Diodes推出超小型封裝的高性能MOSFET

　　Diodes公司推出一系列采用超小型DFN1006-3封裝的高性能MOSFET產品線。該封裝僅占用0.6平方毫米的PCB面積，較同類SOT723封裝器件節省一半以上的占板空間，其結點至環境熱阻 (ROJA) 為256ºC/W，在連續條件下功耗高達1.3W，而同類產品的功耗則多出一倍。

　　因此，該MOSFET的運行溫度更低，并可節省空間，加上離板高度僅為0.4毫米，尤其適用于超薄便攜式消費電子產品，包括平板電腦及智能手機。Diodes 率先提供額定電壓為20V、30V及60V的N溝道和P溝道器件，這些器件可用于多種高可靠性的負載開關 (load switching)、信號轉換 (signal switching) 及升壓轉換 (boost conversion) 應用。

　　例如，額定電壓為20V的DMN2300UFB4 N溝道MOSFET的導通電阻僅為150mΩ，比同類解決方案低一半以上，有助于大幅減少傳導損耗和功耗。而P溝道、20V 的DMN2300UFB4可提供類似的同類領先性能。這兩款MOSFET同時具備較高的靜電放電額定值 (ESD Rating)，分別為2kV和3kV。

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