飛兆半導體功率級非對稱雙MOSFET器件

        電源工程師一直面對減小應用空間和提高功率密度的兩個主要挑戰(zhàn)，而在筆記本電腦、負載點、服務器、游戲和電信應用中，上述兩點尤為重要。為了幫助設計人員應對這些挑戰(zhàn)，全球領先的高性能功率和便攜產品供應商飛兆半導體公司(Fairchild Semiconductor)開發(fā)出FDMS36xxS系列功率級非對稱雙MOSFET模塊。

        FDMS36xxS系列器件在PQFN封裝中結合了控制和同步MOSFET，以及一個肖特基體二極管。這些器件的開關節(jié)點已獲內部連接，能夠輕易進行同步降壓轉換器的布局和走線。控制MOSFET(Q1)和同步MOSFET(SyncFET™)(Q2)經專門設計，為高達30A的輸出電流實現(xiàn)最佳功效。FDMS36xxS系列將上述器件集成在一個模塊中，可替代兩個或更多的5mm x 6mm PQFN、S08和DPAK封裝，有效減少線路板空間。

        FDMS36XXS系列產品采用飛兆半導體先進的電荷平衡架構(屏蔽柵極技術)和先進封裝技術，可在高性能計算的額定擊穿電壓下，獲得低于2mΩ的業(yè)界領先低端RDS(ON) 。該系列產品經過優(yōu)化，以便最大限度地減小300kHz至600KHz范圍的綜合傳導損耗和開關損耗，為負載點和多相同步降壓DC-DC應用帶來可靠的最高功效。

        FDMS36xxS系列功率級非對稱雙MOSFET使用獨特的屏蔽電壓調制架構和超低源極電感封裝設計，具有低開關噪聲、低設計變化敏感度和較高的設計可靠性。低開關噪聲可以省去需要外部緩沖器或柵極電阻的緩減設計，從而降低設計BOM成本并且節(jié)省額外的線路板空間。

        FDMS36xxS系列器件目前包括：FDMS3602S和FDMS3604AS PowerTrench®功率級非對稱N溝道雙MOSFET。飛兆半導體將會根據研究和客戶需求增添更多的器件。兩款FDMS36xxS系列器件均滿足RoHS標準要求。

        這些非對稱結構功率級雙MOSFET模塊是飛兆半導體全面廣泛的先進MOSFET產品系列的組成部分，為電源設計人員提供了適用于關鍵任務的高效信息處理設計的全面解決方案。