電路的能功要使放大后的波形與輸入波形相似，放大電路必須采用對稱電路，而且有源元件的特性要一致。本電路就是波形失真小的放大電路，各級均為推挽對稱電路，可以獲得上升邊和下降邊時間常數基本相等的脈沖響應以及
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MOSFET VP-P 電壓
電路的功能用于大功率的MOSFET功率放大器，其轉換速度比單級晶體管快，適合在高頻條件下工作。本電路使用了決定轉換速度的激勵器，而且還在輸出級采用了MOSFET，使高頻特性得以改善。輸出功率取決于電源電壓和負載。
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MOSFET 高頻特性 放大器電路 工作原理
有刷直流電機通過電刷進行換向。以下是關于有刷直流電機的一些關鍵點：典型的轉子(也就是電樞)上有繞組，并且在其末端連有換向器電刷與換向部分連接和斷開，從而將能量傳遞到電樞永磁直流電機的定子(或外部機筒)將有
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MOSFET 光學編碼器 PWM 有刷直流電機驅動器
看到這個主題，可能有些工程師會問：多少伏的功率MOSFET，耐壓BVDSS不就是多少伏嗎?這里面還有什么被忽略的內容?細節決定技術，今天研究功率MOSFET數據表中BVDSS所隱藏的一些有意思的細節，來理解這個參數所設定的含義。
數據表中漏源擊穿電壓BVDSS通常定義為漏電流為250uA時漏極到源極的電壓，漏極到源極的漏電流表示為IDSS。數據表中標稱BVDSS電壓是在柵極和源極S短路、25℃的工作溫度、漏極和源極不發生雪崩擊穿時，所能施加的最大的額定電壓，測試的電路如圖1所示。關于雪崩擊穿問題
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MOSFET BVDSS
Fairchild，現在是安森美半導體的一部分，今天推出了其SuperFET® III系列，用于650V N溝道MOSFET，這是該公司新一代的MOSFET，可滿足最新的通信、服務器、電動車(EV)充電器和太陽能產品的更高功率密度、系統效率和優越的可靠性要求。
SuperFET III MOSFET系列兼具一流可靠性、低EMI、卓越效率和優異熱性能，是高性能應用的理想之選。一流性能之外，該系列還提供了廣泛的封裝選擇，賦予了產品設計者更大的靈活性，特別是對于尺寸受限的設計。
Fair
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Fairchild MOSFET
英飛凌科技股份公司推出800 V CoolMOS™ P7系列。該800 V MOSFET基于超級結技術，兼具出類拔萃的性能和優異的易用性。這個新的產品家族非常適于低功率SMPS應用，可完全滿足性能、易于設計和性價比等市場需求。它主要側重于反激式拓撲，這種拓撲常見于適配器、LED照明、音頻、工業和輔助電源等應用。
800 V CoolMOS P7系列可將效率提高最多0.6%。比之CoolMOS C3，或者比之典型反激式應用中測試的其他競爭對手產品，這相當于將
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英飛凌 MOSFET
橫跨多重電子應用領域、全球領先的半導體供應商意法半導體(STMicroelectronics，簡稱ST)推出一系列采用TO-220 FullPAK (TO-220FP)寬爬電間距封裝的功率晶體管，其中包括采用防電弧封裝的全球首款1500V超結MOSFET。
電視和PC等設備常用的開放式電源表面很容易聚集塵土和粉塵，導致功率晶體管引腳之間產生高壓電弧放電現象，TO-220FP寬爬電間距封裝是這類應用功率晶體管的理想選擇。在使用2.54mm引腳間隔的常規封裝時，需要鑄封、引線成形、套管或密封等特殊工
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意法半導體 MOSFET
眾人皆知，由于半導體制程的不斷精進，數位邏輯晶片的電晶體密度不斷增高，運算力不斷增強，使運算的取得愈來愈便宜，也愈來愈輕便，運算力便宜的代表是微電腦、個人電腦，而輕便的成功代表則是筆電、智慧型手機、平板。
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GaN、SiC、Si電源配接電路比較圖 (source：www.nedo.go.jp)
