外，該產品具備更低單位面積通態電阻和更低容性開關損耗，允許輕松控制開關行為，并且提供了當前市場上最結實耐用的體二極管。相比于前代產品600V CFD，新推出的CoolMOS™ CFD2產品還降低了系統成本?？傮w而言，它是適用于諧振開關拓撲的最優選擇。

　　英飛凌預計，650V CoolMOS™ CFD2的最大潛在市場包括太陽能逆變器、服務器、照明裝置和用于通信系統的開關電源(SMPS)等。

　　英飛凌科技高壓MOS產品線經理Jan-Willem Reynaerts指出，“憑借我們具有革命意義的CoolMOS™技術，英飛凌已成為能效及功率密度方面的市場領袖。650V CFD2解決方案進一步壯大了CoolMOS™產品陣營，并且設立了新的行業標準，例如，將光伏逆變器的效率提高至98.1%。”

　　供貨情況及定價

　　IPW65R080CFD(650V、導通電阻80毫歐姆、TO247封裝)樣片現已開始供貨。起訂量為1萬顆時，單價為6.00美元。

　　英飛凌650V CoolMOS™ CFD2已在德國紐倫堡舉辦的PCIM Europe 2011展會(5月17日至19日)上精彩亮相(12號展廳404號展臺)。

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