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        sic mosfet 文章 最新資訊

        電子元器件科普小知識(shí):功率MOSFET的基礎(chǔ)知識(shí)

        • 什么是功率MOSFET我們都懂得如何利用二極管來(lái)實(shí)現(xiàn)開(kāi)關(guān),但是,我們只能對(duì)其進(jìn)行開(kāi)關(guān)操作,而不能逐漸控制信號(hào)流。...
        • 關(guān)鍵字: 電子元器件  MOSFET  

        非傳統(tǒng)MOSFET方案提高功率CMOS器件功效的方法

        • 衷于從縮小晶體管來(lái)提高密度和性能。在相同的成本上具有更快的速度、更大的內(nèi)存,是一件多么美妙的事情!越來(lái)...
        • 關(guān)鍵字: MOSFET  CMOS器件  

        基于功率場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)的結(jié)構(gòu)工作原理及應(yīng)用

        • 本文將介紹功率MOSFET(場(chǎng)效應(yīng)管)的結(jié)構(gòu)、工作原理及基本工作電路。什么是MOSFET(場(chǎng)效應(yīng)管)“MOSFET(場(chǎng)效應(yīng)...
        • 關(guān)鍵字: MOSFET  工作原理  應(yīng)用  

        開(kāi)關(guān)電源設(shè)計(jì)中MOSFET驅(qū)動(dòng)技術(shù)詳解

        • MOSFET作為功率開(kāi)關(guān)管,已經(jīng)是是開(kāi)關(guān)電源領(lǐng)域的絕對(duì)主力器件。雖然MOSFET作為電壓型驅(qū)動(dòng)器件,其驅(qū)動(dòng)表面上看來(lái)...
        • 關(guān)鍵字: 開(kāi)關(guān)電源  MOSFET  驅(qū)動(dòng)技術(shù)  

        節(jié)能技術(shù)獲支持 功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)進(jìn)黃金期

        •   據(jù)中國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(huì)的相關(guān)人士透露,有關(guān)促進(jìn)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展的綱要性文件已草擬完畢,目前正在進(jìn)行部際協(xié)調(diào)。獲悉,政策扶持的重點(diǎn)將主要集中于集成電路的設(shè)計(jì)和制造方面,尤其是本土自主核心產(chǎn)業(yè)龍頭企業(yè),功率半導(dǎo)體將迎來(lái)重要戰(zhàn)略機(jī)遇期和黃金發(fā)展期。   功率半導(dǎo)體是節(jié)能減排的關(guān)鍵技術(shù)和基礎(chǔ)技術(shù),被大量應(yīng)用于消費(fèi)類電子、新能源汽車(chē)、光伏發(fā)電、風(fēng)電、工業(yè)控制和國(guó)防裝備。2013年以來(lái)我國(guó)大部分地區(qū)霧霾天氣頻發(fā),在這種背景下,大規(guī)模使用功率半導(dǎo)體來(lái)提高能源效率、促進(jìn)節(jié)能減排,也成為半導(dǎo)體行業(yè)發(fā)展的重要方向。   
        • 關(guān)鍵字: 功率半導(dǎo)體產(chǎn)  MOSFET  

        SiC元件“真命天子” 溝道MOSFET即將實(shí)用化

        • 高品質(zhì)的150mm口徑SiC基板已經(jīng)實(shí)現(xiàn)。我們將利用這種基板,在2015年投產(chǎn)“溝道型”SiCMOSFET’。在‘CEATECJ...
        • 關(guān)鍵字: SiC元件  MOSFET  

        預(yù)驅(qū)動(dòng)器和MOSFET控制功率負(fù)載的電路設(shè)計(jì)

        • 隨著汽車(chē)電子設(shè)備的不斷增多,如自動(dòng)變速箱,電動(dòng)后視鏡折疊、中控自動(dòng)門(mén)鎖等高級(jí)功能的普及,我們電控模塊的驅(qū)動(dòng)...
        • 關(guān)鍵字: 預(yù)驅(qū)動(dòng)器  MOSFET  控制功率  

        MOSFET封裝伸援助之手 滿足芯片組移動(dòng)新功能

        • 面臨為需求若渴的移動(dòng)設(shè)備市場(chǎng)提供新功能壓力的設(shè)計(jì)人員正在充分利用全新亞芯片級(jí)封裝(sub-CSP)技術(shù)的優(yōu)勢(shì),...
        • 關(guān)鍵字: MOSFET  封裝  

