在本《電源設計小貼士》中，我們將最終對一種估算熱插拔 MOSFET 溫升的簡單方法進行研究。在《電源設計小貼士28》中，我們討論了如何設計溫升問題的電路類似方法。我們把熱源建模成了電流源。根據系統組件的物理屬性，計算得到熱阻和熱容。遍及整個網絡的各種電壓代表各個溫度。
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熱插拔 MOSFET 網絡
GaN 功率管的發展微波功率器件近年來已經從硅雙極型晶體管、場效應管以及在移動通信領域被廣泛應用的LDMOS 管向以碳化硅 ( SiC )、氮鎵 ( GaN ) 為代表的寬禁帶功率管過渡。SiC、GaN 材料，由于具有寬帶隙、高飽和漂移速度、高臨界擊穿電場等突出優點，與剛石等半導體材料一起，被譽為是繼第一代 Ge、Si 半導體材料、第二代
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GaN SiC 第三代半導體材料
意法半導體推出了采用先進的PowerFLATTM 5x6雙面散熱(DSC)封裝的MOSFET晶體管，新產品可提高汽車系統電控單元(ECU)的功率密度，已被為全球所有的汽車廠商提供先進技術的汽車零配件大廠電裝株式會社選用。 STLD200N4F6AG和STLD125N4F6AG是40V功率晶體管，可用于汽車電機控制、電池極性接反保護和高性能功率開關。厚度0.8mm的PowerFLATTM 5x6 DSC封裝保留了標準封裝的尺寸和高散熱效率的底部設計，同時將頂部的源極曝露在
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意法半導體 MOSFET
<概要> 全球知名半導體制造商ROHM面向工業設備用的電源、太陽能發電功率調節器及UPS等的逆變器、轉換器，開發出額定1200V 400A、600A的全SiC功率模塊“BSM400D12P3G002”、“BSM600D12P3G001”。 本產品通過ROHM獨有的模塊內部結構及散熱設計優化，實現了600A額定電流，由此，在工業設備用大容量電源等更大功率產品中的應用成為可能。另外，與普通的同等額定電流的IGBT模塊相比，開關損耗降低了64%(芯片溫度150℃時)，這非常有助于應
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ROHM SiC
汽車功率電子產品正成為半導體行業的關鍵驅動因素之一。這些電子產品包括功率元器件，是支撐新型電動汽車續航里程達到至少200英里的核心部件。
雖然智能手機的出貨量遠高于汽車(2015年為14億部[1]，汽車銷量為8,800萬輛[2])，但汽車的半導體零件含量卻高得多。汽車功率IC穩健增長，2015-2020年該行業的年復合增長率預計將達8%[3]。尤其是電池驅動的電動汽車在該行業成為強勁增長推動力，2015年5月Teardown.com針對寶馬i3電動車的報告顯示，該車型物料清單中包含100多個電源
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SiC GaN
雖然智能手機的出貨量遠高于汽車(2015年為14億部[1]，汽車銷量為8,800萬輛[2])，但汽車的半導體零件含量卻高得多。汽車功率IC穩健增長，2015 - 2020年該行業的年復合增長率預計將達8%[3]。尤其是電池驅動的電動汽車在該行業成為強勁增長推動力，2015年5月Teardown.com針對寶馬i3電動車的報告顯示，該車型物料清單中包含100多個電源相關芯片。 與遵循摩爾定律不斷縮小尺寸的先進邏輯晶體管不同，功率元器件FET通常運用更老的技術節點，使用200毫米(和
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SiC GaN
英飛凌科技股份公司(FSE: IFX / OTCQX: IFNNY)壯大現有的CoolMOS?技術產品陣容，推出600 V CoolMOS? P7和600 V CoolMOS? C7 Gold (G7)系列。這兩個產品系列的擊穿電壓高達600 V，具備更出色的超結MOSFET性能。它們可在目標應用中實現非常出色的功率密度。 600 V CoolMOS&
