- 日本知名半導體制造商羅姆(總部位于日本京都市)面向服務器、筆記本電腦以及平板電腦等所使用的低耐壓DC/DC轉換器，開發出了功率MOSFET。
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羅姆 MOSFET DC/DC
- 恩智浦半導體(納斯達克代碼：NXPI)日前推出業內首款2 mm x 2 mm、采用可焊性鍍錫側焊盤的超薄DFN (分立式扁平無引腳)封裝MOSFET。這些獨特的側焊盤提供光學焊接檢測的優勢，與傳統無引腳封裝相比，焊接連接質量更好。
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恩智浦 MOSFET
- 在“2012年歐洲電力電子、智能運動、電能品質國際研討會與展覽會”上，英飛凌科技股份公司(FSE: IFX / OTCQX: IFNNY)推出新的CoolSiCTM 1200V SiC JFET 系列，該產品系列增強了英飛凌在SiC(碳化硅)產品市場的領先地位。這個革命性的新產品系列，立足于英飛凌在SiC技術開發以及高質量、大批量生產方面十多年的豐富經驗。
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英飛凌 SiC JFET
- 全球功率半導體和管理方案領導廠商 – 國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出采用堅固耐用TO-220 fullpak封裝的車用功率MOSFET系列，適合包括無刷直流電機、水泵和冷卻系統在內的各類汽車應用。
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IR MOSFET
- 工程師在為汽車電子設計電源系統時可能會遇到在設計任何電源應用時都會面臨的挑戰。因為功率器件MOSFET必須能夠承受極為苛刻的環境條件。環境工作溫度超過120℃會使器件的結點溫度升高，從而引發可靠性和其它問題。在
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情況 解析 方案 相關 MOSFET 電阻 下降 功率 能使導
- 開關電源由于體積小、重量輕、效率高等優點，應用已越來越普及。MOSFET由于開關速度快、易并聯、所需驅動功率低等優點已成為開關電源最常用的功率開關器件之一。而驅動電路的好壞直接影響開關電源工作的可靠性及性能
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介紹 分析 電路 驅動 MOSFET 開關電源
- 目前，電源工程師面臨的一個主要難題是，隨著功能的日益增多，商用電子產品的尺寸不斷縮小，留給電源電路的空間越來越少。解決這個難題的辦法之一是充分利用在MOSFET技術和封裝上的進步。通過在更小尺寸的封裝內采用
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電源 設計 簡化 封裝 芯片 功率 MOSFET
- 日本京都大學工學研究系電子工學專業教授木本恒暢等人的研究小組，試制出了耐壓高達21.7kV的SiC制PiN二極管。此前雖有耐壓為十數kV的半導體功率元件，但超過20kV的尚為首次，“是半導體元件中的世界最高值”(木本)。
該二極管的設想用途為置換變電站使用的硅制GTO。比如，日本的電網電壓為6.6kV，因此要求耐壓達到20kV。據稱目前是使用3～4個數kV的GTO來確保耐壓的。如果使用耐壓超過20kV的SiC制PiN二極管，一個即可滿足要求。由此，轉換器及冷卻器等便可實現
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SIC 二極管 半導體
- 恩智浦半導體NXP Semiconductors N.V. (納斯達克：NXPI)日前宣布推出全新汽車級功率MOSFET器件系列，該系列采用恩智浦的Trench 6技術，具有極低導通電阻(RDSon)、極高的開關性能以及出色的品質和可靠性。恩智浦新型汽車級MOSFET已取得AEC-Q101認證，成功通過了175?C高溫下超過1,600小時的延長壽命測試(性能遠超Q101標準要求)，同時具有極低PPM 水平。
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恩智浦 MOSFET
- 工程師在為汽車電子設計電源系統時可能會遇到在設計任何電源應用時都會面臨的挑戰。因為功率器件MOSFET必須能夠承受極為苛刻的環境條件。環境工作溫度超過120℃會使器件的結點溫度升高，從而引發可靠性和其它問題。在
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MOSFET 車用 如何提高 能量
- 功率場效應晶體管（PowerMOSFET）是一種多數載流子導電的單極型電壓控制器件，具有開關速度快、高頻性能好、...
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MOSFET 驅動 保護電路
- 電阻值的測量通常比較簡單。但是，對于非常小阻值的測量，我們必須謹慎對待我們所做的假定。對于特定的幾何形狀，如電線，Kelvin方法是非常精確的。可以使用類似的方法來測量均勻樣本的體電阻率和面電阻率，但是所使
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MOSFET 精確測量 導通電阻
- 摘要：率場效應晶體管由于具有諸多優點而得到廣泛的應用；但它承受短時過載的能力較弱，使其應用受到一定的限制。分析了MOSFET器件驅動與保護電路的設計要求；計算了MOSFET驅動器的功耗及MOSFET驅動器與MOSFET的匹配
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設計 應用 電路 保護 驅動 MOSFET
- 全球功率半導體和管理方案領導廠商 – 國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出PowIRaudio集成式功率模塊系列，適用于高性能家庭影院系統及車用音頻放大器。新器件將脈沖寬度調制控制器和兩個數字音頻功率MOSFET集成至單一封裝，提供高效緊湊的解決方案，有助于減少零部件數量，縮小高達70% 的電路板尺寸，并能簡化D類放大器設計。
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IR MOSFET PowIRaudio
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