        用功率MOSFET系列器件設(shè)計(jì)更綠色、更小的電源

        • TrenchFET?IV是TrenchFET功率MOSFET家族中的最新一代產(chǎn)品。與TrenchFETIII相比,TrenchFETIV的導(dǎo)通電阻(R...
        • 關(guān)鍵字: MOSFET  器件設(shè)計(jì)  

        開(kāi)關(guān)電源行業(yè)已漸入佳境 產(chǎn)業(yè)增長(zhǎng)迅速

        •   隨著電力電子技術(shù)的高速發(fā)展,電力電子設(shè)備與人們的工作、生活的關(guān)系日益密切,而電子設(shè)備都離不開(kāi)可靠的電源,進(jìn)入80年代計(jì)算機(jī)電源全面實(shí)現(xiàn)了開(kāi)關(guān)電源化,率先完成計(jì)算機(jī)的電源換代,進(jìn)入90年代開(kāi)關(guān)電源相繼進(jìn)入各種電子、電器設(shè)備領(lǐng)域,程控交換機(jī)、通訊、電子檢測(cè)設(shè)備電源、控制設(shè)備電源等都已廣泛地使用了開(kāi)關(guān)電源,更促進(jìn)了開(kāi)關(guān)電源技術(shù)的迅速發(fā)展。   開(kāi)關(guān)電源是利用現(xiàn)代電力電子技術(shù),控制開(kāi)關(guān)管開(kāi)通和關(guān)斷的時(shí)間比率,維持穩(wěn)定輸出電壓的一種電源,開(kāi)關(guān)電源一般由脈沖寬度調(diào)制控制IC和MOSFET構(gòu)成。隨著電力電子技術(shù)的
        • 關(guān)鍵字: 開(kāi)關(guān)電源  MOSFET  

        麥瑞推出新型85V半橋MOSFET驅(qū)動(dòng)器

        • 2014年1月8日,高性能線性和電源解決方案、局域網(wǎng)以及時(shí)鐘管理和通信解決方案領(lǐng)域的行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者麥瑞半導(dǎo)體公司(Micrel Inc.)(納斯達(dá)克股票代碼:MCRL)推出一款85V半橋MOSFET驅(qū)動(dòng)器MIC4605,該驅(qū)動(dòng)器具有自適應(yīng)停滯時(shí)間和擊穿保護(hù)功能。
        • 關(guān)鍵字: 麥瑞  MOSFET  MIC4605  DC/AC  

        車(chē)用六路低端前置驅(qū)動(dòng)器

        • 安森美半導(dǎo)體的NCV7513屬于FlexMOSTM產(chǎn)品系列中的一個(gè)系列,用于控制并保護(hù)N型邏輯電平MOSFET,包括安森美半導(dǎo)...
        • 關(guān)鍵字: 前置驅(qū)動(dòng)器  NCV7513  MOSFET  

        汽車(chē)電子系統(tǒng)使用自保護(hù)MOSFET需考慮的因素

        電源技術(shù)在高密度與新材料輔助下追逐高效

        • 電源技術(shù)的市場(chǎng)需求一直離不開(kāi)高能效和清潔能源,在這兩個(gè)大的市場(chǎng)需求推動(dòng)下,電源技術(shù)對(duì)高能效的追求已經(jīng)不是簡(jiǎn)單的設(shè)計(jì)能夠滿足的,新的高能效密度的新材料成為市場(chǎng)的主要推動(dòng)力。
        • 關(guān)鍵字: 電源管理  MOSFET  智能電網(wǎng)  201401  

        新一代SiC和GaN功率半導(dǎo)體競(jìng)爭(zhēng)激烈

        •   與現(xiàn)在的Si功率半導(dǎo)體相比,SiC及GaN等新一代功率半導(dǎo)體有望利用逆變器和變流器等大幅提高效率并減小尺寸。2013年采用SiC功率元件和GaN功率元件的事例逐漸增加,同時(shí)各企業(yè)也圍繞這些元件展開(kāi)了激烈的開(kāi)發(fā)競(jìng)爭(zhēng)。   SiC功率半導(dǎo)體方面,在柵極設(shè)有溝道的溝道型MOSFET的開(kāi)發(fā)在2013年大幅加速。以前推出的SiC MOSFET只有平面型,尚未推出溝道型。溝道型MOSFET的導(dǎo)通電阻只有平面型的幾分之一,因此可以進(jìn)一步降低損耗。導(dǎo)通電阻降低后,采用比平面型更小的芯片面積即可獲得相同載流量。也
        • 關(guān)鍵字: SiC  GaN  
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