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        sic mosfet 文章 最新資訊

        通過基片薄型化降低導通電阻漸成趨勢

        •   通過減薄SiC二極管的基片厚度來減小導通電阻的研發日趨活躍。這一趨勢在耐壓1.2kV以下的低中耐壓產品中最為突出。其背景在于,越是低耐壓產品,基片上層積的漂移層就越薄,因此在SiC二極管的導通電阻中,基片的電阻成分所占比例就越大。   目前,SiC基片的厚度以350μm為主流,超薄產品也要達到230μm左右。為了進一步減薄厚度,許多大型SiC功率元件廠商都在致力于相關研發。   比如,羅姆通過研磨等工序將SiC基片減薄至50μm,并用其試制出了耐壓700V的SiC肖特基勢壘二極管
        • 關鍵字: 三菱電機  SiC  

        MOS管驅動電路總結

        • 電子產品世界,為電子工程師提供全面的電子產品信息和行業解決方案,是電子工程師的技術中心和交流中心,是電子產品的市場中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網絡家園
        • 關鍵字: MOS管  驅動電路  MOSFET  導通特性  AN799  

        把握LED設計關鍵 實現情調照明

        • 一、LED的出現打破了傳統光源的設計方法與思路,目前有兩種最新的設計理念。1.情景照明:是2008年由飛...
        • 關鍵字: LED    MOSFET  

        淺析MOSFET的UIS及雪崩能量

        • 在功率MOSFET的數據表中,通常包括單脈沖雪崩能量EAS,雪崩電流IAR,重復脈沖雪崩能量EAR等參數,而許多電子工...
        • 關鍵字: MOSFET  電源設計  

        SiC二極管 通過基片薄型化降低導通電阻

        •   通過減薄SiC二極管的基片厚度來減小導通電阻的研發日趨活躍。這一趨勢在耐壓1.2kV以下的低中耐壓產品中最為突出。其背景在于,越是低耐壓產品,基片上層積的漂移層就越薄,因此在SiC二極管的導通電阻中,基片的電阻成分所占比例就越大。   目前,SiC基片的厚度以350μm為主流,超薄產品也要達到230μm左右。為了進一步減薄厚度,許多大型SiC功率元件廠商都在致力于相關研發。   比如,羅姆通過研磨等工序將SiC基片減薄至50μm,并用其試制出了耐壓700V的SiC肖特基勢壘二極管
        • 關鍵字: SiC  二極管  

        Power Integrations的高頻率雙管正激IC可大幅降低系統成本和尺寸

        • 用于高能效電源轉換的高壓集成電路業界的領導者 Power Integrations公司(納斯達克股票代號:POWI)日前宣布推出HiperTFS?-2系列IC - 一款同時集成了高壓MOSFET、雙管正激和反激電源控制器的IC。如此高的集成度可節省超過20個元件,從而減小外形尺寸并提高功率密度。
        • 關鍵字: Power  MOSFET  HiperTFS-2  

        飛兆集成式智能功率級(SPS)模塊具有更高的功率密度和更佳的效率

        • 在電路板尺寸不斷縮小的新一代服務器和電信系統供電應用中,提高效率和功率密度是設計人員面臨的重大挑戰。
        • 關鍵字: 飛兆  MOSFET  SPS  驅動器  

        新日本無線新推出粗銅線絲焊類型的音頻SiC-SBD

        • 新日本無線的這款新MUSES音頻系列產品 MUSES7001 是采用了粗銅線絲焊方式的音頻碳化硅肖特基二極管(SiC-SBD:Silicon Carbide-Schottky Barrier Diode),粗銅線有利于降低損耗提高效率,SiC-SBD專長于高速開關動作,再加上注重最佳音質的制造工藝技術,能夠實現高音質音響效果。
        • 關鍵字: 新日本無線  SiC-SBD  MUSES  

        德州儀器超小型 FemtoFET? MOSFET 支持最低導通電阻

        • 日前,德州儀器 (TI) 宣布面向智能手機與平板電腦等空間有限手持應用推出業界最小型低導通電阻 MOSFET。該最新系列 FemtoFET? MOSFET 晶體管采用超小型封裝,支持不足 100 毫歐的導通電阻。
        • 關鍵字: TI  MOSFET  導通電阻  

        怎么能使Simulink的仿真速度更快?

        • 現在的專業軟件都是越做越大,功能成倍成倍地增加,而處理的對象也是越來越復雜,特別是使用一些仿真軟件在高精度下建模仿真的時候,因為PC上硬件的發展速度慢于軟件功能復雜化的速度,就造成了我們的仿真看起來是越跑越慢了。
        • 關鍵字: Simulink  仿真速度  操作系統  MOSFET  

        深入淺出常用元器件系列——MOSFET

        • MOSFET,中文名金屬-氧化層-半導體-場效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在模擬電路與數字電路的場效晶體管(field-effect transistor)。
        • 關鍵字: MOSFET  晶體管  datasheet  漏極電流  

        安森美用于辦公自動化設備應用的高能效步進電機驅動器方案

        • 電機的應用非常廣泛,遍及人們工作及生活的各個領域,如打印機、復印機、傳真機、投影儀、電冰箱、洗衣機、空調、燃氣灶、照相機、ATM機、電動縫紉機、保安攝像機、自動售貨機、熱水供應系統、園林灌溉系統及工業自動化等。
        • 關鍵字: 安森美  電機驅動  步進電機  MOSFET  驅動器  

        Vishay 聯袂中國電源學會舉辦電源專題研討會

        • 2013 年 10 月14 日,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號:VSH)宣布,將與中國電源學會合作于10月16日舉辦電源專題研討會,該研討會內容涵蓋功率MOSFET、電源模塊、光電器件和二極管,同期還將有多位業內專家出席并做宣講。研討會將在中國武漢的長江大酒店召開。
        • 關鍵字: Vishay  MOSFET  

        美高森美全新650V碳化硅肖特基解決方案提升大功率系統性能

        • 致力于提供幫助功率管理、安全、可靠與高性能半導體技術產品的領先供應商美高森美公司(Microsemi Corporation,紐約納斯達克交易所代號:MSCC) 擴展碳化硅(SiC)肖特基產品系列,推出全新的650V解決方案產品系列,新型二極管產品瞄準包括太陽能逆變器的大功率工業應用。
        • 關鍵字: 美高森美  SiC  

        在ZVS拓撲中選擇最優的死區時間

        • 摘要:通過本文的分析來優化中壓和高壓功率MOSFET在各種隔離式轉換器拓撲使用時的死區時間,能夠幫助工程師發現各種器件技術的優點,甚至使那些過時的設計方案也能達到更好的性能。
        • 關鍵字: ZVS  MOSFET  DC-DC  IBC  柵極  201311  
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        sic mosfet介紹

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