IR新款超小型PQFN2x2功率MOSFET登場

        全球功率半導體和管理方案領導廠商國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 擴展其封裝系列，推出新款的 PQFN 2mm x 2mm封裝。新的封裝采用IR最新的HEXFET MOSFET硅技術，為一系列的低功耗應用，包括智能手機、平板電腦、攝像機、數碼相機、筆記本電腦、服務器和網絡通訊設備，提供超小型、高密度和高效率的解決方案。

        新款的PQFN2x2器件提供20V、25 V和30 V的選擇，并帶有標準或邏輯水平柵極驅動器。這些器件只需要4mm2的占位空間，采用IR最新的低電壓 N-通道和P-通道硅技術，從而達到極低的導通電阻 (RDS(on)) ，以及等同PQFN3.3x3.3或PQFN5x6封裝的高功率密度。

        IR 亞太區銷售副總裁潘大偉表示：“IR的新型PQFN2x2器件進一步擴展IR廣闊的功率 MOSFET系列，也可以滿足我們客戶的需求，進一步縮小封裝尺寸，并結合基準硅技術。這些新器件擁有超小尺寸和高密度，非常適合于高度數字化內容相關的應用。”

        這個PQFN2x2系列包括為負載開關的高側而優化的P-通道器件，帶來一個更簡單的驅動解決方案。同時，新器件的厚度少于1 mm，使它們與現有的表面貼裝技術兼容，并且擁有行業標準的占位空間，還符合電子產品有害物質限制指令 (RoHS) 。

        產品現正接受批量訂單。數據及MOSFET產品選項工具已刊登于 IR 的網站 www.irf.com。