電機控制系統設計人員需要能夠在嚴苛的應用條件下，提高效率同時確保最高可靠性的解決方案。為此，飛兆半導體開發了SPM? 5 智能功率模塊系列三相 MOSFET 逆變器解決方案，為設計人員提供交流感應電機 (ACIM) 和無刷直流電機逆變器解決方案，適用于功率最高為 200 W 的電機，包括風扇電機、洗碗機和各種小型工業電機。
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飛兆 MOSFET SPM
SiC企業不斷增多，成本不斷下降”一文中，作者根津在開篇寫道：“下一代功率半導體已經不再特別。”這是因為，隨著使用SiC和GaN等“下一代功率半導體”的大量發布，在學會和展會的舞臺上，這種功率半導體逐漸帶上了“當代”的色彩。
那么，在使用功率半導體的制造現場，情況又是如何呢?雖然使用SiC和GaN的產品目前尚處開始增加的階段，仍屬于“下一代”，但在功率半導體使用者的心目中，此類產品已逐漸由
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SiC GaN
用肖特基二極管實現多電源系統有多種方式。例如，μTCA 網絡及存儲服務器等高可用性電子系統都在其冗余電源系統中采用了肖特基二極管“或”電路。二極管“或”電路還用于采用備用電源的系統，例如 AC 交流適配器和備份電池饋送。
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凌力爾特 肖特基二極管 MOSFET
日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號：VSH)宣布，推出采用PowerPAK? 1212-8封裝的-40V---SiS443DN和PowerPAK? 1212-8S封裝的-30V---SiSS27DN器件，擴充其TrenchFET? Gen III P溝道功率MOSFET。
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Vishay MOSFET
GT Advanced Technologies(納斯達克：GTAT)日前推出其新型SiClone(TM) 100碳化硅(SiC)生產爐。 SiClone100采用升華生長技術，能生產出高品質的半導體SiC晶體塊，可最終制成最大直徑為100毫米的芯片。 在其初步階段，SiClone100主要針對本身已經擁有熱場、合格的晶體塊生產配方及正準備開始量產的客戶。
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GT SiC 晶體
雖然所有領先指標都顯示2013年下半年將恢復季節性增長，但包括半導體在內的電子元件產業目前訂單情況遜于當前市場復蘇階段的預期水平。據IHS公司的元件價格走勢追蹤服務，這種需求缺口可能限制今年電子元件市場的增長幅度。
2013年商品類芯片的總體前景仍然堅挺，預計半導體營業收入增長4.8%，盡管該市場的各個領域不會同樣強勁。
在假日季節之前的這個時期，MOSFET、電容與邏輯器件的訂單活動沒有呈現出通常的水平。這個階段通常出現交貨期延長和價格上漲現象，而目前尚未看到這些情況。同時，消費電子、汽
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電子元件 MOSFET
歡迎來到電源設計小貼士！隨著現在對更高效、更低成本電源解決方案需求的強調，我們創建了該專欄，就各種電源管理...
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工作頻率 MOSFET Pcon
飛兆半導體公司是高性能功率半導體和移動半導體解決方案的全球領先供應商，通過引入 100 V BoostPak 設備系列優化 MOSFET 和二極管選擇過程，將 MOSFET 和二極管集成在一個封裝內，代替 LED 電視 / 顯示器背光、LED 照明和 DC-DC 轉換器應用中目前使用的分立式解決方案。
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飛兆 MOSFET LED
安森美半導體 (ON Semiconductor) 推出兩款新的MOSFET器件，用于智能手機及平板電腦應用，作為鋰離子電池充電/放電保護電路開關的關鍵組成部分。EFC6601R和EFC6602R幫助設計人員減小方案尺寸、提升能效及將電池使用時間延至最長。
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安森美 MOSFET 鋰離子電池
日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號：VSH)宣布，其E系列器件新增650V功率MOSFET。這些22款新器件采用8種不同封裝，將10V下的導通電阻擴展到30mΩ～600mΩ，將最高電流等級擴大為6A～105A。
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Vishay E系列 MOSFET
什么是功率MOSFET？我們都懂得如何利用二極管來實現開關，但是，我們只能對其進行開關操作，而不能逐漸控制信...
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功率 MOSFET 基礎知識
一、引言電力電子設備正朝著高頻、高效、高可靠、高功率因數和低成本的方向發展，功率器件則要求高速、...
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IGBT MOSFET
日前，集設計，研發一體的著名功率半導體及芯片供應商萬國半導體(AOS, 納斯達克代碼: AOSL)發布了旗下最新150V MOSFET器件: AON6250。該器件作為AOS AlphaMOS? (?MOS?)中壓系列旗艦產品，為眾多設備追求極致效率提供了解決方案。
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AOS AON6250 MOSFET
高分辨率、緊湊有源整流橋應用(如網絡攝像機)中的過熱可能導致圖像質量問題。 同樣，熱致噪聲可能影響系統的圖像傳感器，也會降低相機的圖片質量。 調節熱波動的典型散熱解決方案會增加元件數量，占用電路板空間，讓這些設計變得更復雜。
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飛兆 FDMQ86530L MOSFET
在未來十年，受電源、光伏(PV)逆變器以及工業電動機的需求驅動，新興的碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)功率半導體市場將以18%的驚人速度穩步增長。
據有關報告稱，至2022年SiC和GaN功率半導體的全球銷售額將從2012年的1.43億美元增加到28億美元。據預測，未來十年這一市場的銷售額將實現兩位數的年增長率。
SiC肖特基二極管已存在十多年，SiC金氧半場效晶體管(MOSFET)、結晶性場效應晶體管(JFET)和雙極型晶體管(BJT)在最近幾年出現。GaN功率半導體則剛剛進入市場。G
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GaN 半導體 SiC
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