首頁　 
		資訊　 
		商機 　
		下載　 
		拆解 　
		高校　 
		招聘 　
		雜志　 
		會展　 
		EETV　 
		百科 　
		問答　 
		電路圖　 
		工程師手冊 　
		Datasheet　
		100例 　
		活動中心　 
		E周刊閱讀 　
		樣片申請
	
        




        
	EEPW首頁 >> 
	主題列表 >> 
	sic fet
        

        
	
        
    	
        
    	  	
        
              	
        
                	
        sic fet 文章
                  最新資訊  
                  
        
                
        
                                
        
                  

                                
        
                    
        UnitedSiC（現名Qorvo）宣布推出具有業界出眾品質因數的1200V第四代SiC FET
        
                                                            
                                        
          
                    	
        • 2022年5月11日移動應用、基礎設施與航空航天、國防應用中RF解決方案的領先供應商Qorvo宣布推出新一代1200V碳化硅（SiC）場效應晶體管（FET）系列。
          • 
                    	                        
        • 關鍵字：
                        UnitedSiC  Qorvo  SiC  碳化硅  場效應管                          
          • 
                   	
        
                    
        
                
        
                                
        
                    
        Power Integrations推出汽車級IGBT/SiC模塊驅動器產品系列SCALE EV，為巴士、卡車以及建筑和農用電動汽車提供強大動力
        
                                                            
                                        
          
                    	
        • 深耕于中高壓逆變器應用門極驅動器技術領域的知名公司Power Integrations近日宣布推出適用于Infineon EconoDUALTM模塊的SCALETM EV系列門極驅動板。新款驅動器同樣適用于原裝、仿制以及其它新的采用SiC的衍生模塊，其應用范圍包括電動汽車、混合動力和燃料電池汽車（包括巴士和卡車）以及建筑、采礦和農用設備的大功率汽車和牽引逆變器。SCALE EV板級門極驅動器內部集成了兩個增強型門極驅動通道、相關供電電源和監控遙測電路。新驅動板已通過汽車級認證和ASIL B認證，可實現AS
          • 
                    	                        
        • 關鍵字：
                        Power Integrations  IGBT  SiC  模塊驅動器  SCALE EV  PI                          
          • 
                   	
        
                    
        
                
        
                                
        
                    
        英飛凌推出1200 V CoolSiC MOSFET M1H芯片，以增強特性進一步提高系統能效
        
                                                            
                                        
          
                    	
        • 英飛凌科技股份公司近日發布了一項全新的CoolSiC?技術，即CoolSiC? MOSFET 1200 V M1H。這款先進的碳化硅（SiC）芯片用于頗受歡迎的Easy模塊系列，以及采用基于.XT互連技術的分立式封裝，具有非常廣泛的產品組合。M1H芯片具有很高的靈活性，適用于必須滿足峰值電力需求的太陽能系統，如光伏逆變器。同時，這款芯片也是電動汽車快充、儲能系統和其他工業應用的理想選擇。CoolSiC技術取得的最新進展使得柵極驅動電壓窗口明顯增大，從而降低了既定芯片面積下的導通電阻。與此同時，隨著柵極運行
          • 
                    	                        
        • 關鍵字：
                        SiC  太陽能  MOSFET                          
          • 
                   	
        
                    
        
                
        
                                
        
                    
        克服疫情，大灣區首臺全自動化SiC動態測試系統在北理汽車研究院交付
        
                                                            
                                        
          
                    	
        • _____日前，泰克攜手方案合作伙伴忱芯科技向北京理工大學深圳汽車研究院交付了一臺全自動化SiC功率模塊動態測試系統，此為今年度向客戶交付的第五臺SiC功率模塊動態測試系統，亦是大灣區的首臺全自動化SiC功率模塊動態測試系統。此系統集成了來自泰克的專門針對第三代半導體測試的硬件設備，從而解決了“測不準”、“測不全”、“不可靠”這三個難題的挑戰。忱芯作為泰克科技的解決方案合作伙伴，在去年“碳化硅功率半導體及應用研討會”上結成了全范圍的戰略合作聯盟，進行深度整合資源，圍繞寬禁帶功率半導體測試領域開展全產業鏈的
          • 
                    	                        
