飛兆半導(dǎo)體功率級非對稱雙MOSFET器件

        電源工程師一直面對減小應(yīng)用空間和提高功率密度的兩個主要挑戰(zhàn)，而在筆記本電腦、負(fù)載點、服務(wù)器、游戲和電信應(yīng)用中，上述兩點尤為重要。為了幫助設(shè)計人員應(yīng)對這些挑戰(zhàn)，全球領(lǐng)先的高性能功率和便攜產(chǎn)品供應(yīng)商飛兆半導(dǎo)體公司(Fairchild Semiconductor)開發(fā)出FDMS36xxS系列功率級非對稱雙MOSFET模塊。

        FDMS36xxS系列器件在PQFN封裝中結(jié)合了控制和同步MOSFET，以及一個肖特基體二極管。這些器件的開關(guān)節(jié)點已獲內(nèi)部連接，能夠輕易進(jìn)行同步降壓轉(zhuǎn)換器的布局和走線。控制MOSFET(Q1)和同步MOSFET(SyncFET™)(Q2)經(jīng)專門設(shè)計，為高達(dá)30A的輸出電流實現(xiàn)最佳功效。FDMS36xxS系列將上述器件集成在一個模塊中，可替代兩個或更多的5mm x 6mm PQFN、S08和DPAK封裝，有效減少線路板空間。

        FDMS36XXS系列產(chǎn)品采用飛兆半導(dǎo)體先進(jìn)的電荷平衡架構(gòu)(屏蔽柵極技術(shù))和先進(jìn)封裝技術(shù)，可在高性能計算的額定擊穿電壓下，獲得低于2mΩ的業(yè)界領(lǐng)先低端RDS(ON) 。該系列產(chǎn)品經(jīng)過優(yōu)化，以便最大限度地減小300kHz至600KHz范圍的綜合傳導(dǎo)損耗和開關(guān)損耗，為負(fù)載點和多相同步降壓DC-DC應(yīng)用帶來可靠的最高功效。

        FDMS36xxS系列功率級非對稱雙MOSFET使用獨特的屏蔽電壓調(diào)制架構(gòu)和超低源極電感封裝設(shè)計，具有低開關(guān)噪聲、低設(shè)計變化敏感度和較高的設(shè)計可靠性。低開關(guān)噪聲可以省去需要外部緩沖器或柵極電阻的緩減設(shè)計，從而降低設(shè)計BOM成本并且節(jié)省額外的線路板空間。

        FDMS36xxS系列器件目前包括：FDMS3602S和FDMS3604AS PowerTrench®功率級非對稱N溝道雙MOSFET。飛兆半導(dǎo)體將會根據(jù)研究和客戶需求增添更多的器件。兩款FDMS36xxS系列器件均滿足RoHS標(biāo)準(zhǔn)要求。

        這些非對稱結(jié)構(gòu)功率級雙MOSFET模塊是飛兆半導(dǎo)體全面廣泛的先進(jìn)MOSFET產(chǎn)品系列的組成部分，為電源設(shè)計人員提供了適用于關(guān)鍵任務(wù)的高效信息處理設(shè)計的全面解決方案。