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英飛凌 MOSFET
與市場的不同的觀點:傳統觀點認為功率半導體競爭格局固定,技術升級步伐相對緩慢,與集成電路產業的重要性不可同日而語,中泰電子認為隨著新能源車和高端工控對新型功率器件的需求爆發,功率半導體的產業地位正在逐步提升,其重要性不亞于規模更大的“集成電路”。大陸半導體產業的崛起需要“兩條腿走路”(集成電路+功率器件),由于功率半導體的重要性被長期低估,我國功率半導體產業存在規模小、技術落后、品類不全等諸多不足,適逢我國半導體投融資漸入高峰期,行業龍頭有望率先受益。大
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功率半導體 SiC
東芝公司旗下存儲與電子元器件解決方案公司今日宣布推出新系列小型封裝高壓智能功率器件(IPD)，這些產品用于空調、空氣凈化器和空氣泵等各類風扇電機。該新系列包括600V/2.5A “TPD4204F"和500V/2.5A “TPD4206F2"兩款產品，產品出貨即日啟動。 利用東芝最新的MOSFET技術，新系列IPD在新開發的小型表面貼裝“SOP30”封裝中實現高壓和低功率損耗，該封裝尺寸僅為20.0mm x 14.2mm。其封裝空間僅約為東
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東芝 MOSFET
東芝公司旗下存儲與電子元器件解決方案公司今日宣布推出EMI性能更佳的600V/650V超結N溝道功率MOSFET，該產品適用于工業和辦公設備。該新“DTMOS V系列”最初將提供12款產品。樣品發貨即日啟動，批量生產發貨計劃于3月中旬啟動。 該新系列擁有與東芝當前的“DTMOS IV系列”相同水平的低導通電阻、高速開關性能，同時，其優化的設計流程使EMI性能提升約3至5dB[1]。而且，降低的單位面積導通電阻(RON x A)性能使新的650v 0.
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東芝 MOSFET
意法半導體最新的900V MDmesh? K5超結MOSFET管讓電源設計人員能夠滿足更高功率和更高能效的系統需求，具有同級最好的導通電阻(RDS(ON))和動態特性。 900V擊穿電壓確保高總線電壓系統具有更高的安全系數。新系列產品含有首個RDS(ON)導通電阻低于100m?的900V MOSFET管，是RDS(ON) 電阻最低的DPAK產品。業內最低的柵電荷(Qg)確保開關速度更快，在需要寬輸入電壓的應用領域，實現更大的配置靈活性。這些特性確保標準準諧振電
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意法半導體 MOSFET
高性能轉換器設計中的同步整流對于低電壓、高電流應用（比如服務器和電信電源）至關重要，這是因為過將肖特 基二極管整流替換為同步整流 MOSFET 能夠顯著提高效率和 功率密度。同步整流 MOSFET 的很多關鍵參數甚至器件和印 制電路板的寄生元件都會直接影響同步整流的系統效率。同步整流 MOSFET 的主要要求為：同步整流中的功率損耗(1)導通損耗 二極管整流器的導通損耗占了電源總功耗的很大一部圖1 ?75 V MOSFET 和 600 V MOSFET 中 RDS(ON)的相對比例 ?
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功率 MOSFET
功率因數校正 (PFC) 是輸入功率不低于75 W的AC-DC轉換器的一項強制要求。在某些消費應用（如LED照明） 中，要求在低至5 W的功率下進行某些形式的PFC。在低功 率下，可使用為控制線路頻率而設計的無源元件實現校正目 的。但在高功率下，無源解決方案會變得相當“笨重”而昂 貴；使用高開關頻率有源器件可減小所需無源元件的尺寸。 有源PFC的標準實現方式是輸入整流器后跟升壓轉換 器。盡管新式拓撲正逐漸獲得接受，但升壓PFC仍然是主要解決方案，本文將對其進行進一步
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功率 電路 MOSFET
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