- 東芝電子元件及存儲裝置株式會社（Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation，簡稱“東芝”）推出了150V N溝道功率MOSFET（金屬氧化物半導體場效應晶體管）“TPH9R00CQH”。該產品采用最新一代(*1)工藝“U-MOSX-H”，適用于工業設備的開關電源，包括部署在數據中心和通信基站的設備。3月31日開始出貨。TPH9R00CQH的漏極-源極導通電阻比TPH1500CNH低大約42%，后者是一款采用了當前U-MOSVIII-H工藝的15
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東芝 150V N溝道 功率MOSFET
- 全球知名半導體制造商ROHM（總部位于日本京都市）已確立150V耐壓GaN HEMT*1“GNE10xxTB系列（GNE1040TB）”的量產體制，該系列產品的柵極耐壓（柵極-源極間額定電壓）*2高達8V，非常適用于基站、數據中心等工業設備和各種物聯網通信設備的電源電路。一般而言，GaN器件具有優異的低導通電阻和高速開關性能，因而作為有助于降低各種電源的功耗和實現外圍元器件小型化的器件被寄予厚望。但其柵極耐壓很低，在開關工作時的器件可靠性方面存在問題。針對這一課題，ROHM的新產品通過采用自有的結構，成功
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ROHM 150V GaN HEMT
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