- 在未來十年，受電源、光伏(PV)逆變器以及工業電動機的需求驅動，新興的碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)功率半導體市場將以18%的驚人速度穩步增長。
據有關報告稱，至2022年SiC和GaN功率半導體的全球銷售額將從2012年的1.43億美元增加到28億美元。據預測，未來十年這一市場的銷售額將實現兩位數的年增長率。
SiC肖特基二極管已存在十多年，SiC金氧半場效晶體管(MOSFET)、結晶性場效應晶體管(JFET)和雙極型晶體管(BJT)在最近幾年出現。GaN功率半導體則剛剛進入市場。G
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GaN 半導體 SiC
- 我們在做電路設計中三極管和MOS管做開關用時候有什么區別。工作性質：1.三極管用電流控制，MOS管...
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MOSFET 三極管
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MOSFET 降壓轉換器 RGB LED
- 日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號：VSH)宣布，發布新款采用熱增強型PowerPAK? SO-8封裝的新款N溝道TrenchFET?功率MOSFET---SiR872ADP，將該公司的ThunderFET?技術的電壓擴展至150V。
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Vishay DC/DC MOSFET SiR872ADP
- 針對IGBT和MOSFET可再生能源應用的35V、單通道柵極驅動器,引言對電能轉換而言，可再生能源電子細分市場是一個復雜且多樣化的競技場。在一些負載點應用中，開關型功率轉換器通常為非隔離式，功率水平相當低(200 W)，并且常常會把電
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IGBT MOSFET 柵極驅動器
- 在綠色能源和節能計劃的帶動下，加之出口回升，預計今年中國市場的功率MOSFET出貨量繼2011年大幅下滑之后反彈。這暗示中國以及其它主要全球經濟體的形勢好轉。功率MOSFET廣泛用于多種電子產品與系統之中。
據IHS公司的中國研究專題報告，今年中國功率MOSFET產業的營業收入預計為22.5億美元，比2012年的21.8億美元增長3%。去年該市場比2011年的23.7億美元下降8%。
明年增長將更加強勁，預計營業收入上升11%，隨后每年將保持穩定增長，至少保持到2017年。到2017年，預
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消費電子 MOSFET
- 常用功率器件MOSFET的基礎知識介紹,我們都懂得如何利用二極管來實現開關，但是，我們只能對其進行開關操作，而不能逐漸控制信號流。此外，二極管作為開關取決于信號流的方向;我們不能對其編程以通過或屏蔽一個
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MOSFET 功率器件
- SiC集成技術在生物電信號采集設計, 人體信息監控是一個新興的領域，人們設想開發無線腦電圖(EEG)監控設備來診斷癲癇病人，可穿戴的無線EEG能夠極大地改善病人的活動空間，并最終通過因特網實現家庭監護。這樣的無線EEG系統已經有了，但如何將他們的體
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SiC 集成技術 生物電信號采集
- 摘要：在分析了功率MOSFET其結構特性的基礎上，討論驅動電路的設計，從而優化MOSFET的驅動性能，提高設計的可靠性。
關鍵詞：MOSFET；急聚點；損耗
功率MOSFET具有開關速度快，導通電阻小等優點，因此在開關
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MOSFET 急聚點 損耗
- L為PCB走線電感，根據他人經驗其值為直走線1nH/mm，考慮其他走線因素，取L=Length+10（nH），其中Length單位取mm。Rg...
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MOSFET 驅動電阻
- 在電源設計小貼士#42中，我們討論了MOSFET柵極驅動電路中使用的發射器跟蹤器，并且了解到利用小型SOT-23...
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MOSFET 驅動器
- 要點1.導通電阻與柵極電荷規格的改善正在變得更難以實現和更昂貴。2.作為功率開關器件的選擇，硅遠未到...
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晶圓減薄 MOSFET
- 日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號：VSH)宣布，推出用于功率MOSFET、microBUCK? 功率IC和DrMOS產品的免費在線熱仿真工具ThermaSim 3.0版。為精確分析仿真的溫度曲線，功能強大的最新版本ThermaSim引入了很多關鍵特性，比如裸片溫度對功率耗散的時間縮放功能，定義更多的真實條件以提高仿真精度和設計靈活性，減輕對用戶使用經驗的要求。
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Vishay MOSFET DrMOS
- 摘要： 先進的單元結構和壽命控制技術已同時增強了功率MOSFET的導通電阻和反向恢復性能。 本文介紹一種新開發的平面MOSFET—UniFETTM II MOSFET—具有顯著提高的體二極管特性，另外還介紹了其性能和效率。
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MOSFET 鎮流器 FRFET 201302
- 全球功率半導體和管理方案領導廠商 – 國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出車用AUIR3200S MOSFET 驅動IC。新產品具有全面保護和診斷功能，為繼電器更換和電池開關應用提供更高的可靠性。
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