不過，姑且不論摩爾定律(Moors’ Law)能否持續下去，有些電子系統的輕便度仍待改進提升，例如筆電出門經常要帶著一個厚重占體積的電源配接器(Power Ad
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GaN SiC
電的發現是人類歷史的革命，由它產生的動能每天都在源源不斷的釋放，人對電的需求不亞于人類世界的氧氣，如果沒有電，人類的文明還會在黑暗中探索。
然而在電力電子里面，最重要的一個元件就是IGBT。沒有IGBT就不會有高鐵的便捷生活。
一說起IGBT，半導體**的人都以為不就是一個分立器件(Power Disceret)嘛，都很瞧不上眼。然而他和28nm/16nm集成電路**一樣，是國家“02專項”的重點扶持項目，這玩意是現在目前功率電子器件里
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IGBT MOSFET
橫跨多重電子應用領域、全球領先的半導體供應商意法半導體(STMicroelectronics，簡稱ST)的享譽業界的碳化硅(SiC)功率元器件，讓高科技創業公司Zaptec開發出世界上最小、最智能、最安全的電動汽車充電站ZapCharger。Zaptec是變壓器產業革命性的創新性初創公司。
作為市場首款內置電子變壓器的電動汽車便攜式充電器，ZapCharger可以連接任何電網給任何電動汽車充電。意法半導體的SiC MOSFET[1]碳化硅功率芯片具有非凡的功率轉換性能，讓Zaptec工程師得以設
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意法半導體 SiC
SiC功率半導體正進入多個應用領域
當首款碳化硅(SiC)二極管于2001年推出時，整個產業都對SiC功率半導體的未來發展存在疑慮，它會有市場嗎?它能夠真正實現商業化嗎?然而15年之后的今天，人們不再會有這樣的疑慮。SiC功率半導體市場是真實存在的，而且具有廣闊的發展前景。2015年，SiC功率半導體市場(包括二極管和晶體管)規模約為2億美元，到2021年，其市場規模預計將超過5.5億美元，這期間的復合年均增長率預計將達19%。毫無懸念，消耗大量二極管的功率因素校正(powerfactorcor
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SiC 功率半導體
一般來講，尋求更大生活空間的居民會放棄在市區附近生活。盡管住在市區上班方便，并能享受城市服務，但他們更愿意搬到郊區，因為那里房子更大，院子更寬敞。同樣，當工程師需要大電流用于負載點(POL)設計時，他們一般會放棄高密度轉換器(帶集成MOSFET)的便利，取而代之使用一個更復雜的涉及控制器(帶外部MOSFET)解決方案。控制器，與郊區環境相類似，具有相對的靈活性和經濟性，但會占據更多不動產，更多的電路板空間。
直到最近，電流超過10-15A的應用一般會依賴帶外部MOSF
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MOSFET 封裝
下面對MOSFET及MOSFET驅動電路基礎的一點總結，包括MOS管的介紹，特性，驅動以及應用電路。
1，MOS管種類和結構
MOSFET管是FET的一種(另一種是JFET)，可以被制造成增強型或耗盡型，P溝道或N溝道共4種類型，但實際應用的只有增強型的N溝道MOS管和增強型的P溝道MOS管，所以通常提到NMOS，或者PMOS指的就是這兩種。
至于為什么不使用耗盡型的MOS管，不建議刨根問底。
對于這兩種增強型MOS管，比較常用的是NMOS。原因是導通電阻小，且容易制造。所以開
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MOS管 MOSFET
橫跨多重電子應用領域、全球領先的半導體供應商意法半導體(STMicroelectronics，簡稱ST)在混動汽車和電動汽車(EV，Electric Vehicles)市場發布了先進的高能效功率半導體器件，同時還公布了新產品AEC-Q101汽車質量認證時間表。
電動汽車和混動汽車通過提高電能利用率來延長續航里程。意法半導體最新的碳化硅(SiC)技術讓車企能夠研制續航里程更長、充電速度更快的電動和混動汽車，使其更好地融入車主的生活。作為碳化硅技術的領導者，針對汽車所有主要電氣模塊，意法半導體率先推
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意法半導體 MOSFET
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