        • 關鍵字：
                        Tektroni  SiC  動態測試系統                          
          • 
                   	
        
                    
        
                
        
                                
        
                    
        ROHM建立8V閘極耐壓150V GaN HEMT量產體制
        
                                                            
                                        
          
                    	
        • 半導體制造商ROHM已建立150V耐壓GaN HEMT GNE10xxTB系列（GNE1040TB）?的量產體制，該系列產品的閘極耐壓（閘極-源極間額定電壓）高達8V，非常適用于基地臺、數據中心等工控設備和各類型IoT通訊裝置的電源電路。 EcoGaN首波產品 GNE10xxTB系列?有助基地臺和數據中心實現低功耗和小型化一般來說，GaN組件具有優異的低導通電阻和高速開關性能，有助降低各種電源功耗和實現外圍組件小型化。但其閘極耐壓很低，因此在開關工作時的組件可靠性方面尚存在課題。針對該課題，RO
          • 
                    	                        
        • 關鍵字：
                        SiC  GaN  ROHM                           
          • 
                   	
        
                    
        
                
        
                                
        
                    
        羅姆SiC評估板測評：快充測試
        
                                                            
                                        
          
                    	
        • 一、測試工裝準備1、P02SCT3040KR-EVK-001測試板2、電壓源3、示波器4、負載儀二、測試項目進行1、安裝 SIC后的空載波形SiC安裝空載波形空板，空載GS 為100hz 25V 信號2、DCDC 在線測試1）空載測試驅動空載輸出12V，gs驅動為200hz總寬度3.6uS的錐形信號2）加載  24轉55V  2A dcdc驅動信號波形如下：帶載 6.6k 15V驅動信號單脈沖寬度，3uS左右總結由于輕負載，溫度始終未超過50度。開關速度方面優于硅基產品，以后有對應設備
          • 
                    	                        
        • 關鍵字：
                        SiC  碳化硅  MOSFET  ROHM                          
          • 
                   	
        
                    
        
                
        
                                
        
                    
        羅姆SiC評估板測評：射頻熱凝控制儀測試
        
                                                            
                                        
          
                    	
        • 測試設備①直流電源由于手上沒有高電壓的直流電源，只能使用一般的電源，且手上只有一個低壓直流穩壓源，所以這穩壓電源既用于給開發板電源供電，又用于半橋母線電源。②電子負載半橋電源電源的輸出負載，可恒流或者恒壓或者恒負載，測試電源的帶載能力非常好用。③信號發生器產生不同頻率的可調制的方波信號，用于MOS管的驅動④示波器觀察驅動信號、輸出信號、MOS管的波形⑤萬用表測量各測試點的電壓⑥溫度巡檢儀測量帶載后MOS管的溫度測試拓撲將說明書中電路按照上述描述修改：兩個直流電源換成CBB電容，在Hvdc母線上加上12V電
          • 
                    	                        
        • 關鍵字：
                        SiC  碳化硅  MOSFET  ROHM                          
          • 
                   	
        
                    
        
                
        
                                
        
                    
        羅姆SiC評估板測評：基于碲化鎘弱光發電玻璃的高效功率變換技術研究
        
                                                            
                                        
          
                    	
        • 感謝ROHM公司提供的P02SCT3040KR-EVK-001評估板，有幸參與評估板的測試。拿到評估板的第一感覺就是扎實，評估板四層PCB的板子厚度達到了30mm；高壓區域也有明顯的標識。
          • 
                    	                        
        • 關鍵字：
                        SiC  碳化硅  MOSFET  ROHM                          
          • 
                   	
        
                    
        
                
        
                                
        
                    
        SiC MOSFET的橋式結構解析
        
                                                            
                                        
          
                    	
        • 本文將對SiC MOSFET的橋式結構和工作進行介紹。
          • 
                    	                        
        • 關鍵字：
                        SiC  碳化硅  MOSFET                          
          • 
                   	
        
                    
        
                
        
                                
        
                    
        碳化硅MOSFET晶體管的特征
        
                                                            
                                        
          
                    	
        • 功率轉換電路中的晶體管的作用非常重要，為進一步實現低損耗與應用尺寸小型化，一直在進行各種改良。
          • 
                    	                        
        • 關鍵字：
                        SiC  碳化硅  MOSFET                          
          • 
                   	
