SiC市場領導者Cree(科銳公司)近期推出了首款能夠突破業界SiC功率器件技術的900V MOSFET平臺。該款升級版平臺，基于Cree的SiC平面技術從而擴展了產品組合，能夠應對市場更新的設計挑戰，可用于更高直流母線電壓。且領先于900V超結Si基MOSFET技術，擴大了終端系統的功率范圍，在更高溫度時仍能提供低導通電阻Rds(on)，大大減小了熱管理系統的尺寸，很好地解決了散熱及顯著降額的問題。與目前的Si基方案相比， 900V SiC MOSFET平臺為電源轉換設計者提供了更多的創新空間，方便
日前，碳化硅(SiC)技術全球領導者半導體廠商Cree宣布推出采用 SiC材料可使感應加熱效率達到99%的Vds最大值為1.2KV、典型值為5.0 m?半橋雙功率模塊CAS300M12BM2。該款產品目標用途包括感應加熱設備、電機驅動器、太陽能和風能逆變器、UPS和開關電源以及牽引設備等。
世強代理的CAS300M12BM2外殼采用行業標準的62mm x 106mm x 30mm，封裝則采用Half-Bridge Module，具有超低損耗、高頻率特性以及易于并聯等特點。漏極電流方面，連續通電時
根據Yole Development預測，功率晶體管將從硅晶徹底轉移至碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)基板，以期能在更小的空間中實現更高功率。
在最新出版的“GaN與SiC器件驅動電力電子應用”(GaN and SiC Devices for Power Electronics Applications)報告中，Yole Development指出，促進這一轉型的巨大驅動力量之一來自電動車(EV)與混合動力車(HEV)產業。Yole預期EV/HEV產業將持續大力推動Si
e絡盟日前宣布新增多款來自全球半導體和分立器件領先供應商威世2015 Super 12系列的創新型無源元件和半導體產品，其中包括電容、電阻及MOSFET，適用于醫療、消費電子、可替代能源、工業、電信、計算及汽車電子等各種應用領域。
e絡盟大中華區區域銷售總監朱偉弟表示：“e絡盟擁有來自全球領先供應商的豐富產品系列，可充分滿足廣大用戶對最新技術的需求，幫助他們進行產品開發與制造。此次新增的幾款威世Super 12系列創新型產品均為全球最佳產品。用戶可通過e絡盟升級版網站，更加快捷地查看
SiC Mosfet具有耐高壓、低功耗、高速開關的特質，極大地提升了太陽能逆變器的電源轉換效率，拉長新能源汽車的可跑里程，應用在高頻轉換器上，為重型電機、工業設備帶來高效率、大功率、高頻率優勢。。。。。。。據調查公司Yole developmet統計，SiC Mosfet現有市場容量為9000萬美元，估計在2013-2020年SiC Mosfet市場將每年增長39%。由此可預見，SiC即將成為半導體行業的新寵!
SiC Mosfet對比Si IGBT主要有以下優勢：
i. 低導通電阻RDS
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