全球領先的全套互連產品供應商Molex公司最近針對分銷商、客戶和潛在客戶發布了在線RF Assembly Builder，現在已可于www.molex.com/molex/family/RF_Configurator.jsp上獲取，這款免費配置器工具可以簡化設計過程，允許用戶構建完整的組件，并且立即提交RFQ，無需下載任何應用程序或軟件。
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Molex RF 連接器
高功率射頻(RF)功率晶體管領域全球領導者飛思卡爾半導體公司(紐約證券交易所代碼：FSL)日前推出六款新的Airfast RF功率解決方案，專為2.3/2.6 GHz頻段的TD-LTE基站設計。
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飛思卡爾 RF TD-LTE
Analog Devices, Inc. (ADI)，全球領先的高性能信號處理解決方案和RF IC供應商，最近發布四款全新的RF放大器增益模塊ADL5544、ADL5545、ADL5610和ADL5611，可簡化高動態范圍通信、防務和儀器儀表系統的設計。
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ADI RF 放大器
當前，對工程師們來說，EMI (電磁干擾)和EMC (電磁兼容性)即使不算災難，也算是非常棘手的任務。這是因為如果沒適 ...
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RF 模擬信號 數字信號 EMI測試
網絡已經普及，更多的人已經將眼光投向了移動互聯網，扭頭看一下，無論走到哪里，很多人已經不再注意身邊的美景，而是全身關注的盯著手機屏幕。是無線網絡的發展催生了手機還是手機的普及加快了無線網絡的應用，探討這個問題，毫無意義，既然已成趨勢，業內必爭相進入。
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AWR RF EDA
由世界著名的Microwave Journal及其中文版《微波雜志》主辦的EDI CON(電子設計創新會議)將于2013年3月12~14日首次登陸北京，在北京國際會議中心隆重舉行。
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RF 微波 201302
Analog Devices, Inc. (ADI)，全球領先的高性能信號處理解決方案供應商，最近推出了其頗受歡迎的ADIsimRF?設計工具的全新版本。該免費設計工具是與ADI公司全系列RF轉數字功能模塊相配套的軟件，通過該設計工具，工程師可以使用ADI公司的RF IC和數據轉換器產品系列進行RF信號鏈建模。
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ADI RF
在滿足宏蜂窩基站性能要求的前提之下，集成度究竟能夠達到多高? 工藝技術仍然限定某些重要的功能部件必須采用特殊工藝來制造：在射頻 (RF) 領域采用GaAs和SiGe工藝，高速 ADC 采用細線 CMOS 工藝，而高品質因數 (High-Q) 濾波器則無法采用半導體材料很好地實現。此外，市場對于提高集成度的需求并沒有停止。
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RF ADC 基站
MAX9930~MAX9933系列RF控制器和檢測器適用于各種應用，其中，通過光纖傳輸有線電視信號(CATV)是該系列器件非常理想的應用之一，利用RF控制器或RF檢測器控制互阻放大器(TIA)的增益。本文介紹了如何使用MAX9930構成RF控制器或檢波器。
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CATV 光纖 RF
Maxim Integrated Products, Inc. (NASDAQ: MXIM)將在2013移動世界大會(巴塞羅那，西班牙)上展出獨特的高集成度、面向移動平臺的便攜設備和通信方案。Maxim將通過九個互動演示區，展示消費類及RF/通信應用方案。Maxim的所有移動產品均為高集成度方案，因而性能更佳，并可大幅降低占用空間、成本，縮短設計時間。
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Maxim RF
致力于提供幫助功率管理、安全、可靠與高性能半導體技術產品的領先供應商美高森美公司(Microsemi Corporation，紐約納斯達克交易所代號：MSCC) 宣布提供一款用于起搏器、去纖顫器和神經刺激器等植入式醫療設備的完整的醫療網絡(med-net)無線電鏈接。
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美高森美 RF 植入式醫療
2013 年 1 月 24 日 – Mouser Electronics宣布對 Mouser.com 上涵蓋射頻 (RF)無線技術的最新技術網站內容的擴充，現已能提供領先的即插即用射頻解決方案。
通過該全新射頻無線技術網站的增強型解決方案中心，能夠幫助設計工程師挑選無線電頻率經驗證的最新集成解決方案和即插即用模塊，并即時為現有應用增加無線功能。 該解決方案中心匯聚了來自 Skyworks、Murata、Panasonic 和 Texas Instruments 等業界領先的制造商提供
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Mouser 無線技術 RF
電子產品世界,為電子工程師提供全面的電子產品信息和行業解決方案,是電子工程師的技術中心和交流中心,是電子產品的市場中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網絡家園
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羅姆 RF-CMOS HEMS 特定小功率無線模塊
隨著智能手機功能最近不斷升級演化，消費者的期望值日益攀升。速度更快的多核高主頻CPU處理器、令人震撼的3D圖形、全高清多媒體和高速寬帶現已成為高端手機的標配。同時，消費者還期望手機纖薄輕盈，電池續航能力至少
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助力 平臺 NovaThor 下一代 FD-SOI:
在一場近日于美國舊金山舉行的FD-SOI (fully depleted silicon on insulator)技術研討會上，產業組織SOI Consortium所展示的文件顯示， FD-SOI 制程技術藍圖現在直接跳過了20nm節點，直接往14nm、接著是10nm發展。
根據SOI Consortium執行總監Horacio Mendez在該場會議上展示的投影片與評論指出，14nm FD-SOI技術問世的時間點約與英特爾 (Intel)的14nmFinFET相當，而兩者的性能表現差不多，F
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ST FD-SOI 10nm
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