        
                    
        
                
        
                                
        
                    
        SiC-SBD與Si-PND的正向電壓比較
        
                                                            
                                        
          
                    	
        • 本文對二極管最基本的特性–正向電壓VF特性的區別進行說明。
          • 
                    	                        
        • 關鍵字：
                        SiC  碳化硅  SBD                          
          • 
                   	
        
                    
        
                
        
                                
        
                    
        SiC-SBD與Si-PND的反向恢復特性比較
        
                                                            
                                        
          
                    	
        • 反向恢復特性是二極管、特別是高速型二極管的基本且重要的參數，所以不僅要比較trr的數值，還要理解其波形和溫度特性，這樣有助于有效使用二極管。
          • 
                    	                        
        • 關鍵字：
                        SiC  碳化硅  SBD                          
          • 
                   	
        
                    
        
                
        
                                
        
                    
        SiC肖特基勢壘二極管的特征，及與Si二極管的比較
        
                                                            
                                        
          
                    	
        • 繼SiC功率元器件的概述之后，將針對具體的元器件進行介紹。首先從SiC肖特基勢壘二極管開始。
          • 
                    	                        
        • 關鍵字：
                        碳化硅  SiC  SBD  肖基特二極管                          
          • 
                   	
        
                    
        
                
        
                                
        
                    
        SiC功率元器件的開發背景和優點
        
                                                            
                                        
          
                    	
        • SiC功率元器件具有優于Si功率元器件的更高耐壓、更低導通電阻、可更高速工作,且可在更高溫條件下工作。接下來將針對SiC的開發背景和具體優點進行介紹。
          • 
                    	                        
        • 關鍵字：
                        SiC  碳化硅                          
          • 
                   	
        
                    
        
                
        
                                
        
                    
        什么是碳化硅？SiC的特性和特征
        
                                                            
                                        
          
                    	
        • 碳化硅（SiC）是比較新的半導體材料。本文來了解一下它的物理特性和特征。
          • 
                    	                        
        • 關鍵字：
                        SiC  碳化硅                          
          • 
                   	
        
                    
        
                
        
                                                

                
        
	                
        
		                	
        
	
        
	共571條
	19/39		|‹
			«
																																																																																																																																																																																														17																18																19																20																21																22																23																24																25																26																																																																																																																																																						»
			›|
		
	
        
		                
        
	               	
        
                
        
        	
        
            
        
        
        
	
        
	
        
  		
        
    		
        
      			
        
          			
        sic fet介紹
        
      			
        
		      	
        
		      			      			      	您好，目前還沒有人創建詞條sic fet!
         
		      	歡迎您創建該詞條，闡述對sic fet的理解，并與今后在此搜索sic fet的朋友們分享。    創建詞條
		      			      	
        
    		
        
  		
        
  		  		  		
  		  		  		
  		  		  		
  		  		            
        		  		
        
    		
        
      			
        
        			
        熱門主題
        
      			
        
      			
        
       	          						樹莓派   
					linux   
      			
        
    		
        
  		
        
		
        
	
        
	
        

        

        
        		關于我們 - 
        		廣告服務 - 
        		企業會員服務 - 
        		網站地圖 - 
        		聯系我們 - 
        		征稿 - 
        		友情鏈接 - 
        		手機EEPW
        		
        
        		Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
        
        		《電子產品世界》雜志社 版權所有 北京東曉國際技術信息咨詢有限公司
        
      			備案 京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052    京公網安備11010802012473
      		
        
    	
        
  	





        




        






主站蜘蛛池模板：
防城港市|
阜新市|
新余市|
漳州市|
宿松县|
沙雅县|
抚宁县|
新野县|
岢岚县|
阿拉善盟|
海丰县|
沅江市|
祁连县|
台中市|
石楼县|
延吉市|
苍山县|
平阳县|
涿鹿县|
金平|
乐山市|
普安县|
郎溪县|
武功县|
茌平县|
手游|
乌兰察布市|
巴林左旗|
元谋县|
中阳县|
新丰县|
腾冲县|
桐乡市|
蒙阴县|
前郭尔|
浮山县|
宁武县|
茌平县|
鹰潭市|
阳新县|
来安县|