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制造能耗變革從新一代半導(dǎo)體開始
- 接近62%的能源被白白浪費(fèi) 美國制造創(chuàng)新網(wǎng)絡(luò)(目前稱為MgfUSA)已經(jīng)闡明了美國制造業(yè)規(guī)劃的聚焦點(diǎn)在材料與能源。清潔能源智能制造CESMII中的清潔能源與能源互聯(lián)網(wǎng)自不必說，而在復(fù)合材料IACMI和輕量化研究院LIFT中都關(guān)注到了汽車減重設(shè)計，本身也是為了降低能源消耗的問題。在美國第二個創(chuàng)新研究院“美國電力創(chuàng)新研究院” Power Amercia(PA)其關(guān)注點(diǎn)同樣在于能源的問題。這是一個關(guān)于巨大的能源市場的創(chuàng)新中心。 圖1：整體的能源轉(zhuǎn)換效率約在38
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ROHM SiC在汽車領(lǐng)域的應(yīng)用
- 近年來，SiC(碳化硅)因其優(yōu)異的節(jié)能效果和對產(chǎn)品小型化、輕量化的貢獻(xiàn)，在新能源汽車、城市基礎(chǔ)設(shè)施、環(huán)境/能源，以及工業(yè)設(shè)備領(lǐng)域的應(yīng)用日益廣泛。與同等額定電流的IGBT產(chǎn)品相比，SiC產(chǎn)品憑借更低的開關(guān)損耗，可實現(xiàn)設(shè)備中冷卻機(jī)構(gòu)的小型化。同時，通過更高頻率的開關(guān)動作，還可實現(xiàn)線圈和電容器等周邊元器件的小型化。可見，SiC是可以同時實現(xiàn)設(shè)備節(jié)能化、小型化和輕量化的“理想的元器件”。
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一篇文章讀懂超級結(jié)MOSFET的優(yōu)勢
- 平面式高壓MOSFET的結(jié)構(gòu) 圖1顯示了一種傳統(tǒng)平面式高壓MOSFET的簡單結(jié)構(gòu)。平面式MOSFET通常具有高單位芯片面積漏源導(dǎo)通電阻，并伴隨相對更高的漏源電阻。使用高單元密度和大管芯尺寸可實現(xiàn)較低的RDS(on)值。但大單元密度和管芯尺寸還伴隨高柵極和輸出電荷，這會增加開關(guān)損耗和成本。另外還存在對于總硅片電阻能夠達(dá)到多低的限制。器件的總RDS(on)可表示為通道、epi和襯底三個分量之和： RDS(on) = Rch + Repi + Rsub 圖1：傳統(tǒng)平面式MOSF
- 關(guān)鍵字： MOSFET 超級結(jié)
智能電網(wǎng)端口保護(hù)：這不是一顆“料”在戰(zhàn)斗!
- 今天，做一個產(chǎn)品或系統(tǒng)的電路保護(hù)方案，特別是智能電網(wǎng)等工業(yè)應(yīng)用的端口保護(hù)設(shè)計，就像是組織一場足球比賽的防御戰(zhàn)：你需要有大牌的球(yuan)星(jian)，還需要有將他們捏合在一起的戰(zhàn)術(shù)，去抵御來自對手的每一次可能的“進(jìn)攻”。這其中的門道兒不少，但也有套路可尋，今天我們就來看看世健(Excelpoint)作為工業(yè)電路保護(hù)界的“豪門”，是怎么玩兒的。 那些明星元件 先來細(xì)數(shù)一下世健帳下那些在智能電網(wǎng)上可堪重用的電路保護(hù)元件“球星”，它們大多來自Bourns公司，每顆料都很有“料”。比如： TBU高速
- 關(guān)鍵字： 智能電網(wǎng) MOSFET
1200V CoolSiCTM MOSFET兼具高性能與高可靠性
- SiC在電源轉(zhuǎn)換器的尺寸、重量和/或能效等方面具有優(yōu)勢。當(dāng)然，要進(jìn)行大批量生產(chǎn)，逆變器除了靜態(tài)和動態(tài)性能之外，還必須具備適當(dāng)?shù)目煽啃裕约白銐虻拈撝惦妷汉鸵詰?yīng)用為導(dǎo)向的短路耐受能力等。可與IGBT兼容的VGS=15V導(dǎo)通驅(qū)動電壓，以便從IGBT輕松改用SiC MOSFET解決方案。英飛凌的1200V CoolSiCTM MOSFET可滿足這些要求。
- 關(guān)鍵字： 電源轉(zhuǎn)換器 SiC MOSFET 逆變器 201707
電源模塊性能的PCB布局優(yōu)化
- 全球出現(xiàn)的能源短缺問題使各國政府都開始大力推行節(jié)能新政。電子產(chǎn)品的能耗標(biāo)準(zhǔn)越來越嚴(yán)格，對于電源設(shè)計工程師，如何設(shè)計更高效率、更高性能的電源是一個永恒的挑戰(zhàn)。本文從電源PCB的布局出發(fā)。
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電源設(shè)計小貼士43：分立器件——一款可替代集成MOSFET驅(qū)動器的卓越解決方案
- 在本設(shè)計小貼士中，我們來了解一下自驅(qū)動同整流器并探討何時需要分立驅(qū)動器來保護(hù)同步整流器柵極免受過高電壓帶來的損壞。理想情況下，您可以利用電源變壓器直接驅(qū)動同步整流器，但是由于寬泛的輸入電壓變量，變壓器電壓會變得很高以至于可能會損壞同步整流器。
- 關(guān)鍵字： 分立器件 MOSFET 同步整流器 電源設(shè)計小貼士
電源設(shè)計小貼士 42：可替代集成MOSFET的分立器件
- 分立器件可以幫助您節(jié)約成本。價值大約 0.04 美元的分立器件可以將驅(qū)動器 IC 成本降低 10 倍。分立驅(qū)動器可提供超過2A 的電流并且可以使您從控制 IC 中獲得電力。此外，該器件還可去除控制 IC 中的高開關(guān)電流，從而提高穩(wěn)壓和噪聲性能。
- 關(guān)鍵字： 德州儀器 分立器件 MOSFET 電源設(shè)計小貼士
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